Способных преодолеть

Современные МП и микроЭВМ строятся по двум структурно-технологическим принципам управления выполнением операций: однокристальные с фиксированной системой команд (схемное, или аппаратное управление), многокристальные специализированные МП с микропрограммным управлением и с изменяемой разрядностью слова (гибкая логика управления). Главное отличие' между этими двумя способами управления состоит в том, что при первом способе программист (пользователь) имеет возможность самостоятельно и легко изменить содержание программы работы МП, а при втором — изменение связано с созданием нового кристалла МП. Возможность микропрограммирования значительно упрощает программное обеспечение и быстродействие МП. Однако составление и отладка микропрограмм для многих прикладных задач оказываются чрезвычайно трудоемкими, так как математическое обеспечение микро-ЭВМ все еще недостаточно развито для широкого применения микропрограммирования.

В соответствии с различными способами управления различают следующие системы радиоуправления полетом снаряда: системы автономного управления, системы самонаведения, системы телеуправления и системы комбинированного управления.

Каскадные электроприводы с асинхронными двигателями с фазным ротором в отличие от асинхронных электроприводов с параметрическими и импульсными способами управления целесообразно применять в установках средней и большой мощности, работающих в продолжительном режиме при относительно небольших диапазонах регулирования. К таким установкам относятся, например, воздуходувки, центробежные насосы, шахтные вентиляторы, приводы бумажных машин, шаровые мельницы и др.

Увеличение допустимой частоты включений достигается Независимой вентиляцией двигателя, действующей одинаково интенсивно в течение всего цикла работы электропривода. Существенного увеличения допустимой частоты включений можно добиться за счет уменьшения потерь энергии в переходных процессах. В этом отношении наибольший ьффект дает частотное управление асинхронным двигателем с коротко-замкнутым ротором по сравнению с другими способами управления.

Системы управления двигателями могут выполняться с различными способами пуска и торможения, автоматического регулирования скорости, напряжения и тока, а также с другими способами управления.

Таким образом, изменение емкости конденсатора может быть получено двумя принципиально различными способами управления — механическимиэлектрическим.

В реакторах с перегрузкой топлива во время остановок, кампания которых продолжается 1—2 года, перспективным способом регулирования является введение выгорающих поглотителей. Эти поглотители вводятся в виде специальных блоков (аналогичных твэлам) в сборки со свежим топливом и помещаются в реактор. При работе реактора происходит выгорание топлива и снижение реактивности. Одновременно за счет захвата нейтронов происходит превращение ядер поглотителя в ядра с меньшим захватом нейтронов (этот процесс называется выгоранием поглотителя). Выгорание поглотителя приводит к некоторому увеличению реактивности и при соответствующем подборе количества выгорающего поглотителя можно добиться того, чтобы значительную часть кампании реактивность оставалась приблизительно постоянной. Естественно, что выгорающие поглотители не могут служить для оперативного управления реактором и должны применяться совместно с другими способами управления. Выгорающие поглотители при соответствующем их размещении в активной зоне могут также служить для выравнивания поля энерговыделения. В реакторах, у которых перегрузка происходит «на ходу», выгорание топлива компенсируется внесением свежего топлива и выгорающие поглотители не применяются.

Возможными способами управления выключателями является местное (ручное) — выключатель включается или отключается на месте установки; дистанционное — выключатель включается или отключается на расстоянии, со щита управления.

