Сопротивление определяемое

шунтирующий добавочное сопротивление, р0ИвСа„„ем добавочного замкнут. В конце хода якоря контакт раз- сопротивления размы-мыкается и сопротивление оказывается вкЛю- кающим контактом

В (9.14) принято, что сопротивление открытого диода V5 близко-к нулю. В действительности же при малых значениях тока это сопротивление оказывается достаточно большим, т. е. реальное зна-чение froT окажется несколько большим определенного из (9.14). При выборе типа транзистора V7 в соответствии с (9.13) может оказаться, что из выпускаемых в данный момент времени транзисторов наибольшее значение р7//к.<>7 будет у транзистора типа п-р-п, например КТ342. В этом случае можно выполнить элемент выдержки времени по схеме 9.3. До запуска элемента транзисторы V4, V8 и VII закрыты, a V12 открыт. С момента начала отсчета выдержки времени открывается транзистор V4, а по истечении выдержки времени открываются транзисторы V8 и Vll, a V12 закрывается. В остальном по принципу действия схема не отличается от схемы на 9.1.

Для фильтра /2 могла бы быть использована аналогичная схема, получаемая дуальным преобразованием фильтра напряжения по схеме, приведенной на 3.26. Однако, если присоединяемая нагрузка имеет малое сопротивление, оказывается более целесообразным применение трансформаторных фильтров /2 (см., например, [16]).

прямого: Ua, /п и обратного; J7n6; /об включения. На участке А В вольт-амперной характеристики дифференциальное сопротивление г является отрицательным: положительному приращению напряжения Л/7 соответствует отрицательное приращение тока А/ — ив результате сопротивление оказывается отрицательным: г ~ • — А Ш А/. Отрицательное сопротивление является дифференциальным и возможно только для сравнительно небольших приращений тока и напряжения. При этом полное сопротивление R0 -- f/o/ /о в любом режиме работы положительно, что свидетельствует о потерях в процессе преобразования энергии. Схема усилителя напряжения (иллюстрирующая принципиальную возможность использования отрицательного сопротивления для усиления напряжения сигнала) приведена на 10, б. В схеме для упрощения опущена цепь питания, устанавливающая режим работы туннельного диода таким образом, чтобы через него протекал постоянный ток /о и падало напряжение Ue (см. 10, а), и таким образом туннельный диод работал бы в режиме отрицательного дифференциального сопротивления г. Если входной сигнал ?/вх достаточно мал, то в цепи протекает некоторый ток / •-

Наоборот, при резком включении достаточно большого прямого тока ( 2.20, б) в первый момент прямое сопротивление оказывается больше, чем в статическом состоянии, и только спустя некоторое время /уст, в течение которого произойдет накопление неосновных носителей заряда в объеме полупроводника, сопротивление и падение прямого напряжения уменьшатся до значений, измеряемых на постоянном токе. При коротком импульсе прямого тока этот процесс может не завершиться, и тогда прямое сопротивление диода будет повышенным.

МДП-ИМС очень широко распространены в вычислительных устройствах, работающих на относительно низких тактовых частотах. В качестве активных элементов обычно применяют МДП-транзисторы с индуцированными каналами, так как они обеспечивают инверсию уровней напряжения логических сигналов. Нагрузками в таких схемах чаще всего служат МДП-транзисторы с индуцированными каналами, характеристики которых являются нелинейными или квазилинейными в зависимости от схемы включения транзистора. При подключении затвора нагрузочного транзистора к источнику* питания стоков его сопротивление оказывается нелинейным. Квазилинейный характер сопротивления нагрузки получается при подключении затвора к автономному источнику с повышенным напряжением.

При больших значениях Q это сопротивление оказывается достаточно большим. В отличие от активной проводимости, которая не

Конденсаторы со структурой металл — окисел — кремний. В качестве конденсаторов часто используют структуру металл — окисел — кремний. Такой конденсатор можно формировать путем металлизации алюминием слоя двуокиси кремния, под которым находится область, формируемая путем эмиттернон диффузии. Эта область и служит нижней обкладкой. Причем ее сопротивление оказывается значительно большего значения, чем сопротивление верхней алюминиевой обкладки. По этой причине емкость конденсатора обладает низкой добротностью (ее значение- уменьшается с повышением частоты). Исключить отмеченный недостаток можно за счет усложнения технологии изготовления, например, используя совмещенную технологию.

