Сопротивление намагничивания

1 Только, если нелинейное сопротивление находится под воздействием переменного напряжения прямоугольной формы, кривая тока остается также прямоугольной.

Как было отмечено выше, наиболее характерной чертой полевых транзисторов является высокое входное сопротивление. В полевых транзисторах с р-п-ие-реходом входное сопротивление определяется обратными токами переходов затвора. Для кремниевых полевых транзисторов входное сопротивление находится в пределах 109—1012 Ом.

в его диагонали, искомое сопротивление находится из соотношения:

Внутрисхемные соединения в МДП-ИМС могут выполняться с помощью металлизации или путем формирования диффузионных областей. Применение диффузионных межсоединений позволяет относительно просто реализовать пересечения проводников в МДП-ИМС и наиболее полно использовать площадь кристалла. При этом следует учитывать влияние паразитных сопротивлений диффузионных межсоединений. При соединении диффузионных областей последовательно с затворами транзисторов наличие паразитных сопротивлений Кд приводит только к задержке управляющих сигналов, поступающих на транзисторы. Поскольку входные сопротивления транзисторов велики (RB*^>RA), амплитуда сигналов не искажается. Если паразитное сопротивление находится в цепи истока или стока, т. е. диффузионное межсоединение включено последовательно с истоком (стоком), то его влияние оказывается более существенным. В частности, последовательное сопротивление Кд в цепи вызывает уменьшение эффективной крутизны транзистора, что приводит к ухудшению как статических, так и динамических характеристик схемы.

В случае использования нулевых проводов из цветных металлов сопротивление находится аналогично предыдущему случаю. Однако вопрос усложняется при использовании проводников из ферромагнитных материалов, особенно сложной формы поперечного сечения. Активное и внутреннее индуктивное сопротивления стальных проводников нелинейно зависят от тока, проходящего по проводнику, и для цепей заземления должны выбираться провод-Пики, проводимость которых соответствует расчетному току однофазного замыкания. Теоретическое определение активного и внутреннего реактивного сопротивления проводников из

1 Только, если нелинейное сопротивление находится под воздействием переменного напряжения прямоугольной формы, кривая тока остается также прямоугольной.

Добавочные сопротивления обычно выполняются из материала с относительно большим удельным сопротивлением и помещаются в те же пазы, что и обмотка якоря. В них может быть допущена значительная плотность тока, так как каждое добавочное сопротивление находится под током сравнительно небольшое время, пока в секции, соответствующей данному сопротивлению, происходит коммутация тока.

Хотя коэффициент усиления схемы зависит лишь от соотношения сопротивлений Ri и R%, это не означает, что они могут быть выбраны совершенно произвольно. Минимальное сопротивление резисторов в схемах ОУ ограничено нагрузочной способностью ИМС. Максимальное сопротивление резистора ограничено, потому что протекающие через пысокоомные резисторы малые токи будут соизмеримы со входными токами ОУ и это усилит воздействие неидеально-сги ОУ на работу схемы (см. подробнее об этом в § 2.13), В практических схемах сопротивление находится в пределах 10Г> —108 Ом.

Динамическое выходное сопротивление находится по формуле (3.30) с учетом параметров схемы (/?э = 0, = — 1):

Входнэе сопротивление находится из первого уравнения системы (З.о!) с последующей подстановкой туда и2 = I?,Z№ и использованием (3.57):

Выходное сопротивление находится с использованием обоих уравнений системы (3.31): второго для определения «2/-/2 и первого — для /1//а- Учитывая, что иг — Ij Zj, но /,- = — /j (см. 3.12), после подстановок определим

* Сопротивление намагничивания нулевой последовательности X —(0,3-1-1,0) X.,-

где / — индекс ветви обмотки; kuj — коэффициент дифференциального рассеяния; XQJ — индуктивное сопротивление намагничивания /-и ветви по рабочей гармонической.

Кольцевой трансформатор (на выходе БВТ) электрически соединен со входом ВТ ( 6.7), и его параметры, таким образом, выносятся в первичную цепь ВТ как информационной части БВТ. Известно [65, 66, 67], что первичные параметры ВТ влияют на коэффициент демпфирования изменений потока и соответственно на погрешность. С точки зрения основной функции КТ необходимо стремиться к относительному уменьшению потерь в этом элементе, что соответствует минимизации отношения ZBMX кт/*'т кт, где 2"вых кт — выходное сопротивление КТ; я'ткт — индуктивное сопротивление намагничивания КТ, приведенное к выходной обмотке.

тивление намагничивания ветви по р-й гармонической МДС; r0j — активное сопротивление, определяемое выражением

2. Короткозамкнутая обмотка типа «беличья клетка» рассматривается как два взаимно перпендикулярных контура с одинаковыми параметрами (каждый контур dug состоит из одного витка, 5.2), при этом г — активное сопротивление эквивалентного витка; х — его индуктивное сопротивление рассеяния; Хог — индуктивное сопротивление намагничивания роторного эквивалентного витка.

На 21-8 построены зависимости напряжения на емкости и индуктивности, схемы замещения для неполнофазного режима согласно 21-6, а от отношения х^/Хс', х^ — индуктивное сопротивление намагничивания трансформатора при номинальном напряжении, равное, Ом:

где ZM = — ]'хм — сопротивление намагничивания, приведенное к обмотке возбуждения.

Сопротивление намагничивания (пренебрегая потерями в стали, которые обычно малы) имеет чисто реактивный характер:

Таким образом, как внутреннее сопротивление, так и сопротивление намагничивания меняются пропорционально квадрату числа витков. Отношение же их Rswlzp не зависит от чисел витков; желательно иметь это отношение возможно меньшим.

На эквивалентной схеме сумма двух проводимостей может быть изображена параллельным включением ( 3.41). Одно из параллельно включенных сопротивлений Z^\ представляет собой сопротивление намагничивания для сердечника без зазора по (3.35), а другое Z^ — постоянное сопротивление

8. Определяется сопротивление намагничивания по (3.101).