Сопротивление коллектора

9.13. Для генератора на туннельном диоде с вольт-амперной характеристикой, приведенной на 9.7, построить фазовый портрет при условии, что рабочая точка выбрана при напряжении смещения 0,15 В, а эквивалентное сопротивление колебательного контура равно 150 Ом. Пользуясь фазовым портретом, нарисовать временные диаграммы напряжения на контуре при возбуждении и установлении колебаний.

Емкость конденсатора в колебательном контуре увеличилась в четыре раза. Как изменилось волновое сопротивление колебательного контура?

где г- =p2/R-; р = д/?/С — волновое сопротивление колебательного контура:

Р е ш е н и с. Комплексное сопротивление колебательного контура (,..

Емкость конденсатора в колебательном контуре увеличилась в четыре раза. Как изменилось волновое сопротивление колебательного контура?

7-35. Что следует из того, что волновое сопротивление колебательного контура без потерь энергии равно индуктивному сопротивлению катушки?

Для того чтобы генератор в течение всего режима нагрева работал в неизменном диапазоне частот, нужно поддерживать неизменным эквивалентное сопротивление колебательного контура. Это достигается специальным регулированием, получившим1 название согласования нагрузки. На практике применяются разнообразные схемы колебательной системы с обеспечением самовозбуждения. Выбор схемы зависит главным образом от необходимой частоты автоколебаний и требований к ее стабильности.

Общее сопротивление колебательного контура (см. рис, 5-7, б)

где Яэк — эквивалентное сопротивление колебательного контура.

где Zoe — эквивалентное сопротивление колебательного контура.

В этих выражениях Af — взаимная индуктивность катушек L и L0.c; 5 — крутизна характеристики лампы; Za — полное сопротивление колебательного контура.

Особенностью эпитаксиального слоя является однородность его структуры, в этом слое значительно уменьшается вероятность возникновения дефектов структуры, представляющих собой ловушки для носителей. В эпитаксиальном слое можно реализовать более высокое пробивное напряжение перехода коллектор — база, получить сопротивление коллектора меньшее, чем в структурах с диффузионным коллектором. Это удается потому, что эпитаксиальный слой легирован равномерно по всей толщине, в отличие от распределения концентрации легирующей примеси, получаемого диффузией.

Планарно-эпитаксиальные транзисторы. Процесс эпитаксиаль-ного наращивания подробно рассмотрен в § 3.3. Полученные таким способом транзисторы называются планарно-эпитаксиальными. Применение эпитаксиального метода позволяет значительно уменьшить сопротивление коллектора и в 3.. 10 раз уменьшить падение напряжения на нем. В результате улучшаются характеристики транзистора: увеличивается запас по напряжению и уменьшаются паразитные потери. При этом достигается частотный предел до сотен мегагерц при мощности рассеивания несколько ватт. Все это обеспечило преимущественное распространение планарно-эпитак-сиальных транзисторов.

Транзисторы типа п-р-п, получаемые таким способом, имеют высокое сопротивление коллектора. Так как концентрация примеси в диффузионной области быстро убывает с глубиной, то большая часть коллекторного тока протекает через высокоомную часть коллектора.

рования низкоомных, так называемых, скрытых слоев, уменьшающих сопротивление коллектора транзистора. Планарно - эпитаксиаль-ная структура является универсальной и позволяет реализовать различные компоненты (все транзисторные структуры, описанные ранее). Кроме того, структура дает возможность создать многоэмиттерный транзистор, диоды Шот-ки, n-p-n-транзистор с коллекторным р-п-пере-ходом, шунтированным ДШ, и другие элементы ИМС.

сопротивление коллектора

Одним из недостатков сплавных, диффузионных и выращенных транзисторов является сравнительно большое объемное сопротивление коллектора гкк, ухудшающее работу транзистора, особенно в импульсных схемах.

Сопротивление коллекторного перехода снижается пропорционально возрастанию тока инжекции. В результате инжекции ток коллектора может возрасти на 4—5 порядков, а сопротивление коллектора соответственно на 4—5 порядков снизиться.

Сопротивление нагрузки J?H остается прежним, порядка 1 МОм. Поскольку сопротивление коллектора становится значительно меньше сопротивления нагрузки, падением напряжения на коллекторе можно пренебречь и считать, что все напряжение источника питания ?/и.п.к сосредоточено на нагрузке: ?/„.„.„ » {/вых ж /э/?„.

8.34. У кремниевого сплавного p-n-p-транзистора ширина базы w=\ мкм, удельное сопротивление базы рв-= =0,5 Ом -см, удельное сопротивление коллектора значительно меньше удельного сопротивления базы. Вычислить напряжение прокола базы.

8.40. Дан кремниевый сплавной jo-n-p-транзистор, имеющий следующие данные: удельное сопротивление эмиттера рэ=0,1 Ом -см, удельное сопротивление базы рв= =25 Ом -см, удельное сопротивление коллектора рк= =5 Ом-см, ширина базы о>=2,5-1(Н см. Диаметры эмиттера и коллектора равны 0,05 см. Время жизни неосновных носителей заряда 50 икс. Транзистор работает при Т— =300 К. Переходы транзистора резкие. Требуется: а) вычислить высоту потенциальных барьеров эмиттерного и коллекторного переходов; б) определить напряжение эмиттер — база ?/ЭБ> при котором ток эмиттера /э =1 мА

8.77. По значениям /г-параметров, приведенных в справочнике, начертите Т-образную схему замещения транзистора МП 101 и определите собственные параметры транзистора (сопротивление эмиттера гэ, сопротивление базы /"б, сопротивление коллектора гк и коэффициенты передачи тока а и р).