Способствует увеличению

ния необходимо задержать повышение давления пара, что достигается за счет полного открытия ПСБУ (БРОУ и РОУ) при растопке котла. Этим приемом пользуются и при других видах пусков. Кроме того, полное открытие ПСБУ способствует ускорению прогрева главных паропроводов, предшествующего началу прогрева АСК~ Момент включения ПСБУ определяется исходным тепловым состоянием котла, паропроводов и турбины.

Проектирование современных БИС и СБИС носит системный характер и охватывает проектирование архитектуры, логики, электрической схемы, топологии. Важная роль при этом отводится алгоритмическому проектированию. Комплекс мер по разработке методов проектирования отдельных этапов при разработке БИС, их алгоритмизации, создание быстродействующих процессорных и интерактивных устройств, в том числе работающих в диалоговом режиме, позволили реализовать САПР, обеспечивающие разработку БИС от выдачи ТЗ на проектирование до разработки комплектов конструкторской и технологической документации и подготовки производства для их изготовления. Дальнейшее совершенствование проектирования БИС и СБИС идет по пути их автоматизации, сквозного охвата всего цикла производства, разработки заказных систем с целью сокращения сроков разработки и тем самым снижения стоимости БИС и СБИС. Это также способствует ускорению развития изделий функциональной микроэлектроники — оптоэлектроники, акустоэлектроники и др.

Это вызывает соответствующее увеличение тока ротора генератора, что способствует ускорению восстановления ЭДС генератора.

При ведении плавки большую роль играет циркуляция расплавленного металла в ванне печи, которая возникает от электродинамических усилий при взаимодействии токов в индукторе и металле. Направления этих токов противоположны друг Другу, и возникают силы, которые приводят к выдавливанию металла от стенок тигля к центру; в результате поверхность ванны расплавленного металла в центре вспучивается и металл находится в состоянии непрерывного движения. Циркуляция металла (см. 3.13) способствует ускорению химических процессов между компонентами расплава и шлаком и выравниванию состава расплава. Для уменьшения высоты мениска и уменьшения количества шлака для покрытия поверхности ванны центр катушки индуктора сдвигают вниз по отношению к центру металла в тигле печи таким образом, чтобы верхний виток катушки был ниже уровня зеркала металла на 100—200 мм. Особенно большой сдвиг делают в печах промышленной частоты, где циркуляция металла наиболее интенсивна.

Следствием малого объема шнура, по которому происходит тепловой пробой, является также малая инерционность процесса теплового пробоя реальных диодов. Тепловые постоянные времени нагрева и охлаждения шнура могут быть порядка 10~6—10~7 с. При этом еще надо учесть, что при тепловом пробое напряжение на диоде; уменьшается и барьерная емкость р-/г-перехода диода разряжается через сопротивление шнура с выделением добавочной мощности в шнуре. Это явление способствует ускорению разогрева шнура и уменьшению инерционности процесса теплового пробоя.

На 8.4 показано экспоненциальное изменение напряжения, соответствующее применению простейших средств сглаживания (индуктивность, емкость). Однако характер зависимости времени t от начального напряжения U0 сохраняется и при применении фильтров. Поэтому уменьшение начального запирающего напряжения способствует ускорению срабатывания «уль-индикатора. С этой точки зрения ограничение напряжения иа нуль-индикаторе полезно.

ние субграниц в теле ферритных зерен способствует ускорению процесса порообразования.

диффузионных процессов, что способствует ускорению ползучести (накоплению пластической деформации и повреждений). Так, например, испытания сталей 12МХ и ЭИ-257, проведенных при циклических изменениях температуры, показали, что колебания температуры с амплитудой ±25 °С с периодом 1 ч приводит к снижению пределов ползучести и длительной прочности: для стали 12МХ предел ползучести при 510°С ±25 °С на 17% ниже полученного для постоянной температуры 510 °С, а соответственно предел длительной прочности ниже на 13%. Для стали ЭИ-257 получено при 600 °С +25 °С снижение сопротивления ползучести на 14%, а длительной прочности — на 15%.

шей степени. После облучения уменьшается коэффициент деформационного упрочнения, т. е. уменьшается разница между значениями пределов текучести и прочности материала. Это способствует ускорению начала пластической неустойчивости и снижению величины равномерного и общего удлинения.

Изменение фирмы сечения рабочей камеры путем гкруглеиия одной из ее стенок способствует ускорению процесса обработки, так как исключаются дополнительные завихрения в верхней части камеры.

• камеры путем гкруглеиия одной из ее стенок способствует ускорению процесса обработки, так как исключаются дополнительные завихрения в верхней части камеры.

Общие положения. Регулированием частоты вращения называется ее принудительное изменение в зависимости от требований производственного процесса. В условиях автоматизации и механизации процессов бурения, добычи и транспорта нефти и газа необходимо обеспечить регулирование частоты вращения многих механизмов в заданных пределах. В настоящее время доказано, что регулирование частоты вращения способствует увеличению производительности труда, улучшению качества продукции и экономии электроэнергии. В качестве примера механизмов, для которых требуется регулировать частоту вращения, можно привести буровые насосы, станки-качалки, центробежные нагнетатели.

