Становятся соизмеримыми

казания ваттметров становятся одинаковыми, но с противоположными знаками: Pt= -- ^- ?/л/л; Р2 = —ИП1„ и, следовательно, Рг + Р2 = 0.

в общем случае не равны между собой. К. п. д. г\я > т)т при R > #в, а т)т > "Пи при /? < RB и лишь при R = Re полные мощности и к. п. д. эквивалентных источников становятся одинаковыми.

казания ваттметров становятся одинаковыми, но с противоположными знаками: Рх=-----^-Unln; Р2 = -^-Vnln и, следовательно, Р1 + Р2 = 0.

Характер изменения электродинамической силы во времени весьма своеобразен: одна полуволна постоянно уменьшается, а другая — увеличивается. Когда амплитуда периодической составляющей достигает установившегося значения, обе полуволны становятся одинаковыми.

где коэффициент пропорциональности kk имеет размерность МВт/Гц. Иногда его называют энергией регулирования. Чем больше kk, тем меньше отклонение частоты при данном изменении мощности. Величину, обратную kh, называют статизмом агрегата — \lkk = 8k. Появляющиеся при изменениях нагрузки мгновенные изменения частоты сначала различны для каждого генератора. После переходного процесса они становятся одинаковыми: Д/:1 == Д/2 = Д/й = Д/. Суммарное изменение мощности в системе можно представить как ДР = &SA/, где k-% — суммарная энергия регулирования.

Напряжение на выходе реальной #С-цепи ивых(/) = ын описывается экспоненциальной зависимостью: «Вых(0 = О ПРИ ^ < 0; ывых(^) = Ее~*/в при t > 0 ( 2.46, в). Максимальное различие4 сигналов идеальной дифференцирующей цепи и реальной RC-цепи наблюдается в точке / = 0: для идеальной цепи выходной сигнал бесконечен, а в реальной цепи — не может превышать значения входного скачка Е. В течение интервала времени 3RC ошибка дифференцирования постепенно уменьшается; при t> 3RC выходные сигналы идеальной и реальной дифференцирующих цепей становятся одинаковыми (оба имеют нулевое значение).

к существенным изменениям длительности выходных импульсов. Если по мере приближения к установившемуся уровню E/R6 скорость изменения тока не уменьшалась, а увеличивалась (кривая / или 2 на 6.96, б), то изменение длительности импульса было бы значительно меньшим. Закон изменения базового тока, удовлетворяющий таким требованиям, и обеспечивает импульсный мостовой элемент ( 6.97, а). В состав этого элемента входят две времязадаю-щие цепи: /?)Cj и R%C2. Между точками соединения резистора и конденсатора каждой цепи включен диод Д. Рассмотрим процессы, происходящие в данном элементе, после замыкания ключа К. Напряжение на анод диода Д поступает с конденсатора Cj, т. е. с выхода интегрирующей цепи /?]С4. Напряжение на катод диода Д подается с резистора R2, т. е. с выхода дифференцирующей цепи RzCz. Будем считать, что Rt = R% — R; С4 = С2 = С, т. е. постоянные времени цепей одинаковы: в = RC. Тогда напряжение на аноде диода изменяется по закону u&(t) — Е(\ — e~t/®), а напряжение на катоде — по закону uK(t) = = ?е~'/в ( 6.97, б). В первый момент времени после замыкания ключа напряжение на аноде диода равно нулю, напряжение на катоде -\-Е. Диод заперт и не влияет на процессы изменения тока в цепях /?iCj и /?2С2. Однако по мере зарядки конденсаторов С1 и С2 напряжение на аноде диода повышается, а на катоде — уменьшается. В момент времени / = т напряжения на аноде и катоде становятся одинаковыми, и диод начинает отпираться. Теперь участок между анодом и катодом можно считать короткозамкнутым ( 6.97, в). Существенно, что в момент отпирания диода напряжение как на конденсаторе Q, так и на С2 равно Е/2, т. е. имеет такое же значение, какое должно быть на конденсаторе в цепи 6.97, в после завершения переходных процессов (в установившемся режиме). Таким образом, после отпирания диода изменение напряжений на конденсаторах Q и С2 прекращается. Ток зарядки Q, т. е. ток, протекающий в проводе ab мостового элемента (см. 6.97, а), после отпирания

становятся одинаковыми. При этом непосредственно у стенки возникает ионная оболочка, заряд которой компенсирует отрицательный заряд на стенке.

