Становится соизмеримым

что невозможно. 132. Неправильно. Чагнитный поток Ф, так же как и электрический ток, является скалярной величиной. 133. Правильно. 134. Неправильно. Возможно, ваш выбор основан на том, что Н,\> Н,2, но ведь ri-0, составит 100%. 148. Правильно. 149. Неверно. Вспомните, чему равна производная от синусоидальной функции. 150. Вы ошибаетесь. В данном случае следует применить закон полного тока. 151. Правильно. 152. Неверно. При введении сердечника потокосцепление увеличивается и, следовательно, индуцированные ЭДС И ток создают поток, направленный встречно основному потоку, что приводит к уменьшению суммарного тока в катушке. 153. Правильно. 154. Неправильно. Внимательней прочтите определение магнитного потока 1Г)5. Правильно. 156. Неверно. Не только магнитное, но и электрическое поле. 157. Это невозможно, так как в катушке будет наводиться ЭДС индукции. 158. Неверно. Вихревые токи — результат явления взаимоиндукции. Следовательно, их изменение вызывает ответную ЭДС в катушке. 159. Неправильно. Вы забыли, что у латуни n, = const и, следовательно, зависимость между В и Я линейная. 160. Вы ошибаетесь. После насыщения магнитное поле растет только в результате изменения тока в катушке. 161. Правильно. В этот момент магнитный поток Ф = 0. 162. Неправильно. Следует исходить не из длины контура, а из значения полного тока. 163. Неверно, так как ток зависит от сопротивления сердечника. 164. Вы ошибаетесь. В данном случае / = 5D, т. е. катушка длинная. 165. Неверно. Вспомните, в каком направлении действуют силы на стороны рамок. 166. Наоборот. 167. Это утверждение справедливо. 168. Правильно. 169. Правильно. 170. Неверно. Чем больше Д/, тем больше ошибка при определении магнитного напряжения на этом участке, так как поле неоднородно. 171. Неверно. Вы забыли правила дифференцирования. 172. Неверно. См. консультацию № 100. 173. Неправильно. Прочтите консультацию № 181. 174. Правильно, так как индуктивность L пропорциональна ад2. 175. Неправильно. Это уравнение отражает только режим холостого хода. 176. Правильно. 177. Правильно. 178. Правильно, так как относительная длина проводника уменьшается. 179. Неверно. Вы не учли знак минус в выражении для ЭДС: е= —d\;/d/. 180. Правильно. Сначала сила F>> G и груз движется ускоренно, но по мере увеличения скорости ток / уменьшается, так как увеличивается противо-ЭДС Е. Наступает момент, когда f=G и движение становится равномерным. 181. Неперно. В этом случае возникает

Часть линий нечетного поля (см. 3.13, б) замыкается поперек паза, образуя пазовое рассеяние. На достаточно большом расстоянии от зазора Л > 3ft поле рассеяния в бесконечно глубоком пазу становится равномерным. Это позволяет определить магнитную проводимость для нечетного поля в пазу в зоне 0<у<6 + Лпо аналогии с определением проводимости для нечетного поля в зазоре. При Л > 3ft магнитная проводимость для нечетного поля в пазу (на половину ширины паза)

Исходя из того, что при х = ос, у = 0 и г = оо, 0 — 0 поле становится равномерным [Н1х = Н1Г = Н0 = 50/((10ц1г)], заключаем Ci := Я0. Так как при г = О потенциал <р2 должен быть конечным, то d2 = 0. Исходя из граничных условий на поверхности г = b для индукции (В1Г = В2Г) и для напряженности магнитного поля (Я1в = Я2е), находим

Исходя из того, что в области 3 при х ~ <х, у = 0, г = ооиЭ =0 поле становится равномерным, т. е. Нзх = Н3г = Н0 — В0/(ц,0 ^зг), заключаем, что с3 = Н0. Так как при г = 0 в области / потенциал Фх должен быть конечным, имеем dj = 0. Исходя из граничных условий для нормальных составляющих индукции и тангенциальных составляющих напряженности на поверхности г = b (Blr = 52г, #ie = #2в) и на поверхности г = а (Вгг =-

Радиус цилиндра равен гг. Цилиндр 2 обладает относительной магнитной проницаемостью fi2r; окружающая среда / — проницаемостью ц1г. В среде / создано внешнее магнитное поле, которое при достаточном удалении от цилиндра 2 становится равномерным и имеет индукцию В„ = 50л.. Магнитное поле — двухмерно и нормально к оси 2. Радиус г; провода с током i весьма мал по сравнению с радиусом цилиндра rt <^ гг. Определить силы: Fiy, действующую на провод с током i во внешнем магнитном поле; F2w, действующую на цилиндр 2;

