Спектральные зависимости

4.15. Обратите внимание на то, что m=0.06
Спектральные составляющие тока

jRC-фильтр пригоден для выделения полосового сигнала, спектральные составляющие которого концентрируются вблизи «резонансной» частоты <орез=1/(^С').

самым восстановить уже отфильтрованный входной сигнал. Изменяя вид стробирующей функции, можно задерживать и пропускать отдельные спектральные составляющие входного сигнала в любой комбинации путем простого изменения ширины и местоположения стробирую-щего импульса или серии импульсов. В отличие от варианта программируемого фильтра, выполненного в виде линии задержки с коммутируемыми отводами (осуществление которого связано с рядом технологических трудностей), в данном случае используются стандартные компоненты, техника изготовления которых хорошо отработана. В экспериментальных образцах подобных устройств реализуется ослабление в полосе затухания не хуже 40 дБ.

После разложения на спектральные составляющие заменить в несущем колебании начальную фазу 90° на 0". Определить максимальное изменение фазы результирующего колебания за период модуляции.

3.10. При индексе угловой модуляции w = co /Q = 0,l учитываются только три спектральные составляющие [Г, § 3.6]. Амплитуды боковых составляющих спектра t/m/2 = 0,5 В. Спектральная диаграмма представлена на 3.12, а, а векторная при 1 = 0 — на 3.12, б для момента времени ?1 = 7т/8 = 6,25 мкс.

6.22. При заданном индексе модуляции т = 0,1 в спектре ЧМК можно учитывать лишь три спектральные составляющие [1, § 3.6]: /о и f0±F, причем индекс угловой модуляции пропорционален амплитуде первой боковой частоты. Для того чтобы уменьшение индекса модуляции в контуре не превышало 3 дБ, должно выполняться условие [1 +(2FQ/fp)2]l/2 = 1, т.е. Q=fp/(2F).

Выражение (7.4) определяет спектр рассматриваемого модулированного колебания. Представим спектральные составляющие колебания в комплексной плоскости, вращающейся с частотой несущего колебания fo. Тогда результирующий вектор входного колебания определится следующим выражением:

сигнала x(t) берутся отсчеты (мгновенные значения), которые следуют через определенный временной интервал Т, называемый тактовым интервалом. Согласно теореме Котельнико-ва, если сигнал имеет ограниченный спектр, т. е. все его спектральные составляющие имеют частоты, не превышающие некоторой частоты Fmax, то для восстановления гналогового сигнала из последовательности его дискретных значений тактовый интервал должен удовлетворять условию 7^1 /(2Fmax). Сущность операции квантования состоит в следующем. Создается сетка уровней квантования, смещенных друг относительно друга на величину, называемую шагом квантования, каждому уровню квантования приписывается порядковый номер (О, 1, 2, 3,...). Полученные в результате дискретизации отсчеты заменяются ближайшими к ним уровнями квантования. Так, на 14.1 отсчет в момент /0 заменяется ближайшим к нему уровнем квантования с номером 3, а взятый в тактовый момент t\ отсчет — ближайшим к нему уровнем квантования с номером бит. д. Очевидно, процесс квантования вносит погрешность в представление значений сигнала. Однако выбором достаточно малого шага квантования эту погрешность можно снизить до допустимых значений. Таким образом, последовательность отсчетов сигнала в процессе квантования преобразуется в последовательность соответствующих чисел (номеров уровней квантования). Для представленного на 14.1 сигнала эта последовательность чисел: 3, 6, 7, 4, 1, 2 и т. д. Наконец, в процессе кодирования числа этой последовательности представляются в определенной системе счисления, например двоичной.

В случае ДПФ предполагается, что исходная функция х(пТ) является периодической с периодом NT, поэтому для суммирования в (14.5) из последовательности х(пТ) выбираются значения в пределах одного периода ( 14.3,а). Тогда в силу сформулированных в § 14.1 свойств преобразования Фурье дискретность функции х(пТ) приводит к периодичности спектральной функции X(k), а так как функция х(пТ) принимается периодической, то спектральная функция X(k) оказывается дискретной. Следовательно, в ДПФ результат преобразования всегда будет периодической и дискретной функцией, и, таким образом, первые N/2—1 точек X(k) определяют спектральные составляющие на положительных частотах, следующие N/2—1 точек соответствуют спектральным составляющим при отрицательных частотах ( 14.3,6).

