Состоянию тиристора

(считая, что гя/в = 0). На 17.23 этому состоянию соответствует точка А пересечения кривой ?0 (/в) с прямой 1/в = гв/„. Слева от точки А значение ?0 больше, чем гв/в, т. е. ток возбуждения будет увеличиваться. Справа от точки А также невозможно устойчивое состояние, когда э. д. с. якоря меньше падения напряжения от вызываемого ею тока в цепи возбуждения.

сердечника наводят в его обмотке э.д.с. Этому состоянию соответствует уравнение для цепи нагрузки

Обменная энергия ?о0м. Минимуму энергии (равновесному состоянию) соответствует состояние однородной намагниченности. Это значит, что можно поворачивать всю систему спинов на любой угол относительно кристаллографической решетки без изменения Обменной энергии. :

Импульсные параметры транзистора. Определяются при работе транзистора в режиме ключа. Для этого режима характерны закрытое и открытое состояния транзистора. Закрытому состоянию соответствует активный режим при малых токах коллектора и базы. При этом вводится условная величина—пороговый ток коллектора /к„ = 0,01 ч-0,03 /к (/к— рабочий ток открытого транзистора).

Построение по первому способу сводится к проведению так называемой нагрузочной прямой. Эта прямая будет являться выходной динамической характеристикой. Чтобы построить нагрузочную прямую необходимо знать положение хотя бы двух точек, принадлежащих этой прямой. Для вычислений координат этих точек в декартовой системе рассмотрим два крайних состояния транзистора. Первое состояние — транзистор полностью закрыт. Этому состоянию соответствует режим холостого хода, когда ток через транзистор теоретически не проходит, так как его сопротивление (см. 5.17) бесконечно большое: гтр=оо. На графике статических выходных характеристик, например для схемы включения транзистора с ОБ, эта точка будет иметь координаты точки В на 5.19: /к = 0; (Укб = ?'к-

Второе состояние соответствует полностью открытому транзистору, так как его сопротивление очень мало и теоретически равно нулю, т. е. гтр = 0. Этому состоянию соответствует режим короткого замыкания.

промежутка. Одно из промежуточных состояний при таком перераспределении иллюстрирует ломаная пунктирная линия с участками 2а и 26 на 2-4, б, а конечному состоянию соответствует ломаная сплошная линия с участками За и 36 на том же рисунке.

Триггер с эмиттерной связью характеризуется неоднозначной по напряжению (S-образной) входной вольт-амперной характеристикой ( 5.20). Предположим, что в исходном-состоянии в схеме 5.17 транзистор 77 закрыт, а Т2 насыщен. Исходному состоянию соответствует участок между точками 0 — / на входной характеристике. С ростом напряжения ыб1 разность потенциалов между базой и эмиттером 77 изменяется и при нб1 = нх транзистор 77 открывается.

На 16.26 этому состоянию соответствует точка А пересечения кривой ?о(/в) с прямой Uв = /'в/в. Слева от точки А значение Ео больше, чем гв/в, т. е. ток возбуждения" будет увеличиваться. Справа от точки А также невозможно устойчивое состоя«ие, когда э. д. с. якоря, вызывающая ток, меньше падения напряжения в цепи возбуждения.

Упрощенная схема изменения ориентации векторов намагниченности доменов в процессе намагничивания до насыщения и после устранения намагничивающего поля показана на 13. У изотропного вещества (без магнитной текстуры) размагниченному состоянию соответствует равновероятное распределение векторов намагниченности доменов по всем направлениям ( 13, а). При наложении внешнего поля и насыщении направление всех векторов намагниченности совпадает с направлением

У анизотропного материала размагниченному состоянию соответствует равновероятное распределение векторов намагниченности вдоль оси легкого намагничивания ( 13, г). При намагничивании до насыщения вдоль текстуры, совпадающей с направлением легкого намагничивания, все векторы совпадают с направлением намагничивающего поля ( 13, 9). После устранения намагничивающего поля направление векторов намагниченности сохраняется, поскольку ось легкого намагничивания совпадает с направлением текстуры и с направлением намагничивающего поля ( 13, е). Поэтому у анизотропных материалов остаточная намагниченность близка к намагниченности насыщения.

