Сопротивление называетсяВыше был рассмотрен принцип работы стабилизатора при холостом ходе. Подключение нагрузки изменит не только модуль выходного сопротивления стабилизатора, но и его фазу. Чем больше нагрузка, тем хуже будет работать стабилизатор. При очень больших нагрузках сопротивление насыщенного дросселя может оказаться больше нагрузочного и стабилизация нарушится. При учете потерь в контуре в вольт-амперную характеристику следует внести поправку. В реальном контуре при резонансе сопротивление контура не может быть равным нулю в схеме на VIII.29, б и не может стремиться к беско-
В области насыщения коллекторную характеристику тоже можно линеаризировать, представив ее ломаной линией, состоящей из двух отрезков прямых линий ( 6.13, б). Одна из этих прямых проходит через граничную точку /к = РлДб и параллельна оси напряжения, а другая с наклоном гкэ (где гкэ— выходное сопротивление насыщенного транзистора в схеме с общим эмиттером) касательна к крутому участку коллекторной характеристики. Сопротивление гкэ, а также остаточное напряжение определяют из коллекторной характеристики транзистора в области насыщения. Для оценки указанных величин
а) меньшей энергии запускающего импульса. Ток запуска течет через базу 7\ до тех пор, пока транзистор находится в режиме насыщения. После выхода транзистора из этого режима, и особенно после запирания транзистора, его входное сопротивление резко повышается, и потребление тока от генератора Г становится очень малым.^Заметим, что схема, соответствующая соединению с, потребляет ток от генератора Г в течение всей длительности запускающего импульса, так как этот импульс вызывает насыщение транзистора. После переключения генератор работает на малое входное сопротивление насыщенного транзистора Тг;
пульса может пройти через диод Д4 на базу Ti и вызвать обратное переключение триггера. Однако в действительности такого ложного срабатывания триггера не будет; «конец» импульса не может вызвать отпирания Д^. Этот диод отопрется только после разряда конденсатора Ci3an. До появления запускающего импульса этот конденсатор был заряжен до напряжения UKi, близкого к Е (минус на верхней обкладке, плюс на нижней). Напряжение на конденсаторе, близкое к Е, превышает амплитуду запускающего импульса и после переключения триггера во время действия этого импульса обеспечивает отрицательное напряжение на аноде ДЛ. Лишь после перезаряда конденсатора С^ап через R^aa выходное сопротивление насыщенного транзистора Т1 и выходное сопротивление Rt, т. е. уже после окончания действия запускающего импульса, будет обеспечен установившийся режим, при котором диод Д1 окажется незапертым.
а) экспоненциальное изменение напряжения на коллекторе транзистора TI. Конденсатор Ci своей правой обкладкой через малое входное сопротивление насыщенного транзистора Т2 связан с корпусом устройства и эмиттером 7\; его левая обкладка
тать, что г,,ых ** #Kt/B3. Постоянная времени цепи восстановления Вв = **• СНгвых "г '"бв)' гДе гбн — входное сопротивление насыщенного транзистора Та. Так как значение г«н мало, то
Cj заряжается от источника —Et через резистор /?Bj и входное сопротивление насыщенного транзистора 7$. До тех пор, пока абсолютное значение напряжения на конденсаторе Cj и коллекторе Т1 не превысит Е, диод Д заперт и не влияет на процесс восстановления. После того как напряжение на конденеаторе Cj перейдет уровень —Е, диод отпирается, фиксирует напряжение на коллекторе на уровне —Е и дальнейшее изменение напряжения на конденсаторе прекращается. Процесс восстановления закан-
Так как ос4-»- 1, то /К4 ~ (?1 — E)/Ra. Этот ток протекает через базу Т2, создавая прямой ток базы этого транзистора, достаточный для его насыщения. Транзистор 7\ в длительно устойчивом состоянии мультивибратора заперт. Напряжение питания коллекторной цепи этого транзистора подается с эмиттера транзистора Тя, включенного по схеме эмиттерного повторителя. На базу транзистора Ts подано отрицательное управляющее напряжение Uyny, максимальное значение которого не должно превышать Ei. Напряжение 1/упр повторяется на эмиттере Т3; конденсатор С4 заряжается через входное сопротивление эмиттерного повторителя на транзисторе Т3, резистор #Kj и входное сопротивление насыщенного транзистора Т2. Постоянная времени цепи восстановления напряжения 6„ = Ci(rBMx3 + RKi + гбн2) яа CI/?M.
