Сопротивление насыщения

упрощения допустим, что диод идеальный. Когда напряжение на входе выпрямителя достигает напряжения на емкости, диод открывается и емкость начинает заряжаться. После того, как напряжение на емкости достигнет амплитудного значения входного напряжения, диод запрется и емкость будет разряжаться на сопротивление; напряжение на емкости будет постепенно спадать. Когда положительное значение входного напряжения достигнет напряжения на емкости, емкость снова начнет заряжаться и т. д.

При a2 <; a <; 2л -f ax диод заперт и напряжение на емкости, разряжаемой через сопротивление, изменяется экспоненциально:

Задача 9.8. Как измерить вольтметром типа МН с пределом измерения UK = 150 в напряжение постоянного тока U = 220 б, если сопротивление вольтметра rv = 8000 ом ( 9.4).

Аналоговое электрическое устройство воспроизводит исследуемую систему циркуляции среды в электрических машинах, причем параметры электрической схемы — сопротивление, напряжение и ток — моделируют параметры схемы вентиляции, соответственно: сопротивление, давление и расход. Для того чтобы закономерности распределения токов и напряжений

Физическая величина (кратко, величина) — каждое определенное в качественном отношении свойство физических объектов, обладающее размером. Примеры физических величин: длина, масса, скорость, ускорение, электрическое сопротивление, напряжение, сила тока, магнитный поток.

Имеются активные (энергетические), например электрическое напряжение, температура, и пассивные (сопротивление, диэлектрическая проницаемость и др.) физические величины. Размер пассивной величины обнаруживается при воздействии на объект, которому она присуща, соответствующей активной величины (сопротивление резистора можно определить по силе тока при известном приложенном напряжении).

на емкости, диод открывается и емкость начинает заряжаться. После того, как напряжение на емкости достигнет амплитудного значения входного напряжения, диод запрется и емкость будет разряжаться на сопротивление; напряжение на емкости будет постепенно спадать, Когда положительное значение входного напряжения достигнет напряжения на емкости, емкость снова начнет заряжаться и т. д.

Выбор пускорегулировочных резисторов. В настоящее время выпускаются резисторы с константановыми, фехралевыми л^бо с нихромовыми проволочными или ленточными элементами. В соответствии с ГОСТ 4870 — 78 за номинальные параметры их принимаются сопротивление, напряжение, продолжительность включения и ток.

Выбор пускорегулировочных резисторов. В настоящее время выпускаются резисторы с константановыми, фехралевыми л^бо с нихромовыми проволочными или ленточными элементами. В соответствии с ГОСТ 4870 — 78 за номинальные параметры их принимаются сопротивление, напряжение, продолжительность включения и ток.

Физическая величина (кратко, величина) — каждое определенное в качественном отношении свойство физических объектов, обладающее размером. Примеры физических величин: длина, масса, скорость, ускорение, электрическое сопротивление, напряжение, сила тока, магнитный поток.

Имеются активные (энергетические), например электрическое напряжение, температура, и пассивные (сопротивление, диэлектрическая Проницаемость и др.) физические величины. Размер пассивной величины обнаруживается при воздействии на объект, которому она присуща, соответствующей активной величины (сопротивление резистора можно определить по силе тока при известном приложенном напряжении).

Заметим, что коллекторная область структуры транзистора ( 1.1, а) имеет большое объемное сопротивление (порядка 0,5...50 Ом • см), а контакт коллектора вынесен на лицевую поверхность подложки. В результате последовательное сопротивление в цепи коллекторного тока (сопротивление насыщения) получается больше, чем у дискретных транзисторов. На 1.1, в приведена эквивалентная схема паразитных параметров транзистора. Помимо сопротивления в цепи коллектора гн

Сопротивление насыщения, Ом 20 1

Эквивалентная схема интегрального транзистора с общим эмиттером изображена на 1.6. Здесь усилитель-,ные свойства транзистора представлены генератором тока Р/Б- Влияние обратно смещенного перехода коллектор — база показано на экивалентной схеме сопротивлением утечки RKB и емкостью СКБ- Изолирующий р — n-переход, шунтирующий коллектор на подложку, представлен емкостью Скп- Обратное сопротивление перехода можно не учитывать. Сопротивление насыщения /"к образуется объемным сопротивлением материала коллектора и области скрытого слоя на пути протекания коллекторного тока (см. 1.6, а). Сопротивление лерехода эмиттер — база, открытого при работе транзистора в линейном режиме,

Для наглядности режим насыщения транзистора на графике семейства статических выходным ВАХ можно отметить прямой О А, которая выходит из начала координат ( 5.24). С помощью прямой О А можно определить сопротивление насыщения транзистора гнас?&Еи/ /кмакс и другие параметры ключевого каскада. На рисунке также показана нагрузочная прямая АВ, которая позволяет графически пояснить работу каскада в ключевом режиме. Наклон нагрузочной прямой АВ определяется сопротивлением нагрузки Ra. Точка А на нагрузочной прямой соответствует режиму насыщения транзистора (/Б = /вдас). Точка В на нагрузочной пря-

Значение этого напряжения определяет сопротивление насыщения транзистора (см. §4.6). На это напряжение влияют соотношение падений напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах, объемное сопротивление коллектора и сопротивление базы.

3) мощные транзисторы должны иметь большой коэффициент полезного действия и, в частности, малое падение напряжения на транзисторе в режиме насыщения, т. е. малое сопротивление насыщения;

Одним из вариантов структуры мощных пленарных транзисторов является гребенчатый эмиттер ( 4.53, а). Число зубьев «гребенки» может быть до нескольких десятков. Так как ширина каждого зубца небольшая, эффект вытеснения тока к краю эмиттера незначителен. Одновременно снижается и сопротивление базы, что увеличивает усиление по мощности на высокой частоте и снижает сопротивление насыщения. Однако при слишком узких и длинных эмиттерных полосках может сказаться падение напряжения вдоль них при больших токах.

где гв1 — сопротивление насыщения транзистора 77.

Сопротивление насыщения коллектор-эмиттер при /к = = 15 мА, /Б = 3 мА не более: при Т = 298 К:

Сопротивление насыщения открытого транзистора при

Сопротивление насыщения коллектор-эмиттер при {/Кэ =