Исходя из того, что при х = оо; у — О, г = оо, 0 = 0 поле становится равномерным (Я10Х = Я107. = Я0 = В0/л0ц1г), заключаем, что Cj = Я0. Так как при г = О потенциал ф2 должен быть конечным, имеем d2 = 0. Исходя из граничных условий на поверхности г = гх для индукции (В]ОГ = В2ог) и для напряженности внешнего магнитного поля (Я1о9 = Я2ое), находим dj = k0r\H0; c2 = = (1 — k0)H0. Подставляя найденные постоянные (сх; d2; dx; c2) в (5.43), получим компоненты напряженности и индукции внешнего поля на поверхности г = гг (вне цилиндра 2):

Таким образом, мы приходим к неожиданному заключению*, что сила, действующая на область паза с током 1г во внешнем четном поле, образованном токами /г и —/2, оказывается равной силе, которая действовала бы на ток ilt помещенный в такую зону гладкого зазора б, в которой внешнее четное поле становится равномерным, а его индукция достигает максимального (по абсолютной величине) значения Bcm = \i0 //<>, = Ио'У^-

Анализ выражения (5.88) позволяет прийти к заключению, что не только для двух рассмотренных моделей паза, но и вообще для одиночного паза любой формы (в случае бесконечно большой магнитной проницаемости ферромагнитного сердечника) сила Fn, действующая на область паза с током il во внешнем четном поле токов г'2 и — z'2, оказывается равной силе на ток ilt помещенный в такую зону гладкого зазора б, в которой внешнее четное поле становится равномерным, а его индукция достигает максимального (по абсолютной величине) значения

Если, как обычно, намотка катушки выполнена в виде круглого провода, то поле непосредственно у внутренней поверхности не равномерно, а имеет волнистый характер и лишь к осевой линии значения его усредняются и поле становится равномерным ( 10-19, б).

шееся распределение напряжения вдоль обмотки становится равномерным (кривая 2, 114). При изолированной нейтрали вся обмотка примет одинаковый потенциал относительно земли (кривая 2, 115). Несовпадение начального и установившегося распределений напряжения вдоль обмотки приво-

Так как при наличии экранных витков распределение напряжения вдоль обмотки становится равномерным, можно записать для случая заземленной нейтрали

Это означает, что на коэффициент усиления оказывает влияние емкость С0, входящая в выражение для постоянной времени т*. Сопротивление ХСо=1/(а>С0) емкостного элемента С„ на нижних частотах много больше #вх, поэтому оно не влияет на значение выходного напряжения. На верхних частотах сопротивление ХСа становится соизмеримым с #вх. С ростом частоты сопротивление ХСа уменьшается, шунтирует сопротивление #вх, поэтому выходное напряжение, а следовательно, и коэффициент усиления /Св снижаются. Конденсатор связи Сс на верхних частотах не оказывает влияния на коэффициент усиления, так как его сопротивление Хсс мало.

Рассмотрим влияние емкости Сэ эмиттерного перехода. С увеличением частоты сопротивление 1/соСэ также уменьшается, нр влияние С,) не проявляется так сильно, как влияние С„. Это объясняется тем, что емкость Сэ зашунтирована сопротивлением эмиттерного перехода ra, имеющим очень малую величину. Сопротивление 1/соСэ начинает оказывать влияние только на очень высоких частотах, где оно становится соизмеримым с гэ. На этих частотах транзистор обычно не работает, так как емкость Ск почти полностью шунтирует генератор тока /г. Из этого следует, что влиянием емкости Сэ на частотные свойства транзистора можно пренебречь.

'Метод тепловых схем замещения может рассмариваться как метод конечных разностей, когда лег сетки выбирают равным длине однородного участка тепловой схемы машины и он становится соизмеримым с размерами отдельных элементов машины.

Полупроводниковый образец закрепляют в кристаллодержателе, который с помощью манипулятора может перемещаться .относительно светового зонда. Зонд устанавливают в любой точке поверхности образца, он перемещается вместе с образцом; давление на зонд регулируется. Для уменьшения уровня шумов и повышения стабильности контакта производят его формовку импульсами тока. Амплитуду импульсов тока при этом постепенно увеличивают до тех пор, пока не достигается необходимое отношение сигнал/шум. Измерена прекращают, когда измеряемый сигнал становится соизмеримым с напряжением шума или нарушается условие применимости решения (3.25).

