Состоянии находится

1. Имеется температурный перепад лишь по корпусу насоса, а вал насоса и оси подшипников в исходном состоянии находятся в соосном положении. Радиальный зазор в зоне нижнего лабиринта рабочего колеса равен Д0.

При активной нагрузке RH и бесконечной мощности источника в любой момент времени проводят ток два диода: один из четной группы, который имеет наибольшее положительное напряжение, а другой из нечетной группы, у которого наименьшее напряжение (наибольшее отрицательное напряжение). На 3.24, б показаны фазные напряжения источника iiA, uB, uc. От точки а до точки b работают диоды 2 и 3, а диоды 1, 4, 5,6 отключены, затем диод 2 выходит из проводящего состояния, а диод 6 открывается, так что проводят ток диоды 3 и 6 и т. д. Переключение диодов происходит в точках пересечения синусоид фазных напряжений. Так как любые два диода включены на линейное напряжение, выпрямленное напряжение на нагрузке получается как разность кривых фазных напряжений на участках (сплошные кривые на 3.24,6), на которых в проводящем состоянии находятся соответствующие вентили и показаны номера диодов, проводящих ток. Выпрямленное напряжение имеет шестикратные

В центре коллоидной частицы находится ядро, состоящее из высокомолекулярного вещества, к которому притягиваются ионы растворителя с одинаковым знаком электрического заряда. В коллоидном растворе такие частицы имеют одинаковый знак и отталкиваются друг от друга. Следовательно, электрические силы, раздвигающие частицы с одинаковыми зарядами, препятствуют их слипанию, делая коллоидную систему устойчивой. В речной воде в коллоидном состоянии находятся в основном соединения кремния (кремнекислота), железа и органические вещества.

В этом случае вентиль VI будет закрыт до поступления следующего управляющего импульса ( 11.25, б). В противном случае произойдет опрокидывание инвертора, так как в проводящем состоянии находятся оба вентиля.

Схемы ТТЛ-типа являются насыщенными ЛЭ, так как транзисторы в проводящем состоянии находятся в режиме насыщения. Следовательно, в базах транзисторов накапливаются неосновные носители заряда, и время, затрачиваемое на их рассасывание, снижает быстродействие схемы. Чтобы избежать этого накопления избыточного заряда, параллельно переходу база — коллектор включает диод Шоттки, обладающий малым падением напряжения, меньшим, чем на переходе база — коллектор. Тогда отвод тока открытого транзистора будет происходить через диод, не вызывая накопления заряда.

1 Уровень Ферми. Истолкуем физический смысл функции Р'КЪ(Е). При размещении по Z возможным состояниям частицы, естественно, стремятся занять состояния с наименьшей энергией. Поэтому все состояния от нуля до некоторой энергии Е,р заняты частицами. В каждом состоянии находятся в соответствии с принципом Паули две частицы с различными спинами. Следовательно, в интервале энергий ч)т нуля до Еф заняты частицами Z = N/2 состояний. Состояния с энергией Е > Еф свободны. Энергия Еф, таким образом, это наивысшая энергия частицы в системе при Т — О К. Это значение энергии принято называть энергией Ферми или уровнем Ферми. Более правильно истолковать функцию FKB (E) статистически. С этой точки зрения при Т = О К вероятность замещения частицами состояний с энергиями Е < Еф равна единице, а вероятность замещения состояний с энергиями Е > Еф равна нулю.

1 Уровень Ферми. Истолкуем физический смысл функции Р'КЪ(Е). При размещении по Z возможным состояниям частицы, естественно, стремятся занять состояния с наименьшей энергией. Поэтому все состояния от нуля до некоторой энергии Е,р заняты частицами. В каждом состоянии находятся в соответствии с принципом Паули две частицы с различными спинами. Следовательно, в интервале энергий ч)т нуля до Еф заняты частицами Z = N/2 состояний. Состояния с энергией Е > Еф свободны. Энергия Еф, таким образом, это наивысшая энергия частицы в системе при Т — О К. Это значение энергии принято называть энергией Ферми или уровнем Ферми. Более правильно истолковать функцию FKB (E) статистически. С этой точки зрения при Т = О К вероятность замещения частицами состояний с энергиями Е < Еф равна единице, а вероятность замещения состояний с энергиями Е > Еф равна нулю.