по проблеме оптимизации автоматизированных приводов: развитие и совершенствование методов и технических средств систем автоматизации проектирования, в том числе автоматизации выбора оптимальных технических решений; развитие работ по созданию оптимальных по быстродействию, точности воспроизведения траекторий, энергопотреблению, надежности и другим показателям электроприводов на базе перспективных типов электродвигателей постоянного и переменного тока с различными способами управления и преобразования энергии; развитие работ по созданию адаптивных (самоприспосабливающихся, самонастраивающихся) электроприводов с различными видами идентификаторов (образцов);

10-7. Момент срабатывания триггеров с разными способами управления: а— статическим; б—прямым динамическим (по фронту 0,1);

Простейшими способами управления транзисторными ключами, при которых изменяется структура силовой цепи инвертора, являются способы с а = 120° и ос = 150°. Последовательность управления транзисторными ключами при а = 120° следующая: 12, 23, 34, 45, 56, 61. При а = 150° транзисторные ключи переключаются в такой последовательности: 12, 123, 23, 234, 34, 345, 45, 456, 56, 561, 61, 612. Электромагнитные и электромеханические характеристики систем при простейших способах управления инвертором достаточно подробно освещены в литературе [6, 11, 30, 35]. Общим недостатком эгих способов является необходимость применения управляемого выпрямителя для изменения напряжения на выходе инвертора.

При обратном напряжении на р — n-переходе возрастает потенциальный барьер между р- и n-областью, поэтому уменьшается количество основных носителей, способных преодолеть этот барьер. Под действием электрического поля основные носители будут оттягиваться от приконтактных слоев в глубь полупроводника. В этом случае заполнение рекомбинационных ловушек электронами зоны проводимости уменьшается и одновременно ослабляется процесс рекомбинации. Число свободных центров рекомбинации возрастает, что увеличивает число переходов электронов из валентных связей в рекомбинационные центры и приводит к образованию дырок. Обратный переход (рекомбинация) электронов в валентную зону затрудняется, так как образовавшиеся дырки уносятся внешним электрическим полем за пределы области объемного заряда.

При прямом смещении высота потенциального барьера снижается на величину eU. В результате возрастает поток основных носителей заряда, способных преодолеть снизившийся потенциальный барьер ( 2.25, б).

При обратном смещении высота потенциального барьера возрастает на величину ell ( 2.25, в). В результате поток основных носителей заряда, способных преодолеть потенциальный барьер, резко уменьшается и уже при обратных напряжениях, больших — 0, 1 В, диффузионные потоки основных носителей можно считать пренебрежимо малыми. Обратный ток перехода образуется неосновными носителями заряда, находящимися в пределах слоя толщиной Ln и Lp (см. 2.22,г). Неосновные носители заряда, находящиеся на расстояниях, больших Ln и Lp, рекомбинируют раньше, чем дойдут до границы обедненного слоя перехода, и в образовании обратного тока участвовать не будут. Слои толщиной Ln и Lp непрерывно обедняются неосновными носителями заряда, которые захватываются полем перехода и перебрасываются в противоположные области (см. 2.22, г). В результате образуется градиент концентрации неосновных носителей заряда и возникают диффузионные потоки электронов в р-области и дырок в n-области в направлении к переходу:

Принцип действия диодов и других электровакуумных приборов основан на использовании явления термоэлектронной эмиссии катода. Эмиссионная способность катода зависит от состояния его поверхности и температуры катода. Необходимая температура катода обеспечивается нитью накала Н. При нагревании катода наблюдается рост энергии электронов в нем. Это приводит к увеличению числа электронов, способных преодолеть силы притяжения и вылететь с поверхности катода. При подаче между анодом и катодом диода положительного напряжения в промежутке между анодом и катодом создается ускоряющее электрическое поле и возникает электрический ток.

