Сопротивление ползучести

Сопротивление полупроводника подвержено влиянию многих факторов: оно сильно зависит от температуры (с ростом температуры сопротивление уменьшается), зависит от освещения (под действием света сопротивление уменьшается) и т. д.

Диффузионные резне то ры образуются объемным сопротивлением диффузионной области, создаваемой в процессе базовой или эмиттерной диффузии ( 1.18). Для нормальной работы диффузионных резисторов в электрической схеме необходимо, чтобы ограничивающий диффузионную область р — «-переход все время находился под обратным смещающим напряжением. Объемное сопротивление полупроводника в диффузионной области изменяется от наименьшего значения у поверхности подложки до практически бесконечного у границы обедненной области. Поэтому часто оперируют сопротивлением слоя полупроводника, выражающим интегральный эффект. При постоянной толщине слоя. сопротивление резистора пропорционально отношению длины резистора L к ширине w. В самом деле,

Терморезисторы (термисторы) — приборы, сопротивление которых меняется под действием температуры. При изучении физических свойств полупроводников было установлено, что на их электропроводность значительное влияние оказывает температура. Следовательно, замеряя сопротивление полупроводника, можно определить' его температуру. Благодаря этим свойствам терморезистор используется в качестве термометра (термометры сопротивления).

4. /?д — объемное сопротивление полупроводника и контакта (обычно 0<ЯД<100 Ом).

где R — сопротивление полупроводника или диэлектрик т А/ — ширина полосы пропускания.

Эти выражения можно записать в виде / = аЕ, где а = о.пцп+ удельная проводимость полупроводника. Обратная ей величина р = = 1/а = 1/(апцп+qpfjip) есть удельное сопротивление полупроводника [Ом-см] .

На эквивалентной схеме варикапа, показанной на 19, Cgap и гпер — емкость и сопротивление p-n-перехода, лб - сопротивление полупроводника, ?вч и LB2 — индуктивности внутренних и внешних выводов, Ск — емкость корпуса. Варикапы применяют главным образом в схемах перестройки частоты контуров резонансных усилителей и умножения частоты мегагерцового диапазона.

р — удельное сопротивление полупроводника, плотность объемного заряда;

РР, рп — удельное сопротивление полупроводника р- и

Внутренний фотоэффект, сопровождающийся переходами электронов и дырок внутри полупроводника из связанных состояний в свободные, имеет два проявления. Первое из них состоит в том, что в результате появления свободных носителей заряда изменяется сопротивление полупроводника. Фотоприемники, работающие на этом принципе, называются фоторезисторами. Второе проявление заключается в возникновении фото-э. д. с. на границе двух контактирующих материалов. Фотоприемники, основанные на этом явлении, называются вентильными (фотогальваническими) фотоэлементами. Вентильные фотоэлементы являются генераторными преобразователями.

тактные площадки (металлизированные участки, служащие для присоединения внешних выводов), называется кристаллом интегральной микросхемы. В большинстве полупроводниковых микросхем элементы располагаются в тонком (толщиной 0,5 ... 10 мкм) приповерхностном слое полупроводника. Поскольку удельное сопротивление полупроводника невелико (1...10 Ом-см), а элементы должны быть изолированными друг от друга, необходимы специальные изолирующие области.

При относительно низких напряжениях (при которых обычно испытывают на ползучесть) абсолютные величины скоростей малы и их изменения в некоторой окрестности экстремальной точки (по времени это могут быть значительные отрезки, см. 3.9) невелики, что позволяет считать в первом приближении скорость постоянной, т. е. фиксировать участок квазистационарной ползучести; обычно, оценивая сопротивление ползучести (по величине емин), испытания заканчивают с выходом на квазистационарный участок, при этом чем мень-

нические свойства, сопротивление ползучести и длительную прочность.

Вынужденные остановы котлов высокого давления происходят чаще всего из-за повреждения труб пароперегревателей, работающих в наиболее тяжелых условиях. Повреждения труб выходной ступени пароперегревателя, исключая начальный период эксплуатации котлоагрегата, когда идет процесс отбраковки труб с дефектами металлургического и заводского происхождения, обусловлены главным образом перегревом стенки трубы до температур, превышающих расчетную. Однако при незначительных запасах жаропрочности перлитных теплоустойчивых сталей, применяемых для пароперегревателей, даже незначительное превышение расчетных температур резко снижает сопротивление ползучести металла и приводит к разрыву труб.

Опыт эксплуатационного опробования упрочненных труб из стали 12Х1МФ показал, что термообработка повышает как сопротивление ползучести, так и жаростойкость перлитной стали и значительно (в 3—4 раза) увеличивает срок службы труб. Повышение долговечности труб НРЧ котлов приводит к повышению эксплуатационной надежности блоков, а также снижению потребности в трубах и сокращению ремонтно-сварочных работ, связанных с заменой поврежденных труб.

— сопротивление ползучести и одностороннему накоплению циклических пластических деформаций для обеспечения заданного взаимного расположения сопрягаемых элементов (главный разъем, органы системы управления защитой).

щает им высокое сопротивление ползучести при 345 "С (вместо 260 °С);

Легирование сплавов: 1) магниевые — улучшает механические свойства (повышает сопротивление ползучести, прочность при комнатной температуре, жаропрочность, пластичность), литейные свойства. Добавки неодима более эффективны, чем добавки других редкоземельных металлов (лантана, церия, празеодима); 2) алюминиевые —> добавки неодима значительно повышают твердость алюминия.

При испытании на ползучесть (табл. 3.10) лучшие результаты были получены при легировании молибдена хромом. При упрочнении, молибдена дисперсными окислами максимальное сопротивление ползучести было отмечено для сплавов с двуокисью титана или циркония.

Такое дуплексное покрытие обеспечивает высокую работу выхода электронов (4,9—5,0 эВ), имеет высокое сопротивление ползучести и стабильность структуры зерна при рабочей температуре. Массовое содержание примеси фтора в нем не превышает (1—2)10~3%. Дуплексные вольфрамовые покрытия успешно проработали свыше 4-Ю4 ч при 1973 К, плотности тока 10,6 А/см2 и удельной мощности ТЭП 8 Вт/см2 [117]. Чтобы предупредить и уменьшить растворимость вольфрамового покрытия в карбидном топливе, к последнему рекомендуется добавить перед прессованием и спеканием около 4% порошка металлического вольфрама. После спекания в таком топливе свободный вольфрам отсутствует, так как он полностью переходит в соединение UWC2, равномерно распределенное в матрице. Чтобы обеспечить высокие выгорания и предупредить распухание, карбидное топливо приготовляется с 75—79%-ной плотно-

В оловянно-свинцовых сплавах (не содержащих сурьмы) с интервалом составов от ~30%' олова (50%-ная эвтектика) до ~62% олова (100%-ная эвтектика) сопротивление ползучести в диапазоне 50—80% эвтектики (что соответствует 30—50% олова) меняется мало, но возрастает до высоких величин при эвтектическом сплаве. Эвтектический сплав обладает также наибольшим сопротивлением ползучести при 80° С, хотя и не очень сильно превосходит в этом отношении припои с меньшим содержанием олова. Сопротивление ползучести сплавов при 80° С составляет 20—30% этой величины при комнатной температуре.

Испытания на ползучесть показали, что медь, наиболее частая примесь в рыночных припоях, существенно повышает сопротивление ползучести бессурьмянистых припоев, если ее содержание не превышает 0,1%, а при 0,18% медь благоприятно влияет и на сурьмянистые припои. Насколько можно судить, серебро влияет аналогично меди.