Режекторный фильтр в канале СЯ осуществляет частичное подавление ( 3.17) спектральных составляющих СЦ в области поднесущей частоты (при этом, однако, ослабляются и ВЧ составляющие СЯ), а полосовой фильтр выделяет спектр СЦ и ВЧ составляющие СЯ. В результате спектральные составляющие СЦ частично проходят в канал СЯ и, наоборот, ВЧ составляющие СЯ — в канал С Ц, т. е. возникают взаимные перекрестные помехи. Такое решение является наиболее простым и в то же время обоснованным ввиду сравнительно малых перекрестных помех яркость — цветность, так как уровень ВЧ составляющих в спектре СЯ во много раз меньше уровня НЧ составляющих, а именно: в ВЧ области спектра СЯ передается СЦ. Уменьшению же перекрестных помех цветность — яркость способствует свойство самокомпенсации СЦ.

В длинноволновой области за краем собственного поглощения фотопроводимость резко падает за счет уменьшения коэффициента поглощения. Таким образом, при промежуточных значениях а, соответствующих краю поглощения, фотопроводимость достигает максимального значения. Спектральные зависимости фотопроводимости образца, качественно отражающие описанные особенности, представлены на 4.2.

Указанные спектральные зависимости различны для разных полупроводниковых материалов и связаны с особенностями их зонной структуры, концентрациями носителей заряда и примесей, характером процессов рассеяния носителей заряда. Это обстоятельство обусловливает принципиальную возможность изучения физических процессов и явлений в полупроводниках и измерения их важнейших параметров с помощью измерения их оптических свойств, в первую очередь спектров отражения и пропускания в широком интервале частот.

Таким образом, на основании измеренной спектральной зависимости коэффициента отражения можно найти спектральные зависимости пг и k. Однако, как правило, в распоряжении экспериментатора имеются возможности для определения R в более узком частотном диапазоне. Оказывается, что в ряде случаев этого бывает достаточно.

На основе теоретической зависимости K(v, d) можно найти ряд других зависимостей, например .Rmin(umin), Rmiv(d), справедливых для различных полупроводниковых материалов. Согласно (6.39) и (6.40), можно рассчитать также спектральные зависимости показателя преломления и коэф4 ициента экстинкции.

26. Спектральные зависимости (а, б, в) и фотопроводимости (г)

27. Спектральные зависимости:

лучевым осаждением, с повышением температуры подложки увеличивается. Это не согласуется с результатами для мк-SirH, полученного плазменным осаждением, для которого размер зерен остается практически постоянным. На 2.3.11 показаны спектральные зависимости коэффициента оптического поглощения, типичные для пленок мк-Si, полученных методом молекулярно-лучевого осаждения [99]. Из 2.3.11 следует, что с повышением Тпо коэффициент поглощения падает, свидетельствуя об увеличении оптической ширины запрещенной зоны. Приведенные кривые существенным образом отличаются от аналогичных кривых для к-Si или a-Si:H, что обусловлено, по-видимому, различием структур их связей.

3.2.5. Спектр люминесценции (1) и спектральные зависимости ОДМР-сигналов центра D2 (2) и А (3), наблюдаемые при возбуждении светом лазера на ионах аргона мощностью 2 Вт/см2 на образце a-Si:H, № 12 [ 36]

На 3.2.4 показаны типичные ОДМР-спектры, полученные при возбуждении 2 Вт/см2 (200 мВт) на образце a-Si:H (№12). На 3.2.5 показаны спектральные зависимости D2- и Л-линий, т.е. относительные изменения их интенсивностей люминесценции при резонансе, (Д//7)ЭПр, а также спектр люминесценции1. Спектральные зависимости для других образцов показаны на 3.2.6-3.2.7.

Ниже представлена модель [36, 38, 40], позволяющая интерпретировать спектральные зависимости А- и ?>2-линий, а также изменения ширины линий от энергии люминесценции. В этой модели принимают, что люминесценция происходит в результате излучательной рекомбинации захваченных ЭДП, причем захваченные электроны находятся на краю зоны и в запрещенной зоне, а захваченные дырки локализованы

3.2.7. Спектр люминесценции (Л и спектральные зависимости ОДМР-сигналов ?>2-центра (2) и А-цснтра (3), наблюдаемые при возбуждении светом лазера на ионах аргона мощностью 0.25 Вт/см2 на образце № 813 a-Si: H. !•"