заканчивается насыщением транзистора Т, после чего участок «коллектор — эмиттер» можно представить в виде короткозамкнутого отрезка цепи /С—Э. Нагрузкой базовой обмотки трансформатора является суммарное сопротивление /?б + гвя, где гбн — входное сопротивление насыщенного транзистора. При пересчете в коллекторную цепь R6' = (#б +/"бн)/«2- Поскольку гба < R6, то по-прежнему можно считать, что R6' = Re/ri*. С учетом сказанного эквивалентная схема коллекторной цепи транзистора после его насыщения примет вид, изображенный иа 6.114. После завершения процесса переключения, соответствовавшего формированию фронта выходного импульса, начинается процесс формирования его вершины. Согласно 6.114 коллекторный ток насыщенного транзистора Т разветвляется по трем 6.113 направлениям и соответственно состоит из трех составляющих:
Для расчета длительности выходного импульса составим эквивалентную схему коллекторной цепи насыщенного транзистора Т. Ток базы такого транзистора замыкается через базовую обмотку трансформатора, конденсатор С и входное сопротивление насыщенного транзистора гбн. При пересчете в цепь первичной коллекторной обмотки С' = пгС; г6' =гбн/п2. Коллекторная цепь транзистора примет вид, показанный на 6.122. По первому закону Кирхгофа t'K —is' + + / + iH- Ток нагрузки RH, как и ранее, /н =E/RS. Поскольку UL = Е = const, то / =?Y/LM. Ток iY> являющийся током последовательной резистивно-емкостной цепи, подключенной к источнику Е, изменяется по закону
Е через резистор /?4 и входное сопротивление насыщенного транзистора Та с пос-^+? тоянной времени 6зар« CiRi. Напряжение включения однопереходного транзистора ^вкл = t? < ?. Когда по мере заряда конденсатора Cj напряжение на коллекторе транзистора Т%, а следовательно, и на эмиттере Ti достигнет значения Увкл, ОПТ включается, и напряжение на его эмиттере скачком уменьшается. Отрицательный скачок напряжения с эмиттера Ti через конденсатор С4 передается на базу Та, вызывая его запирание, а следовательно, и переключение ждущего мультивибратора. Уровень выходного напряжения измен я- 7.19 ется от значения
Это сопротивление называется дифференциальным (динамическим) и представляет собой сопротивление нелинейного элемента переменному току малой амплитуды.
называется синхронным сопротивлением неявнополюсной машины.
Для симметричного четырехполюсника имеем Zlc~Z^c — Zc = = "[TBjC^ В этом случае характеристическое сопротивление называется повторным сопротивлением, так как, нагружая четырехполюсник на сопротивление Zc, на входе четырехполюсника (5удем иметь такое же сопротивление Zc. Полученные два параметра Zlc и ZZc недостаточны для описания свойств четырехполюсника, так как в общем случае четырехполюсник характеризуется тремя независимыми параметрами. Необходимо ввести еще один параметр, связывающий процессы на входе и выходе.
Если сопротивление г не зависит от величины и направления тока, то; имеет место прямая пропорциональность между напряжением и током,. выражающая закон Ома. В этом случае сопротивление называется^ линейным. На 1-3 показаны вольт-амперные характеристики сопротивления — нелинейная (кривая а) и линейная (прямая б). В этой книге рассматриваются линейные сопротивления.
Если сопротивление г не зависит от тока и его направления, то имеет место прямая пропорциональность между напряжением и током, выражающая закон Ома. В этом случае сопротивление называется линей-н ы м. На 1-3 показаны вольт-амперные характеристики сопротивления — нелинейная (кривая а) и линейная (прямая б). В этой книге рассматриваются линейные сопротивления.
Таким образом, имеем дело с фильтром типа К. Сопротивление /?„ называется номинальным характеристическим сопротивлением фильтра. Согласно (18.8) определяются граничные частоты фильтра. Так как
1. Какое сопротивление называется активным? Приведите примеры активного сопротивления.
Это сопротивление называется статическим. Как видно из рисунка, сопротивление гст пропорционально тангенсу угла между секущей Оа и ' осью абсцисс.
Это сопротивление называется дифференциальным или динамическим.
случае характеристическое сопротивление называется повторным сопротивлением, так как, нагружая четырехполюсник на сопротивление Zc, на входе четырехполюсника будем иметь такое же сопротивление Zc. Полученные два параметра Zic и Z2c недостаточны для описания свойств четырехполюсника, так как в общем случае четырехполюсник характеризуется тремя независимыми параметрами. Необходимо ввести еще один параметр, связывающий процессы на входе и выходе.
Это сопротивление называется дифференциальным (динамическим) и представляет собой сопротивление нелинейного элемента переменному току малой амплитуды.
Похожие определения: Сопротивлению транзистора Сопровождается соответствующим Сопровождаются появлением Соседними подстанциями Сосредоточенными постоянными Составить принципиальную Составляем уравнение
|