Спектральные характеристики

2.7. Построить амплитудную и фазовую спектральные диаграммы напряжения

2.31. Построить АЧХ спектральной плотности униполярного прямоугольного импульса длительностью 1 мкс. Используя полученный график, построить амплитудные спектральные диаграммы периодической последовательности импульсов с периодом Т, равным 1,5т„.

Спектральные диаграммы показаны на 6.11 и 6.12; кроме того, на 6.11 представлена штриховой линией зависимость модуля передаточной функции от частоты.

Спектральные диаграммы напряжений и токов представлены на 14.11. На 14.11,6 изображены спектральные составляющие тока, образованные за счет воздействия на нелинейный элемент напряжения и и синхронизирующего напряжения е0 ( 14.11,а). В полосу пропускания контура (резонансная кривая изображена штриховой линией) попадает только первая гармоника тока /1„, возникающая за счет действия напряжения и.

7.З. Спектральные диаграммы для амплитудной модуляции.

7.6. Спектральные диаграммы для преобразования частоты спектр входных сигналов, ((со) — спектр тока в цепи, «вых — спектр сигнала

Последний член в (7.18) не содержит высокой частоты, а несет информацию о модулирующем сигнале. На 7.8 приведены спектральные диаграммы этого процесса.

7.8. Спектральные диаграммы для синхронного детектирования (обозначения те же, что и на 7.6).

8.34. Спектральные диаграммы для преобразования частоты. Спектр входного сигнала (и), тока в нелинейном элементе (/), характеристика идеализированного фильтра (К), спектр сигнала на выходе фильтра (MU).

8.36. Спектральные диаграммы для детектирования. Спектр входного сигнала (и), тока в нелинейном элементе (('), характеристика идеализированного фильтра (/С), спектр сигнала на выходе фильтра (((„).

4 Временные и спектральные диаграммы входного и выходного напряжений при разных способах преобразования в соответствии с требованиями пунктов За , 4 и 5.

Спектральные характеристики источников света и фотоприемников должны быть согласованы.

Спектральные характеристики фоторезисторов определяются типом полупроводника и введенными в него примесями. Максимум спектральной чувствительности находится в пределах 500...1000 нм.

Спектральные характеристики фотодиодов зависят от материалов, используемых для их изготовления. Селеновые фотодиоды имеют спектральную характеристику, близкую по форме к спектральной зависимости чувствительности человеческого глаза, поэтому их широко применяют в фото- и кинотехнике. Германиевые и кремниевые фотодиоды чувствительны как в видимой, так и в инфракрасной части спектра излучения.

На 4.13 приведены вольт-амперные характеристики фототранзистора. Они аналогичны коллекторным характеристикам обычного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Темно-вой ток у фототранзистора больше, чем у фотодиода. Энергетические характеристики фототока фототранзистора линейны. Спектральные характеристики фототранзисторов и фотодиодов, выполненных из одинаковых материалов, не отличаются друг от друга.

Спектральные характеристики фототиристоров такие же, как у фотодиодов и фототранзисторов, изготовленных из тех же материалов.

На 4.20 приведены спектральные характеристики фотоэлементов с сурьмяно-цезиевым (кривая 1) и кислородно-цезиевым (кривая 2) фотокатодами.

4.20. Спектральные характеристики вакуумных фотоэлементов

десятков паскаль. В газоразрядных фотоэлементах применяют те же катоды, что и в вакуумных, поэтому эти приборы имеют аналогичные спектральные характеристики (см. 4.20).

Вольт-амперные и спектральные характеристики фотоэлектронных умножителей аналогичны соответствующим характеристикам вакуумных фотоэлементов. В сравнении с вакуумными фотоэлементами частотная характеристика фотоэлектронного умножителя несколько хуже. Это связано с тем, что на частотах выше 1000 МГц начинает сказываться время пролета электронов от катода к аноду.

— спектральные характеристики 78

-------спектральные характеристики