Способствует дальнейшему

Авторы выражают глубокую благодарность лауреату Ленинской премии, заведующему кафедрой интегральной электроники МИРЭА, д-ру техн. наук, проф. Я. А. Федотову и коллективу кафедры «Физико-химические основы технологии микроэлектроники», МИЭТ, возглавляемой заслуженным деятелем науки и техники РСФСР, д-ром техн. наук, проф. Ю. Д. Чистяковым, за ряд полезных замечаний, способствовавших улучшению содержания книги.

Авторы глубоко признательны проф. В. Ю. Ломоносову и доктору техн. наук Л. И. Столову за множество ценных замечаний и советов, способствовавших улучшению книги.

Автор признателен рецензентам — доцентам кафедры автоматизированного электропривода Московского энергетического ин-та В. М. Терехову и В. А. Елисееву, а также доценту кафедры электрификации и автоматизации Ленинградского электротехнического ин-та А. И. Бычкову за ряд полезных замечаний и рекомендаций, способствовавших улучшению пособия.

Автор признателен рецензентам — доцентам кафедры автоматизированного электропривода Московского энергетического ин-та В. М. Терехову и В. А. Елисееву, а также доценту кафедры электрификации и автоматизации Ленинградского электротехнического ин-та А. И. Бычкову за ряд полезных замечаний и рекомендаций, способствовавших улучшению пособия.

Автор выражает свою признательность рецензенту настоящего издания, доктору техн. наук, проф. Р. И. Караеву за ряд ценных замечаний и советов, способствовавших улучшению книги.

доценту Л. И. Столову за множество ценных замечаний и советов, способствовавших улучшению книги.

Автор глубоко признателен коллективу кафедры теоретической электротехники Московского ордена Ленина авиационного института имени Серго Орджоникидзе и рецензентам проф. В. Ю. Ломоносову и доц. Л. И. Столову за множество ценных замечаний и советов, способствовавших улучшению книги.

В предисловии к предыдущему изданию автор о благодарностью отметил МНОРОЧИО-ленные исключительно полезные замечания и советы, полученные им как от членов кафедры «Электрические системы» МЭИ, так и от многочисленных читателей книги в Советском Союзе и ряде других стран, где она была переведена и издана. Автор также хочет поблагодарить рецензента книги докт, техн. наук, проф. Д. П. Ледянкина, докт. техн. наук, проф. И. В. Литкенс и ианд, техн. наук, доц. Е. В. Путятина, активно способствовавших улучшению книги.

Авторы выражают глубокую благодарность рецензентам: кафедре энергетики Всесоюзного заочного политехнического института (зав. кафедрой д-р техн. наук, проф. М. Г. Ибрагимов), д-ру техн. наук, проф. Е. П. Рязанцеву, канд. техн. наук Коночкину В. Г. за ряд ценных советов и замечаний, способствовавших улучшению книги.

Авторы выражают благодарность рецензентам: коллективам кафедры электротехники и компьютеризации электромеханических систем Московского государственного технического университета (МАМИ) (зав. кафедрой — д-р техн. наук, проф. Б.И. Пет-ленко) и кафедры электротехники и электропривода Московского государственного строительного университета (МГСУ) (д-ру техн. наук, проф. Г.Е. Иванченко), сделавшим ряд важных замечаний и рекомендаций, способствовавших улучшению пособия.

Авторы считают своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность рецензенту доктору техн. наук Г. Б. Онищенко за ряд полезных замечаний, способствовавших улучшению книги. Авторы признательны инж. О. Б. Бабийчук за большую помощь в оформлений рукописи.

Считаю своим долгом выразить глубокую благодарность коллективам кафедры электротехники, электроники и электроавтоматики Московского Государственного Университета инженерной экологии (зав. кафедрой — д-р техн. наук, проф. Г. А. Кардашев) и кафедры электротехники и электропривода Московского государственного строительного университета (зав. кафедрой — д-р техн. наук, проф. Г. Е. Иванченко), сделавшим при рецензировании пособия ряд ценных замечаний и рекомендаций, способствовавших улучшению его содержания.

В нашей стране создана мощная электропромышленность, которая обеспечивает все отрасли народного хозяйства высококачественными электрическими машинами, аппаратами управления и защиты и измерительными приборами. Растет из года в год и мощность энергетической базы СССР. Все это способствует дальнейшему развитию и совершенствованию электропривода.

состоянии транзистор Т\ заперт, а транзистор T-i открыт и находится в состоянии насыщения, так как через резистор R3 проходит достаточно большой базовый ток /62. За счет эмиттерного тока транзистора Г2 на общем резисторе R3 создается падение напряжения U3 = l3iR, с указанной на рисунке полярностью, а за счет источника питания ?к на нижнем плече делителя R\R2 — падение напряжения UR2. При выполнении условия t/3> >\URi\ на базу транзистора Т\ подается положительное напряжение t/6i, запирающее его. Конденсатор С при этом оказывается заряженным до напряжения ис = = Ек — U3. При подаче на вход одновибратора в момент времени /, (см. 6.26, б) запускающего отрицательного импульса с амплитудой, превышающей напряжение на базе ( (Увх > U6\ \), транзистор Г, начинает открываться и напряжение на его коллекторе увеличивается. Положительное приращение напряжения передается через конденсатор С на базу транзистора Г2, запирая его. Уменьшение падения напряжения на резисторе R3 способствует дальнейшему отпиранию транзистора Т\, и процесс нарастает лавинообразно, заканчиваясь полным запиранием транзистора 7*2 и насыщением транзистора Т\.

