Становится затруднительным

значительному упрощению структуры процессора, что становится возможной его реализация на одном кристалле с оставлением при этом места на кристалле для увеличения до нескольких десятков, а в некоторых машинах даже до сотен числа общих и специализированных регистров.

С созданием ВСт возникли предпосылки для специализации отдельных ВЦ сети на решении задач определенного класса, что по оценкам специалистов дает значительный З'ффект, так как позволяет существенно сократить общие затраты высококвалифицированного труда на разработку моделей, алгоритмов и па кетов прикладных программ. Специализация отдельных ВЦ сети становится возможной, так как пользователь имеет доступ к уникальным программам и данным, а также уникальным вычисли-^SVbWbWi й'р'ед'СТЬй'М ^например, специализированным процессорам) любого ВЦ сети.

При прямых .напряжениях, превышающих значение f/min, потенциальный барьер в р — и-переходе значительно уменьшается и становится возможной инжекция неосновных носителей, поэтому туннельный диод приобретает свойства обычного диода. Участок 4 вольт-амперной характеристики по виду напоминает характеристику обычного диода. Прямая ветвь вольт-амперной характеристики по внешнему виду напоминает букву N, поэтому называется N-образной. Наличие у туннельных диодов отрицательного дифференциального сопротивления позволяет использовать их в качестве переключателей, усилителей или генераторов колебаний.

При проектировании помвхозащищенных преобразователей входные напряжения uBXl -s- ывх2 подводятся к ЦВМ двумя проводами, причем оба провода коммутируются входным коммутатором. В этом случае на каждый канал отводится два ключа, аналогичных /CBXi—Квхз- Включение обоих ключей одного канала производится одновременно от общего переключателя С7—С9 за счет последовательного включения обмоток а)сч на их сердечниках. При таком включении резко уменьшается помеха, определяемая общим проводом, и становится возможной коммутация напряжений uBXl -ь ывх8, не имеющих гальванической связи (общих точек).

В точке ж напряженность электрического поля вблизи катода достигает значений порядка 108 В/м, при этом становится возможной автоэлектронная эмиссия, т, е. вырывание электрическим полем электронов из анода. Возникает дуовой разряд, сопровождаемый резким увеличением тока при снижении напряжения на электродах до нескольких вольт (точка з). Образуется яркое катоднсе пятно дугового разряда, и последующий рост тока происходит за счет увеличения площади этого пятна.

При относительно небольших толщинах твердого диэлектрика каналы стримеров, развивающихся вдоль поверхности, имеют достаточно большую емкость по отношению к противоположному электроду, поэтому через них проходит сравнительно большой ток. При определенном напряжении ток: возрастает настолько, что температура стримерных каналов увеличивается и в них становится возможной термическая ионизация. В результате этого каналы разряда преобразуются: сопротивление их резко падает, интенсивность свечения возрастает. Эти преобразованные каналы получили название каналов скользящих разрядов.

ности. Несколько большая совокупность уровней возбуждения показана на 1-5, в. Прямая, нанесенная на том же рисунке точечным пунктиром, соответствует минимальному энергетическому уровню энергии электрона, при котором становится возможной ионизация атома.

Если напряжение смещения создает режим колебаний первого рода и модулирующее напряжение меньше напряжения смещения, лампа работает на линейном участке динамической характеристики и модуляции не будет ( 9.5, а). Напряжение смещения должно соответствовать режиму колебаний второго рода. В этом случае при подаче модулирующего напряжения будут изменяться амплитуды импульсов анодного тока и модуляция становится возможной ( 9.5, б).

Существует несколько технологических процессов, при которых становится возможной бесфлюсовая герметизация.

У этого полинома все коэффициенты положительны и, следовательно, реализация по методу Мията становится возможной. Однако

Однако она становится возможной, если в обмотках сделать пересоединения, а в некоторых случаях просто перемаркировать зажимы. При этом можно руководствоваться данными табл. 20-1. 1

Недостаток рассмотренного приема построения круговых диаграмм состоит в том, что при значительных отличиях г и х отсчет положения рабочей точки на линии отсчета становится затруднительным. Кроме того, для каждого варианта изменений параметров необходимо вновь находить линию переменного параметра. Более удобным является прием, предложенный Г. И. Шарохиным, который рассмотрим на примере построения круговой диаграммы для схемы 6.16, а, содержащей последовательное соединение элементов с активным сопротивлением г и реактивным сопротивлением х = XL — хс . Уравнение баланса напряжений для нее имеет вид

Срок хранения отпечатанных плат в условиях производства составляет 3 ... 5 суток. После этого удаление краски становится затруднительным. Снимают трафаретную краску 3 ... 5 %-ным раствором горячей (40 ... 60°С) щелочи в течение 10 ... 20с. Раствор подается на заготовки устройствами струйного типа. Аналогично промываются сетчатые трафареты после работы.