мин «статическая эквивалентная схема» заключает в себе известную условность — такую схему можно использовать при анализе режима устройства не только на постоянном токе, т. е. собственно статических режимов, но и при анализе медленно протекающих низкочастотных процессов. Поэтому такие схемы иногда называют эквивалентными схемами для области низких частот. Далее будем использовать термин «статическая схема» как наиболее краткий. Статическую схему получа-чают, исходя из рассмотрения положения аппроксимирующего отрезка в.а.х., что позволяет представить элемент в виде резистора, генератора тока, генератора напряжения или комбинации этих элементов. Динамическую эквивалентную схему получают из статической путем добавления реактивных параметров прибора. Физическая природа этих добавляемых параметров объясняется инерционностью носителей заряда в полупроводнике, возникновением паразитных емкостей между электродами, наличием индуктивности выводов. Последний параметр в импульсной технике обычно не учитывают. Поскольку размеры вывода и его индуктивность невелики, то для частот спектра сигналов, характерных для импульсной техники, индуктивное сопротивление оказывается пренебрежимо малым. Учет реактивных параметров прибора делает динамическую эквивалентную схему пригодной для анализа быстрых процессов, в частности для анализа процессов, возникающих при воздействии на нелинейную цепь фронта импульса.

После выключения транзистора его входное сопротивление оказывается очень большим. На конденсаторе Сф еще существует остаточное напряжение. Он начинает разряжаться через резистор R2.

Из графиков на 16-10 следует также, что при некоторых значениях длины линии входное сопротивление оказывается чисто активным (Явх=0, фвх=0). Длину линии, при которой входное сопротивление активное, называют резонансной.

где а.2 — угол наклона характеристики 10.9,я на участке be; ''экв — сопротивление, определяемое соотношением (10.15).

Для нелинейных элементов наряду со статическим сопротивлением (сопротивление в данной точке характеристики Z = U/I = tg a) рассматривается и динамическое сопротивление (сопротивление, определяемое производной в данной точке Z' = dUldl = tg 3). Как следует из сравнения характеристик, представленных на 5.1, а, б,

Для достижения такой добротности в контур необходимо ввести отрицательное сопротивление, определяемое из соотношения [1,§ 9.12]

ток в стержне пусковой (верхней) клетки; J = I/ . -ток в стержне рабочей (нижней) клетки; /с — ток ротора; х'0 — индуктивное сопротивление, определяемое коэффициентами магнитной проводимости дифференциального и лобового рассеяний пусковой клетки:

где хв — реактивное сопротивление, определяемое магнитным потоком Фв в воздушном зазоре, Ом.

где хы = 2plkJ(bd) — внутреннее реактивное сопротивление системы; А'в — реактивное сопротивление, определяемое магнитным потоком Ф„, проходящим через воздушный зазор h (см. 4-1). Так как шины считаются широкими (b ;> h), то магнитное поле в зазоре равномерно и, как было показано, //п — lib. Тогда магнитный поток в воздушном зазоре

где Zms(, = ^„!su — магнитное сопротивление воздушного зазора; xto — реактивное сопротивление, определяемое магнитным потоком, проходящим через воздушный зазор; Zm2- — магнитное сопротивление загрузки; Z2 — электрическое сопротивление загрузки.

Реактивное сопротивление, определяемое магнитным потоком в воздухе,

где Zc = ~\/~z/y= "J/^(r-f-/o>Lya) (§+/шСУд — волновое (характеристическое) сопротивление, определяемое удельным продольным сопротивлением z и поперечной проводимостью у; у = }f zy— а-(-/Р — коэффициент распространения, определяемый коэффициентом затухания а и коэффициентом сдвига фаз р — углом сдвига фаз между векторами напряжений или токов на единицу длины линии. Напряжение и ток в

КЗ: /K = /ii + /ni. Ток /р=/к//С/. Если /Р>/С,Р) ОТ срабатывает и через выходной орган ОВ подает сигналы на отключение выключателей с обеих сторон элемента. При одностороннем питании, например /ш=0, существует ток_/2ь Можно приближенно принять, что он полностью замыкается через ОТ, не ответвляясь во вторичную обмотку ТА cI_in = Q, так как ее сопротивление, определяемое в основном сопротивлением ветви намагничивания (первичную обмотку этого ТА следует считать как бы разомкнутой), обычно больше сопротивления обмотки ОТ. Поэтому /Р« «/21, и защита в случае /Р^/с,Р также срабатывает. В об-

На 1.15, а показаны ИМС (кристалл) и ее корпус (без верхней крышки). Корпус определяет общее тепловое сопротивление между верхней поверхностью кристалла и окружающей средой. Наличие под кристаллом основания корпуса, с которым кристалл непосредственно соприкасается, влияет на распределение температуры по верхней поверхности кристалла, а следовательно, и между отдельными элементами ИМС. На 1.15, б изображена упрощенная физическая модель, содержащая кристалл 2, смонтированный на основании корпуса 3, которое в свою очередь смонтировано на изотермической подложке 6. Чтобы иметь возможность регулировать внешнее тепловое сопротивление, определяемое окружающей средой, между основанием корпуса и подложкой установлена теплопроводящая прокладка 5. Тепловые характеристики остальных элементов корпуса ИМС смоделированы в виде полосы 4, проходящей по наружному краю прямоугольного блока. Источниками тепла являются транзисторы (группы транзисторов) 1, созданные на кристалле.