Спектральный коэффициентЕсли величины параметров схемы 10,11,6 выбраны в соответствии с правилами теории подобия, то схема 10.11,6 является электрической моделью системы 10. 11, а. С помощью схемы 10.11,6 может быть исследовано поведение механической системы 10. 11, а как в стационарном, так и в переходном режимах. Специфической особенностью исследования переходных режимов является задание на модели начальных условий, соответствующих начальным условиям объекта. Так, например, закон изменения скорости и системы 10. И, а при внезапном приложении силы P(f) будет зависеть от начального состояния пружины. Для того чтобы изменение тока переходного режима в схеме 10.11,6 при замыкании ключа /(соответствовало изменению скорости механической системы, необходимо перед замыканием ключа создать на конденсаторе начальное напряжение ?/Со, соответствующее начальной упругой силе Реа , действующей на пружину.
недостаток является специфической особенностью схем. Второго недостатка ;можно избежать, применив повышающий трансформатор на выходе схемы.
Возможности уменьшения размеров элементов не беспредельны и на некотором этапе развития технологии появляются ограничения, налагаемые физическими основами процесса, т. е. минимальным числом атомов, необходимых для реализации тех или иных структур, размерами каналов передачи сигнала от одной структуры к другой, условиями теплопередачи Эти ограничения являются фундаментальными и позволяют оценить предельные возможности микроэлектроники. __Развитие микроэлектроники происходит и в ряде новых областей. И о н и-к а (химотроникп) базируется на элек-Вшод трических явлениях переноса зарядов ионами. Специфической особенностью химотронных праборов является возможность работы на инфранизких частотах при малой мощности. С помощью ^ИС- ^ ионики в сочетав ии с обычной полупроводниковой электроникой открываются
В силу перечисленных причин специфической особенностью конструкции аппаратуры, размещаемой на самолетах, является наличие отдельного малогабаритного пульта, на котором сосредоточивают все органы управления, контроля и устройства отображения информации.
Специфической особенностью туннельных диодов является наличие падающего участка характеристики (участок бе), указывающего на то, что в некоторой области изменения разности потенциалов диод ведет себя как элемент с отрицательным сопротивлением. Это свойство туннельного диода позволяет использовать его во многих радиотехнических устройствах для генерирования электрических колебаний в качестве формирующего двухполюсника, в схемах с двумя устойчивыми состояниями равновесия (см. гл. 9).
Специфической особенностью такого прибора является отсутствие токоподвода в подвижную часть.
Специфической особенностью утилизации тепловых ВЭР нефтехимического производства, образующихся в виде тепла продукционных потоков, является то, что затраты на охлаждение этих потоков относятся на основное производство независимо от того, используется это тепло или нет. Так, охлаждение пирогаза в производстве этилена, контактного газа в производстве мономеров для синтетических каучуков, парогазовой смеси реакторов прямой гидратации синтетического спирта и т. п. диктуется технологическими условиями. В большинстве случаев охлаждение этих потоков в котлах-утилизаторах с выработкой насыщенного пара давлением 0,5—1,5 МПа экономически более целесообразно, чем охлаждение их проточной или оборотной водой, даже без учета использования вырабатываемого при этом пара. Для таких производств затраты на получение утилизационного пара принимаются равными нулю, так как затраты на сооружение и обслуживание котлов-утилизаторов, выполняющих роль охладителей продуктовых потоков, относятся на основное производство.
Специфической особенностью СИТ транзистора, затрудняющей его применение в качестве ключа, является его нормально открытое состояние при отсутствии
Специфической особенностью инженерных расчетов является то, что в зависимости от поставленной задачи они могу»т быть так или иначе упрощены. Другая особенность таких расчетов состоит в том, что инженеру приходится иметь дело со сложными электрическими цепями и в связи с этим разрабатывать специальные приемы расчета и анализа электрических цепей, являющихся схемами замещения сложных электрических сетей. Различные приемы технического исследования электрических сетей со специфическими требованиями инженерно-технического характера будут изучаться в соответствующем курсе.
