Сопротивление материала

Чем меньше магнитное сопротивление магнитопровода, тем меньшая МДС требуется для возбуждения в нем того же магнитного потока. По этой же причине для точных ^Т применяются магнитопроводы без стыков из пермаллоя, например ь' универсальных многопредельных. 234 : *

и считать, что она выражает закон Ома для магнитной цепи. Согласно этому закону магнитный поток равен н. с., деленной на магнитное сопротивление магнитопровода. Чем меньше сопротивление магнитопровода в машинах или аппаратах, тем меньший ток требуется пропускать по намагничивающей катушке для получения заданного магнитного потока.

Напомним, что магнитная проницаемость [А вещества зависит от величины напряженности намагничивающего поля Я [см. кривую р. (Н) на 11.8)]. Поэтому магнитное сопротивление магнитопровода является нелинейной функцией намагничивающего тока и магнитопровод представляет собой нелинейный магнитный элемент /?м(/).

ZM — комплексное магнитное сопротивление магнитопровода.

1.8. При синусоидальном токе /[=50 мА в первичной обмотке катушки взаимной индуктивности с магнитопроводом ( 1.4) напряжение на разомкнутых зажимах вторичной обмотки равно {/2=3 В и отстает от тока Л на 120°. Определите комплексное магнитное сопротивление магнитопровода и удельное комплексное магнитное сопротивление материала магнитопровода, если f=50 Гц, да1 = о>2=200, площадь поперечного сечения s=4 см2, средняя длина силовой линии /Ср= 20 см.

1.9. Определите добротность и комплексное магнитное сопротивление магнитопровода катушки индуктивности, предполагая, что напряжение, приложенное к катушке, и ток в ней синусоидальны. При напряжении, приложенном к катушке и равном 1 В, ток равен 100 мА, а магнитный поток сдвинут по фазе относительно, напряжения на 80° и равен 0,31-Ю-4 Вб. Число витков катушки tf =100, сопротивление меди обмотки RK=l Ом. Индуктивностью рассеяния катушки пренебречь.

1.11. На магнитопровод из пермаллоя с воздушным зазором надеты две обмотки с числом витков Ш]=20 и Ш2=20. Форма магнитопровода приведена на 1.6. Площадь его сечения постоянна и равна s=4 см2. Длина средней магнитной линии в магнитопроводе /ср=18,8 см. Длина воздушного зазора 6=0,2 см. Магнитные характеристики материала магнитопровода (составляющие удельного комплексного магнитного сопротивления Лмо и Ха0) для частоты f=50 Гц приведены на 1.5. Сопротивление меди обмо-

#м,в — магнитное сопротивление воздушных зазоров; ZM — комплексное магнитное сопротивление магнитопровода.

По полученному значению В из кривых на 1.5 найдем /?мо = 75 А-м/Вб и Х„0=65 А-м/Вб. Тогда комплексное магнитное сопротивление магнитопровода равно

где 2„.с — комплексное магнитное сопротивление магнитопровода без учета зазора; /?„,„ — магнитное сопротивление воздушного зазора.

1.14. Определите, какое число витков wi = wz надо намотать на магнитопровод из пермаллоя с воздушным зазором 6=1 мм для получения катушки с взаимной индутивностью М = 50 мГ, если комвлексное магнитное сопротивление магнитопровода с площадью поперечного сечения s = 3 см2 пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением воздушного зазора.

где / — длина проводника, м; S — площадь поперечного сечения проводника, м2; р — удельное сопротивление материала проводника, Ом-м.

где А0 — коэффициент теплоотдачи, представляющий собой теплоотдачу с 1м2 поверхности охлаждения проводника, Дж/(:С-с-м2); J — плотность тока в проводнике, А/м2; р — удельное сопротивление материала проводника, Ом-м; d — диаметр проводника, м.

При промышленной частоте тока в катушке 50 Гц толщина листов обычно равна 0,35—0,5 мм. При более высоких частотах толщина листов уменьшается до 0,02—0,05 мм. В материал магнитопровода добавляется 0,5—4,5% кремния (Si) ; такая присадка значительно увеличивает удельное электрическое сопротивление материала и мало влияет на его магнитные свойства.

где г (В) —функция вязкости, или приведенное динамическое сопротивление материала, Ом/'м; Нк — напряженность действующего поля.

Действительно, так как в первый момент контакты приходят в соприкосновение только в одной точке, имеющей весьма малую площадь St, то прижимающее усилие FK создаст удельное давление Fyn, значительно большее, чем удельное сопротивление материала контакта смятию a: Руя = FK/St > а.

где р — удельное сопротивление материала магнитопровода.

где L — периметр всех контуров детали, одновременно получаемых на штампе, мм; s — толщина материала детали, мм; тср — сопротивление материала детали срезу, МПа [тср= (0,7... 0,9)ов, где ов — предел прочности].

где р — удельное сопротивление материала провода.

Параметры, имеющие одинаковые значения, например для большой группы рассчитываемых асинхронных двигателей: количество фаз, частота тока, напряжение, коэффициенты заполнения сталью, удельные потери в стали, удельное сопротивление материала обмотки, входят в расчетные формулы в числовом виде.

— удельное магнитное сопротивление материала магнитопроводаи его составляющие;

1.8. При синусоидальном токе /[=50 мА в первичной обмотке катушки взаимной индуктивности с магнитопроводом ( 1.4) напряжение на разомкнутых зажимах вторичной обмотки равно {/2=3 В и отстает от тока Л на 120°. Определите комплексное магнитное сопротивление магнитопровода и удельное комплексное магнитное сопротивление материала магнитопровода, если f=50 Гц, да1 = о>2=200, площадь поперечного сечения s=4 см2, средняя длина силовой линии /Ср= 20 см.