нению с биполярными ИМС в первую очередь связана с меньшими размерами элементов. Кроме того, малые размеры и небольшая потребляемая мощность даже достаточно сложных МДП-ИМС дают возможность широко применять резервирование или мажоритарную логику, что способствует дальнейшему повышению надежности. Однако главная причина повышения надежности МДП-ИМС обусловлена значительным уменьшением числа межэлементных соединений.

Разработанная и внедряемая на промышленных предприятиях информационно-измерительная система учета и контроля энергии способствует дальнейшему повышению надежности, качества и экономичности электроснабжения промышленных предприятий и других объектов народного хозяйства.

ностью, а за счет источника питания Ек на нижнем плече делителя Л,К2 - падение напряжения URi. При выполнении условия 11/э > UR21 на базу транзистора Т{ подается положительное напряжение 1/б1, запирающее его. Конденсатор С при этом оказывается заряженным до напряжения Uc = = Ек — U3. При подаче на вход одновибратора запускающего отрицательного импульса с амплитудой, превышающей напряжение на базе ( 1/вх > 117611), транзистор Т, начинает открываться и напряжение на его коллекторе увеличивается. Положительное приращение напряжения передается через конденсатор С на базу транзистора Т2, запирая его. Уменьшение падения напряжения на резисторе R3 способствует дальнейшему отпиранию транзистора 7V Процесс нарастает лавинообразно, заканчиваясь полным запиранием транзистора Т2 и насыщением транзистора Т{ (квазиустойчивое состояние). Это состояние, как известно, не является устойчивым, так как постепенный перезаряд конденсатора С приводит к уменьшению напряжения на нем до нуля и отпиранию транзистора Т2. Лавинообразный процесс опрокидывания схемы возвращает одновибратор в исходное устойчивое состояние.

вичной обмотке трансформатора W\, вызывает в его вторичной обмотке W2 ток iz. Если для упрощения принять W, «= W2, что в практике часто имеет место, и считать, что за короткое время нарастания тока га энергия, запасенная в трансформаторе, не успевает существенно измениться, то можно записать i\ = iz- Ток 12 протекает через соединенные параллельно резистор R, паразитную емкость Са, промежуток сетка — катод лампы и заряжает конденсаторы С и С2. Так как С2<'С, то за короткое время нарастания токов fi и /2 конденсатор С практически не успевает зарядиться, тогда как конденсатор С2 заряжается достаточно быстро, на сетке лампы растет положительное напряжение, что способствует дальнейшему, еще большему увеличению токов ia = ''i, '2 и т. д.

размерами элементов. Кроме того, малые размеры и небольшая потребляемая мощность даже достаточно сложных МДП-ИМС дают возможность широко применять резервирование или мажоритарную логику, что способствует дальнейшему повышению надежности. Однако главная причина повышения надежности МДП-ИМС обусловлена значительным уменьшением числа межэлементных соединений.

Полупроводниковая электроника использует свойства кристаллической решетки веществ, перемещение и распределение зарядов под действием электрических и магнитных полей внутри кристалла. На основе этого созданы разнообразные полупроводниковые приборы — диоды и транзисторы различного назначения, позволяющие уменьшить вес и габариты аппаратуры, увеличить ее долговечность и надежность. Открытие и разработка новых полупроводниковых материалов способствует дальнейшему развитию радиотехники.

Универсальное применение находит высокочастотный нагрев на стадии предварительного подогрева таблетированных реактопластов в технологических процессах производства изделий из пресс-порошков, стеклопластиков, древесных пластиков. Основное преимущество этой технологической операции заключается в том, что после высокочастотного .нагрева материала имеют заданную температуру и обладают необходимой технологической текучестью во всем объеме, что способствует дальнейшему быстрому и качественному прессованию изделий в горячей пресс-форме.

При этом ток на выходе находится в противофазе с током на входе. Из этого следует, что, например, при увеличениитокаконтура iK увеличивается ток г'вх на входе усилителя. Усиленный ток на выходе гвых становится отрицательным, что способствует дальнейшему увеличению тока гк, т. е. нарастанию амплитуды колебаний. Таким образом, вследствие влияния туннельного диода обратная связь получается положительной. Такую обратную связь в автогенераторах иногда называют внутренней. В -противоположность этому, например, в ламповом генераторе (см. 24.2) имеется внешняя обратная связь.

Мультивибратор с трансформаторным входом, состоящий из двух транзисторов и трансформатора на ферритовом сердечнике { 3.12,а), работает следующим образом. После подключения напряжения питания Un вследствие неидентичности транзисторов в коллекторной цепи одного из них VT1 (через соответствующую коллекторную обмотку wK) начинает проходить ток tKi, когда второй транзистор VT2 еще закрыт. При этом сердечник перемагничи-вается и в базовых обмотках wq индуцируются ЭДС. Полярность включения обмоток а>б такова, что одна из этих ЭДС способствует дальнейшему возрастанию коллекторного тока первого транзистора, а другая — закрыванию второго транзистора. Когда рост магнитного потока замедляется из-за насыщения сердечника, индуцированные ЭДС уменьшаются. Вследствие этого коллекторный ток открытого транзистора снижается и происходит процесс спадания магнитного потока, при котором ЭДС обмоток w& изменяют свое направление, открывая ранее закрытый транзистор VT2 и закрывая открытый транзистор VT1. Сердечник перемагничивается в противоположном направлении. При его насыщении ЭДС обмоток \we уменьшаются, а затем изменяют направление, т. е. описанный процесс повторяется. Он иллюстрируется графиками, показанными на 3.12, б.