Статическая эквивалентная

2. Помещения производств, связанных совращением газообразного водорода, в которых по условиям технологического процесса исключается образование в помещении взрывоопасной смеси в объеме, превышающем 5 % свободного объема помещения, имеют взрывоопасную зону только в верхней части. Взрывоопасную зону условно принимают от отметки 0,75 общей высоты помещения, считая от уровня пола, но не выше кранового пути, если таковой имеется (например, помещения электролиза воды, зарядные станции тяговых и стартерных аккумуляторных батарей).

и стартерных аккумуляторных батарей). Пункт 2 не распространяется на помещения с турбогенераторами с водородным охлаждением при условии наличия в них вытяжной вентиляции.

2. Помещения производств, связанных с обращением газообразного водорода, в которых по условиям технологического процесса исключается образование взрывоопасной смеси в объеме, превышающем 5 % свободного объема помещения, имеют взрывоопасную зону только в верхней части помещения. Взрывоопасная зона условно принимается от отметки 0,75 общей высоты помещения, считая от уровня пола, но не выше кранового пути, если таковой имеется (например, помещения электролиза воды, зарядные станции тяговых и стартерных аккумуляторных батарей).

Стационарное помещение для зарядки тяговых и стартерных аккумуляторных батарей (АБ)

Технические характеристики стартерных аккумуляторных батарей приведены в табл. 6.20.

Стартерные аккумуляторные батареи (646). Электрические характеристики стартерных аккумуляторных батарей (650). Электростартеры (653). Конструкции электростартеров (657). Схемы управления электростартерами (661).

ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СТАРТЕРНЫХ АККУМУЛЯТОРНЫХ БАТАРЕЙ

Внутреннее сопротивление. Сопротивление аккумулятора складывается из сопротивления поляризации, электродов, электролита, сепараторов, межэлементных перемычек и других токоведущих деталей. Сопротивление электродов и токоведущих деталей мало изменяется с изменением температуры. Рост сопротивления аккумуляторной батареи г0 с понижением температуры ( 63.15) связан в основном с увеличением сопротивления электролита и пропитанных электролитом сепараторов. В стартерных аккумуляторных батареях применяют электроды толщиной 1,4—2,3 мм, шириной 143 мм и высотой (без ножек) 119 и 133,5 мм. Сопротивление заряженных стартерных аккумуляторов и даже батареи последовательно соединенных аккумуляторов составляет от нескольких тысячных до нескольких сотых долей ома.

В тех случаях, когда устройство стационарных аккумуляторных батарей или установка специального генератора нецелесообразна из-за незначительной мощности аварийного освещения, возможно использование в качестве независимого источника питания стартерных аккумуляторных батарей (типа СТЭ). При этом аварийное освещение нормально питается от осветительных щитков через понижающие трансформаторы 220/36 В, а при исчезновении напряжения автоматически переключается на питание от стартерной батареи.

На 12 показаны изменения зарядного тока стартерных аккумуляторных батарей ЗСТ-135 номинальной емкостью 135 А-ч, ЗСТ-112, 12СТ-70 и 6СТ-54*. Кривые зарядного тока вычислены по формуле (31) для случая, когда аккумуляторы полностью разряжены.

* Здесь и далее значения номинальных емкостей стартерных аккумуляторных батарей указаны при их разряде 10-часовым режимом.

где L/t -- статическая эквивалентная индуктивность контура k [см. (1.56)].

мин «статическая эквивалентная схема» заключает в себе известную условность — такую схему можно использовать при анализе режима устройства не только на постоянном токе, т. е. собственно статических режимов, но и при анализе медленно протекающих низкочастотных процессов. Поэтому такие схемы иногда называют эквивалентными схемами для области низких частот. Далее будем использовать термин «статическая схема» как наиболее краткий. Статическую схему получа-чают, исходя из рассмотрения положения аппроксимирующего отрезка в.а.х., что позволяет представить элемент в виде резистора, генератора тока, генератора напряжения или комбинации этих элементов. Динамическую эквивалентную схему получают из статической путем добавления реактивных параметров прибора. Физическая природа этих добавляемых параметров объясняется инерционностью носителей заряда в полупроводнике, возникновением паразитных емкостей между электродами, наличием индуктивности выводов. Последний параметр в импульсной технике обычно не учитывают. Поскольку размеры вывода и его индуктивность невелики, то для частот спектра сигналов, характерных для импульсной техники, индуктивное сопротивление оказывается пренебрежимо малым. Учет реактивных параметров прибора делает динамическую эквивалентную схему пригодной для анализа быстрых процессов, в частности для анализа процессов, возникающих при воздействии на нелинейную цепь фронта импульса.

