Стабилизации параметров

Напряжение стабилизации номинальное при 298 К, 1„ = 5 мА:

Напряжение стабилизации номинальное при 298 К:

Напряжение стабилизации номинальное при

Напряжение стабилизации номинальное

Напряжение стабилизации номинальное при 298 К, 1„= 10 мА:

Напряжение стабилизации номинальное при 298 К, 1„ = 10 мА:

Напряжение стабилизации номинальное при 298 К, /ст= 10 мА:

Напряжение стабилизации номинальное при /ст = 5 м А:

Напряжение стабилизации номинальное при 303 К, /„ = 3 мА:

Напряжение стабилизации номинальное при

Напряжение стабилизации номинальное при 298 К,

Для герметизации используются и неорганические материалы, которые практически не адсорбируют влагу, обладают высокой нагревостойкостью и стойкостью к воздействию механических нагрузок, не выделяют летучих соединений. Из этих материалов изготавливают вакуум-плотные корпуса (металлические, стеклянные, керамические) или наносят защитное покрытие (легкоплавкие халькогенидные стекла, окисные пленки кремния или алюминия, нитриды кремния). Использование таких корпусов усложняет сборку и герметизацию изделий, вызывает повышенный расход материала, затрудняет механизацию процесса. По этим причинам герметизация в вакуум-плотные корпуса с использованием неорганических материалов применяется в тех случаях, когда к изделиям предъявляются особенно жесткие требования. Пленочные защитные покрытия имеют малую толщину (0,5. ..10 мкм) и используются для стабилизации параметров полупроводниковых приборов и ИС на стадии производства.

Герметизация изделий. Бескорпусная герметизация проводится путем нанесения различными методами тонких и сверхтонких покрытий из неорганических и органических материалов. Пленки из неорганических материалов, обладая малой толщиной, значительной пористостью и низкой механической прочностью, выполняют в основном защитно-пассивирующие функции, т. е. подавляют химическую активность поверхностей при контакте с окружающей средой. Однако высокая чистота этих материалов и возможность стабилизации параметров деталей позволяют их широко использовать как промежуточные слои перед нанесением дополнительных полимерных покрытий или перед герметизацией в корпусах.

Вместо отдельных резисторов в цепях эмиттеров транзисторов на практике применяют один общий резистор R3. Он обусловливает отрицательную обратную связь лишь по токам покоя обоих транзисторов (как в каскаде усиления ОЭ, в котором резистор /?э не зашунтирован конденсатором Сэ), что выгодно с точки зрения стабилизации параметров УПТ и снижения дрейфа нуля. Так как при воздействии входного сигнала приращения эмиттерных токов, проходящих через резистор R3, равны, но противоположны по направлению, т. е. А/э1 = — А/Э2, то отрицательная обратная связь по току полезного сигнала поддерживается лишь небольшим сопротивлением связи /?о = = (0,01 - 0,05)/?э.

Изменяя соотношение сопротивлений масштабных резисторов R1 и R2, можно в широких пределах изменять коэффициент усиления. При этом, однако, желательно, чтобы .Ksi <С 0,1/(о» иначе глубина отрицательной обратной связи будет недостаточна для стабилизации параметров усилителя. Неинвертирующий усилитель выполняется по структурной схеме, приводимой на 45, б. Для инвертирующего усилителя коэффициент усиления также зависит от глубины отрицательной обратной связи, осуществляемой по инвертирующему входу: К^2 — R2/R1 -\- 1.

Многие видные советские исследователи, такие, как проф. Н. Е. Жуковский и акад. С. А. Чаплыгин, внесли большой вклад в развитие ветряных двигателей. Однако опыт применения ветряных двигателей для электрификации в сельской местности в нашей стране не дал пока положительных результатов в связи с неравномерностью возможного получения энергии, необходимостью регулирования ветроустановок для стабилизации параметров энергии и рядом других затруднений.

торов на практике применяют один общий резистор R3. Он обусловливает отрицательную обратную связь лишь по токам покоя обоих транзисторов (как в каскаде усиления ОЭ, в котором резистор R3 не зашунтирован конденсатором Сэ), что выгодно с точки зрения стабилизации параметров УПТ и снижения дрейфа нуля. Так как при воздействии входного сигнала приращения эмиттерных токов, протекающих через резистор R3, равны, но противоположны по направлению, т. е. Л/э1 = — Л/Э2, то отрицательная обратная связь по току полезного сигнала поддерживается лишь небольшим сопротивлением связи R0 = (0,01 4-0,05) R3.

Многие видные советские исследователи, такие, как проф. Н. Е. Жуковский и акад. С. А. Чаплыгин, внесли большой вклад в развитие ветряных двигателей. Однако опыт применения ветряных двигателей для сельской электрификации в нашей стране не дал пока положительных результатов в связи с неравномерностью возможного получения энергии, необходимостью регулирования ветроустановок для стабилизации параметров энергии и рядом других затруднений.

Параметры транзистора как усилительного элемента сильно зависят от температуры и режима, и подвержены значительному разбросу, поэтому при проектировании усилителей возникает вопрос стабилизации параметров транзисторных усилителей. Для этого, как правило, стремятся обеспечить стабильность начального ^режима (режима покоя) в требуемом температурном диапазоне при заданном разбросе параметров, чтобы устранить изменения параметров траизисторов, а также нелинейные искажения, которые Могут появиться при изменении начального режима.

Измерения для чистых поверхностей показывают, что в этом случае поверхностная плотность ловушек Л/Пов велика — примерно равна числу атомов на свободной поверхности кристалла (1015 см~2) (см. [6]). В реальных приборах на поверхность полупроводника наносятся тонкие диэлектрические пленки и производится специальная термическая обработка с целью улучшения и стабилизации параметров приборов, а также защиты поверхности. Например, в кремниевых и некоторых арсенид-галлиевых планар-ных приборах и интегральных схемах поверхность покрыта слоем оксида (SiO2) толщиной в десятые доли микрона. При этом возможно снижение плотности ловушек до 1010 см~2 в кремнии и 1012—1013см~3 в арсениде галлия. Поверхностный заряд, обусловленный ловушками, непостоянен, так как число заряженных ловушек изменяется в зависимости от напряженности электрического поля, потенциала и концентрации носителей у поверхности.

Все перечисленные операции могут быть подразделены на основные и вспомогательные. К основным относятся операции, требующие строгой стабилизации параметров процесса. Для лучшей воспроизводимости параметров процесса такие операции, как нагрев, отжиг, газовое травление, охлаждение с температуры травления до рабочей температуры, наращивание эпитаксиального слоя и нанесение окисного покрытия, в установке УНЭС-2П-В автоматизированы и запрограммированы. При этом вспомогательными операциями являются загрузка и выгрузка пластин, продувка реактора в холодном состоянии азотом и водородом, предварительный нагрев и охлаждение подложек.

Для стабилизации параметров интелральных микросхем на МДП-транзисторах применяют специальные методы обработки: