Спектральной зависимости

3.8. Амплитуда спектральной составляющей с частотой со0 увеличится в 1 + A/t/m= 1,2 раза, амплитуды колебаний боковых частот останутся прежними, а парциальные коэффициенты модуляции уменьшатся в 1,2 раза.

3.12. Девиация частоты ЧМК равна 5 кГц. Определить минимальную частоту модуляции, при которой амплитуда спектральной составляющей с частотой несущей равна нулю.

биений между любой спектральной составляющей помехи и сигналом. Подставляя значение k Нч(Л из выражения (3.32), получаем:

этого сигнала, а сами колебания— спектральными или гармоническими составляющими сигнала. Спектральной составляющей является также и постоянная составляющая, которую можно рассматривать как предельный случай гармонических колебаний с нулевой частотой:

нического сигнала его спектр состоит из одной спектральной составляющей. В общем же случае спектр сигнала занимает некоторую полосу частот от /min До /max. Ширина диапазона частот, занимаемого спектром сигнала, называется шириной спектра &Fc = fmnx — /min-Согласно выражению (12) при гармонической модуляции в спектре АМ-сигнала /mln=f0 — F, fmia=fo + F, и ширима такого спектра kFG = 2F, где /•' — частота модуляции. Если управляющий сигнал не гармонический, а сложный, то его спектр занимает полосу частот от Fmin до /•'max- В этом случае спектр АМ-сигнала имеет, очевидно, две боковые полосы частот: нижнюю боковую

Линейные искажения сигнала могут быть обусловлены также Фаговыми сдвигами его гармонических составляющих. Здесь покачано измечевие формы выходного сигнала и'(') по отношению к входному u(t), обусловленное изменением начальной фазы спектральной составляющей с периодом fj—TVS при неизменных вмплитулах обеих составляющих. Это изменение формы сигнала означает его фазовые искажения

В общем случае перенос спектра может достигаться изменением частоты каждой спектральной составляющей на некоторую величину со0 ( 86, а) или умножением (делением) частоты каждой спектральной составляющей в m раз ( 86, б).

86. Перенос спектра сигналов: добавлением некоторой частоты к каждой спектральной составляющей (а); умножением частоты каждой составляющей в заданное число раз (б)

При перестройке гетеродина все составляющие спектра последовательно будут попадать в полосу пропускания усилителя ПЧ (А1). Таким образом, с выхода усилителя будут сниматься радиоимпульсы с частотой заполнения, равной ПЧ, и с амплитудой, пропорциональной спектральной составляющей сигнала. После детектирования (VI) и усиления (А2) видеоимпульсы подаются на У-пластины ЭЛТ VL1. На Х-пластины подается напряжение развертки, которое является модулирующим напряжением при частотной модуляции гетеродина. При таких условиях напряжение развертки могло бы быть и нелинейным; однако для достижения минимальных искажений спектрограмм, обусловленных переходными процессами в контурах при перестройке частоты, стремятся обеспечить линейность.

яое число отсчетов; T = NAt; ео0 = 2я/7'; я = 0, 1, 2, ...; (N/2)— 1 — «омер спектральной составляющей.

22. Что понимается под спектральной составляющей и спектром сигнала? Какой вид имеет спектр сигнала, заданного на конечном интервале времени?

Спектральные характеристики фотодиодов зависят от материалов, используемых для их изготовления. Селеновые фотодиоды имеют спектральную характеристику, близкую по форме к спектральной зависимости чувствительности человеческого глаза, поэтому их широко применяют в фото- и кинотехнике. Германиевые и кремниевые фотодиоды чувствительны как в видимой, так и в инфракрасной части спектра излучения.

По экспериментальным данным спектральной зависимости фотопроводимости несложно найти отношение разности фотопроводимости AG(a)—AG (оо) в интервале, где фотопроводимость уменьшается при увеличении а, к ее предельному значению AG(oo) и по-

Воспользовавшись графиком спектральной зависимости фотопроводимости, несложно найти отношение фотопроводимостей образца на двух длинах волн, для которых выполняется условие поверхностной генерации носителей заряда. Из этого отношения с учетом (3.16) получим

по спектральной зависимости возбуждения

Другой метод измерения диффузионной длины основан на анализе спектральной зависимости краевой люминесценции при постоянной длине волны возбуждающего излучения.

Схема измерения поверхностной фото-ЭДС подобна схеме измерения спектральной зависимости фотопроводимости (см. 4.5). Для увеличения чувствительности схемы используют фазочувствительный усилитель, синхронизованный с модулятором света. Образец освещается со стороны эпитаксиального слоя.

На 5.14 приведена зависимость фотоемкости от энергии фотона для эпитаксиального слоя арсенида галлия г-типа, выращенного из газовой фазы. Измерения выполнены при температуре 77 К-Из графика видно, что в полупроводнике имеется несколько уровней: 0,465, 0,74, 0,78 и 1,2 эВ. Увеличение емкости при /iv = 0,73 эВ и уменьшение при 0,78 эВ соответствуют опустошению и заполнению одного и того же уровня, расположенного на (1,73 эВ ниже дна зоны проводимости. Это следует из того факта, что сумма энергий равна ширине запрещенной зоны арсенида галлия: 1,5 эВ при 77 К. На 5.15 представлена схема установки для измерения спектральной зависимости фотоемкости. Исследуемая структура С освещается светом с помощью оптической системы ОС. Она подключена последовательно с блокирующим конденсатором С\ на вход измерительного моста переменного тока МПТ. Измерение емкости структуры производится с помощью малого переменного напряжения, подаваемого от генератора Г и наложенного на большое обратное постоянное напряжение от источника постоянного напряжения ИН. Напряжение разбаланса моста усиливается селектив-

5.15. Схема устаноЬки для измерения спектральной зависимости фотоемкости

Таким образом, на основании измеренной спектральной зависимости коэффициента отражения можно найти спектральные зависимости пг и k. Однако, как правило, в распоряжении экспериментатора имеются возможности для определения R в более узком частотном диапазоне. Оказывается, что в ряде случаев этого бывает достаточно.

ров полупроводников основаны на экспериментальном измерении абсолютного значения коэффициента отражения в области плазменного резонанса и сравнении его спектральной зависимости с теоретической, рассчитанной с помощью ЭВМ по 6.19), (6.31) и (6.32). Эти соотношения представляют собой систему уравнений для расчета спектральной зависимости коэффициента отражения.

ности отсчета A,min, которая определяется как характером спектральной зависимости коэффициента отражения вблизи минимума, так и точностью градуировки спектрального прибора по длине волны или волновому числу. С уменьшением концентрации носителей заряда вследствие уширения экспериментальной зг висимости вблизи минимума отражения точность отсчета Яют уменьшается и погрешность измерения возрастает, например для кремния л-типа она составляет от ±10 до ±50%.