Часто образование резистивных участков в кристалле совмещают с изготовлением базы или эмиттера. При тщательном контроле процесса диффузии, необходимого для получения базы, получаются резистивные зоны с сопротивлением слоя порядка 200 Ом/квадрат. Резисторы, полученные одновременно с образованием эмиттера, имеют малое сопротивление слоя (порядка 2—3 Ом/квадрат). Ширина диффузионной зоны редко бывает менее 25 мкм. Из формулы (11.4) видно, что для получения резистора с R = 4 кОм при b - 25 мкм и RCJI = 200 Ом/квадрат необходимо иметь /= 500 мкм, что становится соизмеримым с размерами кристалла, используемого для изготовления монолитной схемы. Поэтому диффузионным методом затруднительно получать резисторы с большими значениями сопротивлений. Температурный коэффициент сопротивления диффузионных резисторов (ТКЯ) зависит от концентрации примесей в диффузионной зоне: чем меньше концентрация примесей (чем больше RCJI), тем больше ТКЯ.

Недостаток схемы с уравнительным проводом заключается в том, что при значительном расстоянии между генераторами сопротивление уравнительного провода становится соизмеримым с сопротивлением обмотки возбуждения, что влияет на распределение нагрузки генераторов.

Верхний предел частотного диапазона транзисторов зависит от наличия емкостей эмиттерного и коллекторного переходов Ск и Сэ и времени движения зарядов, инжектированных эмиттером в базу. Влияние емкостей особенно заметно с повышением частоты, так как сопротивление их переменному току уменьшается и становится соизмеримым с сопротивлением переходов, шунтируя их. Особенно большую роль играет емкость коллекторного перехода Ск, которая подключается параллельно большому сопротивлению перехода. Для повышения работоспособности транзистора на высоких частотах емкость Ск желательно свести к минимуму. Для этого стараются уменьшить площадь контакта коллектора с базой, но при этом уменьшается допустимая мощность сигнала на выходе транзистора.

Если время движения дырок от эмиттера к коллектору будет во много раз меньше периода сигнала на входе транзистора, то коллекторный ток будет изменяться в такт с изменением входного сигнала. Если это время становится соизмеримым с периодом входного сигнала, то ток коллектора резко уменьшается. Это объясняется тем, что при увеличении входного сигнала возрастает поток дырок из эмиттера в коллектор. Если в течение половины периода дырки успеют пройти только часть расстояния от эмиттера к коллектору, то в следующую половину периода при уменьшении входного сигнала убывает и поток дырок из эмиттера в базу. Концентрация дырок в базе уменьшается, так как навстречу основному потоку дырок от эмиттера к коллектору появится поток дырок из базы в эмиттер. В это время на эмит-терном переходе будет обратное напряжение, которое является ускоряющим для неосновных носителей (дырок базы). В результате ток коллектора уменьшится. Так как время движения дырок в базе зависит в основном от ее толщины, то для поднятия верхнего предела частотного диапазона необходимо уменьшить толщину базы.

При дальнейшем снижении частоты активное сопротив" ление статора Кг становится соизмеримым со значением хк и максимум момента двигателя снижается ( 4.59). Это

ток /t статора, а сдвиг по фазе ф! этого тока относительно напряжения иг сети уменьшается. Уменьшение срх происходит до тех пор, пока падения напряжения в статоре остаются незначительными по сравнению с t/1( что имеет место, если ток /х не больше номинального или только немного превосходит его. При дальнейшем увеличении момента нагрузки на валу, а следовательно, и тока /х падение напряжения T!/! + jXi/i в статоре становится соизмеримым с U^, из диаграммы видно, что при этом угол срх начинает вновь возрастать.

Влияние сопротивления линии связи. При рассмотрении работы сельсинов сопротивление линии связи не принималось во внимание. В тех случаях, когда датчик удален на значительное расстояние от приемника, сопротивление линии связи становится соизмеримым с собственным сопротивлением обмоток синхронизации. Это приводит к снижению тока в обмотках синхронизации датчика и приемника, вследствие чего уменьшаются выходное напряжение ?/вьк приемника при работе сельсинов в трансформаторном режиме и величина синхронизирующего момента Мсн при работе в индикаторном режиме. Аналогично влияет и падение напряжения в скользящих контактах.