При низких температурах вязкость диэлектрика так велика, что диполи «заморожены», не ориентируются в электрическом поле и дипольная поляризация не происходит. Проводимость диэлектрика при низких температурах мала, а поэтому невелики /ск и вызываемые им диэлектрические потери. Поэтому tg б жидкого полярного диэлектрика при низких температурах имеет небольшое значение ( 5.21, а, пунктирная линия). С ростом температуры вязкость диэлектрика уменьшается, время релаксации полярных молекул становится меньше и они вовлекаются в процесс поляризации. Ориентация (поворот молекул в поле в результате преодоления межмолекулярных сил) происходит с «трением». На работу против сил трения затрачивается энергия электрического поля, которая и рассеивается в диэлектрике, активная составляющая /аа тока абсорб-иии /абс увеличивается и tg6 диэлектрика растет ( 5.21, а). При температуре Гм вязкость диэлектрика уменьшается до такого значения, что время релаксации и полупериод (7У2 —1/2/) приложенного напряжения становятся одинаковыми. Полярные молекулы в течение одного полупериода поворачиваются на максималь-

Максимальное различие сигналов идеальной дифференцирующей цепи и реаль- и) ' ной ^С-цепи наблюдается в точке /==0: для идеальной цепи выходной сигнал бесконечен, а в реальной цепи — не может превышать значения входного скачка Е. Затем в течение интервала времени 3RC ошибка дифференцирования постепенно уменьшается; при t > 3RC выходные сигналы идеальной и реальной дифференцирующих цепей становятся одинаковыми (оба имеют нулевое значение).

жение на катоде равно -\-Е. Диод заперт и не влияет на процессы изменения тока в цепях Rfi и /?2С2. Однако по мере заряда С, ч С, напряжение нп аноде повышается, а на катоде уменьшается. В момент вритапп t ••- т иапряжс-ния на аноде и катоде становятся одинаковыми, и дкод Д пачииастотгшратг,'.1;. Теперь участок между анодом и ка'к>дом можно считать коротхо::ам:\ну;м;! ( 5.102, в). Существенно, что в момент отпирания диода напряженно ;;ак K.I ;'l; так и на Со равно ?/2, т. е. имеет такое ко значение, какг:е;<:,:>7.;ю быть на конд' :.-саторах в цепи 5.10?, в после завершения переходных процессов (в ус!т;:о-

денсаторы с "низким сопротивлением и малой емкостью. При этом резисторы начинают заметно нагружать усилитель (потреблять значительные токи), а емкости конденсаторов становятся соизмеримыми с паразитными емкостями монтажа, входной и выходной емкостью усилителя, что ухудшает характеристики избирательного усилителя и снижает стабильность его работы. Поэтому на частотах /о>1-:-5 МГц и до самых высоких частот, достигающих десятков мегагерц, применяют избирательные усилители с LC-фильтрами (резонансными контурами).

При работе в диапазоне повышенных частот необходимо учитывать инерционность диода, в основе которой лежит процесс накопления заряда в области базы и эмиттера вблизи р-«-перехода. Инерционность диода, а также наличие емкости Сд приводят к тому, что на очень высоких частотах амплитуды прямого и обратного токов рабочих сигналов становятся соизмеримыми и диод теряет свойство односторонней проводимости. По частотным свойствам высокочастотные диоды подразделяют на две группы: 1) fraax ^ 100 мГц; 2) 300 мГц <: fmax ^ ^ 1000 мГц. На более высоких частотах используются СВЧ-диоды с очень малым радиусом точечного контакта (2 — 3 мкм).