Соответствующая этому выражению статическая эквивалентная схема показана на 3.5, б. Она состоит из генератора тока /s и резистора с сопротивлением /?обр- Значение тока /s соответствует тому отрезку, который отсекает аппроксимирующая прямая на оси ординат. Сопротивление /?обр определяется по углу наклона аппроксимирующей прямой. Примерные значения I, и Ro6p приведены в табл. 3.1. Ток /s зависит от температуры. Для германиевых диодов при положительной температуре он примерно удваивается на каждые 10°С, т. е.

где /в0 — значение тока /„ при температуре +25°С; Ist — значение тока /8 при температуре, превышающей +25°С. Поэтому для германиевых диодов в области максимальных значений температуры окружающей среды ток /s может быть больше той составляющей тока, которая протекает через #обр; следовательно, влиянием /?обр можно пренебречь. Эквивалентная схема запертого диода сведется к генератору тока /„. Для кремниевых диодов ток /s очень мал, и хотя его температурные изменения даже более существенны, чем у германиевых диодов, ток Ist также остается малым. Статическая эквивалентная схема в этом случае упрощается и сводится к сопротивлению Яобр.

Поскольку полевой транзистор практически не потребляет тока по входной цепи, то его можно рассматривать как прибор, управляемый напряжением. Статическая эквивалентная схема входной цепи показана на 3.45. Электроды 3 к И можно считать по постоянному току разомкнутыми. Статические эквивалентные схемы выход-

Переход от аппроксимированного графика в.а.х. к аналитическим выражениям осуществляют с помощью эквивалентных схем прибора. Различают статические и динамические эквивалентные схемы. Термин статическая эквивалентная схема заключает.в себе известную условность—такую схему' можно использовать при анализе режима устройства не только на постоянном токе, т. е. собст--

Соответствующая этому выражению статическая эквивалентная схема показана на 3.4,6. Она состоит из генератора тока Is и сопротивления R0(,v. Значение тока Is соответствует тому отрезку,

Поэтому в области максимальных значений температуры окружающей среды ток Is может быть больше тока, протекающего через сопротивление Ro6p, и влиянием /?обр можно пренебречь. Эквивалентная схема запертого диода сводится к схеме генератора тока /s. Для кремниевых диодов ток Is очень мал, и хотя его температурные изменения более существенны, чем у германиевых диодов, ток Ist также оказывается весьма малым. Статическая эквивалентная схема запертого диода сводится к сопротивлению ^?об„.

Статическая эквивалентная схема. Линеаризованные входные и выходные характеристики -транзистора показаны на 3.24,а и б. При линеаризации

напряжением. Статическая эквивалентная схема входной цепи показана на 3.43. Электроды 3 и И можно считать по постоянному току разомкнутыми. Статические эквивалентные схемы выходной цепи полевого транзистора представлены на 3.44, а — в. При и3^е0 ic ж 0 и цепь исток—сток можно считать разомкнутой ( 3.44, а). При 0^«3<е0 и мс>?/спер рабочая точка находится на пологом участке характеристики. Соответствующая этому случаю схема показана на 3.44,6, где генератор тока Ш'\ пер отражает «управляемую» составляющую тока, зависящую от входного напряжения мзи, сопротивление ^y=l/tgoc—наклон стоковой характери-

вом квадранте, расхождение их (при различных значениях иак) незначительно. Поэтому часто зависимостью (с = /Тиак) пренебрегают и используют одну характеристику (среднюю в семействе), аппроксимируя ее прямой линией ( 3.51). Соответствующая статическая эквивалентная схема входной цепи представлена на 3.2,6. Техника аппроксимации—та же, что и при аппроксимации в.а.х полупроводникового диода (см. §3.1). Напряжение е0 = еос = 5-.-7 В; входное сопротивление ri~—rCK = 1/tg oc= 1 ч-2 кОм.