Специфической особенностью ТПН и СИФУ является их дискретность, определяемая числом фаз силового преобразователя (СП). Для возможности анализа СИФУ как отдельного элемента САУ необходимо представить ее такой математической моделью, которая была бы справедлива при любых числе фаз и структуре СП. Это можно осуществить, используя идею о представлении СИФУ в виде двух последовательно включенных звеньев — дискретного ДЗ и нелинейного непрерывного ННЗ [17]. В качестве ДЗ используется модель СИФУ вертикального действия с линейными опорными напряжениями иоа, которая является как было показано, безынерционной. Специфика конкретной СИФУ проявляется только в модели ННЗ, которая не зависит от пульсности СП.
Механические КПМ с маховиковыми электроприводами составляют наибольшую группу по числу типов и количеству выпускаемых и эксплуатируемых машин. В нее входят кривошипные прессы, ковочные машины и вальцы, винтовые прессы и др. Специфической особенностью работы этого оборудования является резко выраженный ударный характер нагрузки, при которой статический момент сопротивления за цикл резко изменяется по различным законам от значения момента холостого хода Мсх до максимального (Мстах) и вновь спадает до Мсх. При этом для большинства кривошипных КПМ отношение Мстах/Мсх = 10...30.
Поскольку переход от температуры абсолютно черного тела, связанной с яркостью уравнениями (31-6) и (31-7), к температуре различных других физических тел возможен только через спектральный коэффициент ех, достаточно точные значения которого неиз-
где ех$ — спектральный коэффициент черноты; с — постоянная.
Спектральный коэффициент для длины волны 0,65 мкм ZrC NbC TaC — — 0,6—0,8 0,66 0,4—0,8 0,6— 0,8 0,65 0,4—0,8 0,6—0,8 0,63 0,4—0,8 0,6—0,8 0,62 0,4—0,8 0,5—0,8 0,61 0,4—0,7 0,5—0,6 0,61 0,4—0,6 0,5—0,6 0,6 0,4—0,5
где /Уфо — поток фотонов, падающих на поверхность полупроводника; г(X) —спектральный коэффициент отражения. Объемная скорость генерации носителей тока в плоскости, находящейся на расстоянии х от освещаемой поверхности полупроводника, определяется уравнением
На 1-16 приведены кривые спектрального коэффициента отражения р (к) для некоторых красок. Как видим, все эти цветные поверхности имеют наибольший спектральный коэффициент отражения в соответствующей по цвету области спектра.
Просвечивающие тела также в большинстве случаев пропускают свет избирательно. Спектральной характеристикой просвечивающих материалов служит спектральный коэффициент пропускания ък, который представляет собой
Исследования показывают, что большинство металлов обладает селективной способностью излучения, т. е. их спектральный коэффициент излучения, всегда меньший единицы, является функцией длины волны и температуры.
На 3-3 приведены кривые зависимости спектрального коэффициента излучения вольфрама от длины волны излучения для температур: 300, 2 000 и 3 000 К. Как следует из графика, для всех температур спектральный коэффициент излучения уменьшается с увеличением длины волны излучения. По мере повышения температуры селективность излучения вольфрама снижается, что характе-
Спектральный коэффициент излучения 64
где еХт — спектральная степень черноты данного тела, или спектральный коэффициент излучения. Для серого тела
Как показали специальные исследования этих процессов, в приземном слое (до ,20 км) ширина спектральных линий обусловлена, главным образом, столкновениями молекул. Теория процесса была разработана Ло-рентцом, который дал формулу распределения интенсивности в спектральной линии поглощения как функцию от частоты v. Для группы перекрещивающихся линий спектральный коэффициент поглощения равен
Похожие определения: Способствовали улучшению Способствует повышению Способствуют образованию Справедливы следующие Справедливо уравнение Сопротивление определяемое Срабатывания элементов
|