Выбор исполнения лилий глубоких вводов осуществляется на основе технико-экономических расчетов. При этом учитываются следующие данные. Для прокладки воздушной линии 110—220 кВ на генеральном плане предприятия требуется коридор до 30 м, а для кабельной — около 5 м. Воздушные линии дешевле кабельных, но с учетом стоимости -отчуждаемой площади предприятия их экономические показатели становятся соизмеримыми.

Заряды в обеих областях равны по значению и противоположны по знаку. За пределами областей, при х <С dn и х > dp, концентрации свободных носителей заряда становятся соизмеримыми с концентрациями ионов примеси, П-п ~ Л^д и рр « NA, поэтому р = 0.

Хотя на низких частотах ПТ обладают чрезвычайно малой входной проводимостью, на высоких частотах вследствие влияния входной емкости пренебрегать влиянием входной проводимости нельзя. Входная емкость Сзи и немодулированное сопротивление в цепи истока полевого транзистора /?и (см. 16.22,6) образуют ЯС-цепочку, обусловливающую увеличение активной составляющей входной проводимости на высоких частотах. На частотах в сотни мегагерц входные активные проводимости ПТ и БТ становятся соизмеримыми.

Работа однокаскадного усилителя на низких частотах. Эквивалентная схема усилителя на низких частотах представлена на 5.27. На низких частотах нельзя пренебречь реактивными сопротивлениями конденсаторов С1, С'2 и Сэ: ХС1=1/(/ЧоС/); Xcf=l/(l
Избирательные усилители-с LC-фильтрами показаны на 12.8. Эти усилители используются для работы на высоких частотах f 0> 500 кГц. На таких частотах усилители с ЯС-цепями непригодны из-за необходимости применять резисторы и конденсаторы с низкими значениями сопротивлений и емкостей. При этом резисторы начинают заметно нагружать усилитель (шунтируют вход усилителя), а емкости конденсаторов становятся соизмеримыми с паразитными емкостями монтажа, входной и выходной емкостью усилителя, что ухудшает характеристики избирательного усилителя

Большая часть потоков информации в технически развитых государствах в настоящее время обрабатывается в информационных сетях, капиталовложения в которые становятся соизмеримыми с капиталовложениями в энергосистемы и сети, хотя они меньше по абсолютному значению. При этом «информационный взрыв» можно пояснить на следующем примере. В США количество данных, собираемых и обрабатываемых государственными учреждениями, возросло за последние 40 лет более чем в 100 раз, т. е. возрастало примерно в 3,3 раза за каждое десятилетие, в то время как население за 40 лет увеличилось всего в 2 раза. Еще быстрее возрастает потребность в обработке информации для управления производством, в сфере обслуживания, на транспорте, в сельском хозяйстве. Все это показывает настоятельную необходимость перехода к высокопроизводительным формам обработки информации на ЭВМ и в информационных сетях с ЭВМ.

При значительном повышении частоты преобразуемого тока приходится учитывать не только индуктивные и активные сопротивления обмоток, но и емкости между обмотками и магнитными системами, между отдельными частями обмоток, так как токи, протекающие через эти емкости, становятся соизмеримыми с токами, протекающими непосредственно по виткам обмоток. При конструировании трансформаторов приходится поэтому в ряде случаев учитывать емкостную цепь обмоток и регулировать ее (например, ее симметрию) при помощи специальной укладки витков, а иногда путем применения системы металлических экранов.

как слагаемые сотн и - становятся соизмеримыми. Величина k

В диапазоне низких частот сопротивления этих емкостей очень велики и их шунтирующее действие пренебрежимо мало. На высоких частотах емкостные сопротивления становятся соизмеримыми с сопротивлениями входной и выходной цепей лампы и на частотах порядка десятков и сотен мегагерц нарушают нормальную работу триода. Однако и на более низких частотах влияние междуэлектродных емкостей оказывается вредным. Так, например, емкость Сас, образующая нежелательную проводимость между выходом и входом лампы, при работе триода в усилительном режиме может привести к самовозбуждению усилителя.