используемых человеком для связи с ЭВМ, начинается практическая реализация голосовой связи с ЭВМ. Использование БИС позволяет аппаратурными средствами реализовать некоторые функции программ операционных систем (аппаратурная реализация трансляторов с алгоритмических языков высокого уровня и др.), что способствует увеличению производительности машин.

Аналогичным образом применяется бесфлюсовая вибрационная пайка кристаллов ИМС с использованием в качестве припоя легкоплавких металлов и сплавов. В этом случае на тыльную поверхность кристалла наносят любым известным способом (вакуумное осаждение, электрохимическое покрытие и т. п.) слой металла, хорошо смачивающегося легкоплавким припоем (например, золото с подслоем никеля), либо слой легкоплавкого припоя (например, сплав олово — висмут, сплав ПОС-61). Вибрационная пайка предваряется иногда процессом лужения обратной металлизированной поверхности кристалла тем же самым легкоплавким припоем (иногда применяют нерекционноспособный флюс типа ФКСП). Введение вибраций в расплав олова способствует увеличению центров рекристаллизации, а следовательно, получению мелкозернистой структуры.

Зарядные кривые it-u(t) или /'=/(/) имеют для эксплуатации АБ существенное значение. При эксплуатации свинцово-кислот-ных АБ руководствуются следующим принципом: АБ недопустимо разряжать полностью или оставлять частично заряженной в течение длительною промежутка времени, ее необходимо заряжать как можно раньше после окончания режима разряда. Строгое соблюдение этого принципа способствует увеличению ресурса АБ. Если свинцово-кислотная А Б перезаряжена, то активное вещество положительных электродов может разрыхлиться. В недозаряженной АБ имеет место пониженная емкость, что приводит к увеличению скорости выделения водорода (в промежуточной реакции при разомкнутой внешней цепи электродов) и явлению сульфатации электродов, избыток серы на которых затем очень трудно устранить.

В частности, при замене А1Л на А,.,.,,, в (2.128) появляется сомножитель (1— j^)1'3, снижающий WfjWz. Благодаря большой поверхности тора можно допустить /Т>./Б, что способствует увеличению W^IW^. Однако при этом, как отмечалось, требуется более мощный источник питания.

Как было показано выше, ООС по току способствует увеличению выходного сопротивления усилителя. Для параллельной ООС по току /?вых ос увеличивается пропорционально возрастанию Ft.

Моменту времени, при котором выполняется равенство (4.48), соответствует неустойчивый линейный режим усилителя компаратора. При этом наклон переходной характеристики определяется собственным коэффициентом усиления усилителя Кц- Поэтому отсутствие в ОУ отрицательной обратной связи способствует увеличению скорости переключения компаратора.

В момент включения источника питания в анодной цепи лампы появляется ток ia, который заряжает конденсатор С и вызывает колебательный ток в контуре LC. Переменный ток ilf протекающий через катушку L, создает в катушке обратной связи LCB напряжение возбуждения лампы. Это напряжение, воздействуя на анодный ток, способствует увеличению амплитуды первой гармоники анодного тока, что приводит к возрастанию тока в контуре и к новому нарастанию напряжения возбуждения ( 7.4, б), которое влечет за собой новое

ТУР А,эф = 0,014...0,017 мВт/'(м-К), а масса их в несколько раз меньше массы порошковых материалов. Алюминиевая фольга имеет высокую отражающую способность, малую массу, низкую стоимость. Для изготовления экранов используют мягкую фольгу, отожженную при температуре 400...450 °С и имеющую шероховатость поверхности Rz = 0,025 ...0,05. Для снижения степени черноты содержание примесей в алюминии не должно превышать 0,5%. Фольга тоньше 5 мкм имеет малую прочность, а толще 15 мкм — способствует увеличению теплового потока по твердому телу.

степени истечения изотопа счетчиком Гейгера. Так как получить абсолютно герметичный шов практически невозможно, то после герметизации блок заполняется каким-либо осушенным инертным газом (азотом, аргоном, гелием) под избыточным давлением (0,03...0,06 МПа). Выравнивание давления в гермокорпусе и наружной среде происходит в течение 8... 10 лет, что препятствует натеканию влаги из внешней среды внутрь гермокорпуса (при наличии снаружи парциального давления паров влаги, большего, чем внутри гермокорпуса, и при размере микропор, большем диаметра молекул влаги, влага может натекать из внешней среды внутрь гермокорпуса даже при наличии в нем избыточного давления осушенного инертного газа). Увеличение давления заполняющего гермокорпус газа способствует увеличению времени защиты от внешней среды, но оболочка корпуса должна быть более прочной и, следовательно, более массивной.

В режиме обогащения ( 3.6, а) границы энергетических зон вблизи поверхности полупроводника n-типа изгибаются вниз. Это приводит к возникновению электрического поля, которое способствует увеличению концентрации электронов на поверхности, т. е. к появлению в узком обогащенном слое объемного заряда Q/i (отнесенного к единице поверхности). Если к МДП-структуре прикладывать соответствующее внешнее электрическое поле, притягивающее к поверхности электроны, то можно обеспечить режим обогащения в приповерхностном слое полупроводника. При этом тип электропроводности этого слоя сохранится, но его удельная проводимость повысится по сравнению с подложкой.