них областей (анод и катод) и от одной внутренней, базовой области (управляющий электрод). Когда на анод подан положительный потенциал относительно катода, при возрастании напряжения ток через управляемый диод будет очень небольшим. Это соответствует отключенному состоянию тиристора (участок 1). При достижении напряжения переключения резко уменьшается внутреннее сопротивление тиристора (участок отрицательного сопротивления 2) и он переходит во включенное состояние (участок 3). Падение напряжения на тиристоре оказывается очень небольшим (единицы вольт и ниже) и сила тока

Аппроксимация ВАХ тиристора при математическом моделировании должна учитывать наличие двух ветвей. Одна ветвь ВАХ соответствует открытому состоянию тиристора и близка к ВАХ диода, а другая соответствует закрытому состоянию тиристора.

Аппроксимирующее выражение (3.38) позволяет математически описывать две ветви тиристора (п = \ и « = 0). При п=\ получаем характеристику, соответствующую открытому состоянию тиристора при положительном приложенном напряжении мпр и наличии управляющего сигнала, а также закрытому состоянию при обратном мобр приложенном напряжении.

Значение управляющего параметра п = 0 соответствует закрытому состоянию тиристора при положительном напряжении ипр и отсутствии управляющего сигнала. Соответствие интервалов работы I—IH ( 3.27, б}, участков ВАХ ( 3.27, в) и значений управляющего параметра можно представить в следующем виде:

Прямая ветвь вольт-амперной характеристики тиристора имеет три характерных участка. Участок / соответствует запертому состоянию тиристора. Переход с участка / на участок // соответствует моменту отпирания тиристора при напряжении включения Uвкл. а участок // — лавинообразному процессу переключения, протекание которого зависит от величины тока управления. Учас-

ток //./ соответствует включенному состоянию тиристора и называется рабочим. Обратная ветвь характеристики IV определяет вентильную прочность тиристора. При напряжении пробоя ?/пров тиристор теряет свои проводящие свойства, что приводит к резкому " увеличению обратного тока.

Открытое состояние тиристора соответствует низковольтному и низкоомному участку прямой ветви ВАХ. На 5.1 открытому состоянию тиристора соответствует участок 2 ВАХ. Между первым и вторым участками ВАХ находится переходный участок, соответствующий неустойчивому состоянию тиристора. Особенно проявляется неустойчивость при относительно малом сопротивлении во внешней цепи тиристора. Тогда переключение тиристора из закрытого состояния в открытое и обратно происходит по штриховым линиям ( 5.1), наклон которых определяется обычно относительно малым сопротивлением нагрузки.

Вольт-амперная характеристика тиристора (лрямая и обратная ветви) при различных токах управляющего электрода приведена на 4.31, б. Участок О А прямой ветви характеристики соответствует выключенному состоянию тиристора. Вблизи точки А ток тиристора быстро нарастает при небольшом увеличении напряжения. Напряжение, соответствующее точке А характеристики, называется напряжением включения ?/вкл.

Закрытому статическому состоянию тиристора соответствует точка А. Ток, протекающий в этом состоянии, мал, напряжение источника питания практически полностью прикладывается к тиристору (E~U) и может достигать сотен и тысяч вольт. Точка А — точка устойчивого равновесия системы нагрузка — тиристор. В самом деле, легко видеть, что при увеличении тока / по какой-либо причине падение напряжения на тиристор С/ также возрастает, и ток / в соответствии с выражением (3.17) вернется к своему значе-

Открытому статическому состоянию тиристора соответствует точка В. В этом состоянии напряжение на тиристоре мало (около 1 В), а ток может достигать значений в сотни

Закрытому статическому состоянию тиристора в обратном направлении соответствует точка D, когда к тиристору прикладывается обратное напряжение (см. 3.17).