Отверждение компаунда часто носит экзотермический характер, т. е. проходит с выделением тепла. При наличии большой массы отвод тепла становится затруднительным и композиция начинает интенсивно разогреваться. Это приводит к ее химическому разложению, образованию пор и пустот. Для оценки степени экзотермичности составляют график изменения температуры в зависимости от состава и массы композиции.

Минимальный набор функциональных компонентов позволяет выполнять чип с одним уровнем маскирования, т. е. изготовлять активные компоненты чипа из пермаллоя в одном процессе литог,,афии с остальными аппликациями. В общем случае, с целью достижения лучших характеристик по временам поиска в накопителях ЗУ, в состав топологии чипа вводят дополнительные коммутирующие элементы: переключатели, репликаторы, дешифраторы и др. По ряду причин, в первую очередь вследствие плохой совместимости областей устойчивой работы отдельных компонентов чипа, выполнить чип в однослойном варианте часто становится затруднительным. В таких случаях применяют двухслойную технологию изготовления чипов, при которой на поверхность ЦМД-ма-териала первым наносят слой проводников, из которых формируют активные КОМПО- 8.11. Два варианта изготовления ненты чипа, а затем, через чипа (размеры указаны в мкм)

Ламповые генераторы с колебательным контуром или генераторы типа LC удобно применять на высоких частотах (свыше 20 000 гц). Для генерирования более низких частот колебательный контур получается громоздким, изменение частоты контура становится затруднительным. Поэтому для генерирования низкочастотных синусоидальных колебаний малой мощности широко используются генераторы типа RC ( 7.12, а), у которых вместо колебательного контура имеется резистор RH, а обратная связь осуществляется при помощи фазовращателя — цепочки, составленной из трех конденсаторов С и трех резисторов R.

После освоения аппаратуры на напряжение 660 в будет целесообразно применять это напряжение в цехах тяжелого машинострония, так как питание современных крупных станков на напряжении 380 в становится затруднительным.

Засылка представляет собой установку начального значения индексного регистра, производимую перед началом цикла программы, управляемого этим регистром. Типичная команда засылки для внутреннего индексного регистра имеет одноадресный формат и состоит из адресной части, указывающей, откуда берется начальное значение индексного регистра, и разрядов, составляющих указатель номера этого регистра. Для команды засылки при предварительной индексации необходим в общем случае двухадресный формат, содержащий адреса ячеек, откуда берется и куда засылается начальное значение. Помимо прямой адресации иногда используется непосредственная адресация, когда в команде указывается не адрес ячейки, хранящей начальное значение, а непосредственно само начальное значение. В этом случае экономятся как место в памяти, так и затраты времени на засылку, однако становится затруднительным использовать в качестве начального значения величину, полученную в результате предыдущих вычислений.

Для турбогенераторов мощностью выше 165 МВт мощность возбуждения становится настолько значительной, что выполнить надежно работающий генератор постоянного тока на частоту вращения 3000 об/мин по условиям коммутации становится затруднительным.

Четырехплечие мостовые схемы с использованием в их плечах конденсаторов постоянной емкости и переменных резисторов дает удобные прямые отсчеты значений измеряемых индуктивностей и коэффициентов добротности Q катушек, но обладают плохой сходимостью при малых значениях коэффициентов добротности. Процесс уравновешивания становится затруднительным при Q = 1, а при Q
Спектр дискретизированного сигнала приобретает периодическую форму. Выражение (13.10) полезно для установления связи между S (со) и Sj (со), однако в общем случае, при произвольном соотношении между Т и S (со), когда возможно перекрытие спектров, применение формулы (13.10) становится затруднительным. Кроме того, желательно иметь формулу, позволяющую находить Sr (со) непосредственно по заданным временным выборкам s (kT), без обращения к спектру S (со) исходного континуального сигнала. Такую формулу легко получить,

В приведенной классификации погрешностей предполагается, что в процессе измерения измеряемая величина остается постоянной. В практике, особенно при технических измерениях, приходится иметь дело с измерением величин, изменяющихся во времени. Здесь четкое разграничение систематической и случайной составляющих погрешности становится затруднительным. В этом случае к систематическим относят известные постоянные погрешности или функционально связанные с определенными влияющими величинами, которые в свою очередь могут быть измерены, и тогда влияние систематических погреш-