Под действием электрического поля, создаваемого внешним источником [7обр, основные носители оттягиваются от прикон-тактных слоев вглубь полупроводника. Как видно из 16.8,6, это приводит к расширению р-и-перехода (h'>h). Потенциальный барьер возрастает и становится равным U6=UK+Uo6p. Число основных носителей, способных преодолеть действие результирующего поля, уменьшается. Это приводит к уменьшению диффузионного тока, который может быть определен по формуле

Это, в свою очередь, приводит к уменьшению числа основных носителей заряда, способных преодолеть потенциальный барьер, т. е. к снижению диффузионного тока. Изменение диффузионного тока происходит по экспоненциальному закону

ная отличительная особенность СИТ — выходная ВАХ без насыщения тока стока (без пологой области). Если напряжение на затворе отсутствует, то сопротивление канала минимально (СИТ нормально открытый транзистор) и с ростом напряжения [/си ток стока увеличивается, но ограничения /с не наступает. Количественные параметры малый затвор, короткий канал — приводят к качественному изменению физических процессов в канале СИТ по сравнению с ПТУП с горизонтальным каналом. Фактически в СИТ влияние напряжения стока на канал противоположно этому влиянию в ПТУП: с ростом Vсл\ напряженность тормозящего поля у истока уменьшается, соответственно снижается потенциальный барьер Дф для электронов в канале. Поток электронов, способных преодолеть потенциальный барьер Аф, увеличивается, в результате ток растет с ростом напряжения [/си . Распределе-потенциала Аф вдоль канала

Основная масса дырок из р-слоя, где их много, диффундирует слева направо в область перехода, но не может преодолеть потенциальный барьер и, проникнув в переход на некоторую глубину, снова возвращается в р-слой. Дырки n-слоя, как «пузырьки», легко «всплывают» по дну валентной зоны независимо от энергии в р-слой и образуют дрейфовый поток справа налево. Этот поток уравновешивается встречным диффузионным потоком дырок р-слоя, имеющих большую энергию и способных преодолеть потенциальный барьер. Аналогичная картина в движении электронов: электроны р-слоя свободно скатываются в п-слой — это дрейфовый ток. Этот электронный поток уравновешивается потоком электронов n-слоя, обладающих большой энергией. При приложении прямого напряжения потенциальный барьер понижается и появляются диффузионные токи как дырок, так и электронов, т. е. увеличивается инжекция неосновных носителей: дырок в «-область, электронов в р-об-ласть.

Рассмотрим теперь свойства р-п перехода, к которому подведено обратное внешнее напряжение ( 3.7, а). При этом электрическое поле, создаваемое источником, совпадает с полем р-п перехода. Потенциальный барьер между р- и л-областями возрастает. Он теперь становится равным срк+ U. Количество основных носителей, способных преодолеть действие результирующего поля, уменьшается. Соответственно уменьшается и ток диффузии основных носителей заряда. Под действием электрического поля, создаваемого внешним источником, основные носители будут оттягиваться от приконтактных слоев в глубь полупроводника. В результате ширина р-п перехода увеличивается ( 3.7, б).

Энергетический зазор между валентной зоной и зоной проводимости на так называемой энергетической диаграмме у полупроводников имеет порядок 1 электронвольта (у германия 0,72-36, у кремния 1,11 эв), т. е. значительно меньше, чем у диэлектриков. Поэтому при комнатной температуре у полупроводников большее количество электронов, чем у диэлектриков, способно преодолеть этот зазор и перейти в зону проводимости. При этом в валентной зоне образуются незанятые электронами места, т. е. положительные дырки. Этот процесс схематически показан на 1-17, а на модели решетки кристалла и на 1-17, б на энергетической диаграмме. Электроны в зоне проводимости и дырки в валентной зоне определяют электропроводность полупроводника. Удельное сопротивление чистого германия при t = 20° С имеет порядок р = 0,6 ом-м,в то время как • такой диэлектрик, как слюда, имеет р = 9 • 1013 ом-м. С возрастанием температуры увеличивается количество электронов, способных преодолеть энергетический зазор, и вследствие этого удельное сопротивление чистого германия убывает с ростом температуры, т. е. чистый германий имеет отрицательный температурный коэффициент сопротивления.

Это, в свою очередь, приводит к уменьшению числа основных носителей заряда, способных преодолеть потенциальный барьер, т. е. к снижению диффузионного тока. Изменение диффузионного тока происходит по экспоненциальному закону