Спаренных изоляторов

Интегральная технология позволяет создавать различные стабилизирующие устройства — от простейших параметрических стабилизаторов, в качестве которых используется один из переходов интегрального транзистора, до схем стабилизаторов компенсационного и импульсного типов.

Промышленность выпускает наборы микросхем для построения ЦАП, из которых можно создавать различные по точности и быстродействию преобразователи. Для построения аналоговых частей преобразователей предназначены ИМС серии К252.

Общие сведения. Выпускаемые промышленностью логические интегральные микросхемы позволяют выполнять более сложные операции типа ИЛИ-НЕ, И-ИЛИ-НЕ и др. На их основе можно создавать различные функциональные схемы.

Ш Интегральные методы основаны на введении вторичных источников поля, которые характеризуют реакцию тел, составляющих систему, на воздействие сторонних (первичных) источников. При этом сами тела заменяются вакуумом, что упрощает расчет. Введение вторичных источников не является однозначным, что позволяет создавать различные расчетные модели, наиболее отвечающие конкретным целям [37]. Целью расчета является определение вторичных источников, после чего легко найти любые параметры системы. Вторичные источники определяются решением интегральных уравнений, описывающих их взаимодействие друг с другом и с первичными источниками. Уравнения учитывают взаимодействие всех источников рассматриваемой системы, а не только соседних, поэтому интегральные методы наиболее удобны для расчета квазистационарных систем, т. е. таких устройств, в которых можно пренебречь запаздыванием сигнала. Это означает, что размеры устройства должны быть значительно меньше длины электромагнитной волны в воздухе. Все индукционные устройства подчиняются этому условию.

Дискретные электрические сигналы запоминаются при помощи устройств, выполненных на основе ферромагнетиков с прямоугольной петлей гистерезиса, характерная особенность которых — наличие лишь двух возможных состояний намагниченности, соответствующих насыщению в одной или другой полярности. Изменение магнитного состояния в них может произойти лишь тогда, когда внешнее магнитное воздействие превысит коэрцитивную силу. Если воздействие слабее, то перемагничива-ния не происходит. Это позволяет на основе таких ферромагнетиков создавать различные переключающие приборы, логические и счетные устройства, импульсные усилители и формирователи, делители частоты следования импульсов, реле времени и т. п.

Интегральная технология позволяет создавать различные стабилизирующие устройства — от простых параметрических стабилизаторов в качестве которых используется один из переходов интегрального транзистора, до схем стабилизаторов компенсационного и импульсного типов (см. ниже). Наша промышленность производит интегральные стабилизаторы серии К142. В эту серию входят боле:е 20 наименований стабилизаторов с различными параметрами. На 14.16 приведена ТИПОЕ;ЗЯ схема включения компенсационного микросхемного стабилизатора KJ42EH4. Входное напряжение подается на вывод 15, а выходное снимается с вывода 13. В схеме имеется защита от перегрузки по выходу. Конденсаторы (ГУ—С4 и резисторы Rl—R5 являются комплектующими компонентами.

Таким образом, изменяя длину отрезка короткозамкнутой на конце линии, также можно создавать различные по величине индуктивные и емкостные сопротивления. Отрезок короткозамкнутой на конце линии без потерь длиной в четверть длины волны теоретически имеет входное сопротивление, равное бесконечности. Это позволяет применять его при подвеске проводов в качестве изолятора.

В основе цифровых интегральных микросхем лежат транзисторные ключи, способные находиться в двух устойчивых состояниях: открытом и закрытом. Использование транзисторных ключей дает возможность создавать различные логические, триггер-ные и другие интегральные микросхемы. Цифровые интегральные микросхемы применяют в устройствах дискретной обработки

Транзисторные каскады с емкостными нагрузками, питаемые переменным напряжением, позволяют создавать различные импульсные устройства с синхронным управлением.

Первым высшим электротехническим учебным заведением в России было Телеграфное училище Министерства внутренних дел, основанное в 1886 г. Оно было рассчитано на трехлетний курс обучения. Телеграфное училище затем было преобразовано в Электротехнический институт с четырехлетним курсом обучения. В связи с прогрессом электротехники и накоплением опыта преподавания в институте стали создавать различные ответвления специальностей. При электротехническом отделении были созданы подотделы общей и промышленной электротехники, телеграфов, телефонов и электрохимии.

Таким образом, изменяя длину отрезка короткозамкнутой на конце линии, также можно создавать различные по величине индуктивные и емкостные сопротивления. Отрезок короткозамкнутой на конце линии без потерь длиной в четверть длины волны теоретически имеет входное сопротивление, равное бесконечности. Это позволяет применять его при подвеске проводов в качестве изолятора.

для одиночных изоляторов; ^доп=2-0,5 /^разр^^разр^^расч — для спаренных изоляторов.

Опорные изоляторы '-Люм ^ ^сети,по?.г» F Доп = 0>6Fpa.ip> -Ррасч (для одиночных изоляторов) /''дон— 210,!э/?разр~ /''разр ^^расч (для спаренных изоляторов)

Опорные изоляторы ^ном ^ ^сети> ^доп = 0,6 Гразр ^ ^расч (для одиночных изоляторов); ^доп s= ''разр -^ ^расч (для спаренных изоляторов)

для спаренных изоляторов F = F

=2-0,5 FPa3p = fp33p'^fpac4 для спаренных изоляторов; 11) проходных изоляторов

По [34] коэффициент запаса для одного изолятора должен составлять 0,6, для спаренных изоляторов (когда под Fp понимается суммарная разрушающая сила) — 0,5.

для спаренных изоляторов F — F

=2-0,5/гРазр==/:'разр^^;'расч для спаренных изоляторов;

в случае двух спаренных изоляторов на опоре принимается

Опорный изолятор ном — сети ном Fam = 0,6Fpa3p > Fpac4 (для одиночных изоляторов) ^доп = -^разр ^ Fpzm (Д™ спаренных изоляторов)

в случае двух спаренных изоляторов на опоре принимается

Опорный изолятор 'Люм -"' "сети, ном ^доп ~ ^'^^p^p > ^расч (для одиночных изоляторов) ^доп = ^разр ^ ^расч (ДЛЯ спаренных изоляторов)