Частным случаем временного кодово-адресного разделения сигналов является асинхронное временное разделение. Действительно, при ВКАР порядок передачи информации может быть любым независимо от того, в каком состоянии находятся источники информации, т. е.: изменил ли данный источник свое состояние (ТУ) или величину (ТИ) или состояние объекта и измеряемая'величина не претерпели изменения по'сравнению с предыдущей передачей. При АВР передаются только те источники, кото-' рые изменили свое состояние или величину по сравнению с предыдущей1 передачей. : •• ' ''

Одним из основных при определении несущей способности пространственных конструкций является вопрос о напряженном состоянии и работе сечений в местах образования линий излома и шарниров текучести. В зависимости от принятого в расчете распределения сил в сечении в предельной стадии изменяется расчетная предельная нагрузка. При различных схемах разрушения в предельном состоянии находятся различные сечения конструкций. В одних случаях исчерпывается несущая способность поперечного сечения конструкций в целом, в других — прочность конструкции зависит от несущей способности отдельных ее элементов (полки, ребер, диафрагм и т. д.). По мере исчерпания несущей способности в пространственных конструкциях, как и в плоскостных системах, происходит перераспределение усилий. В большинстве случаев расчет прочности покрытий в виде оболочек тесно связан с выяснением закономерностей перераспределения сил в таких системах.

Контакты, которые в неработающем состоянии находятся в разомкнутом положении, называются замыкающими, а в замкнутом положении — размыкающими (см. приложение 3). В аппаратах, применяемых для автоматического управления электроустановками, контакты могут замыкаться или размыкаться с выдержкой времени.

При межфазной коммутации каждый из тиристоров анодной группы VSi, VS3, VS$ и каждый из тиристоров VS2, VS4, VSe катодной группы проводит ток в течение одной трети периода Г/3 выходной частоты (т. е. Ха = = 120°), так что в схеме всегда во включенном состоянии находятся два тиристора, относящиеся к разным группам и разным фазам ( 3.35,6); при этом момент пере-

В проводящем состоянии находится тот вентиль, у которого наиболее положительный потенциал на аноде. Следовательно, как видно из диаграммы фазных напряжений вторичной обмотки ( 11.5, б), в интервалах 1-2, 2-3, 3—4 в открытом состоянии будут находиться соответственно вентили VI. V2, V3 . Точки 1,2,3 ... являются точками естественного включения вентилей. Продолжительность работы каждого вентиля составляет одну треть периода (2 я/3).

При облучении атомов в направлении магнитного поля циркулярно поляризованным светом резонансной частоты, соответствующей переходу атома из основного состояния в возбужденное, происходит оптическое возбуждение атомов, после чего они возвращаются в исходное состояние. Так как обратный переход атомов из возбужденного состояния в основное состояние обусловлен главным образом тепловыми явлениями и намного медленный по сравнению с временем возбуждения, то в установившемся динамическом режиме в возбужденном состоянии находится больше атомов. Поэтому рабочее вещество вследствие прекращения поглощения света станет более прозрачным, чем в начальный момент после включения резонансного света.

Если происходит изменение состояния водяного пара, то прежде всего нужно решить вопрос, не произошло ли при этом изменения агрегатного состояния тела. Так, например, при изменении состояния перегретого пара часть его может перейти в жидкость и тогда в конце изменения состояния рабочее тело будет уже представлять собой влажный насыщенный пар (или воду, если конденсация произошла полностью). Чтобы решить, в каком агрегатном состоянии находится тело, нужно иметь в виду следующее: для перегретого пара при одном и том же давлении v > v", i > /„, а при одной и той же температуре v > v", р < р„; здесь р, v, t — параметры перегретого пара; v" — удельный объем сухого насыщенного пара; ра и ta — давление и температура насыщения.

При помощи этих соотношений всегда можно, пользуясь таблицами насыщенного пара, определить, в каком состоянии находится рабочее тело: жидком или газообразном. Если определено, что пар перегретый, то значения его параметров состояния можно определить, пользуясь диаграммой is или табл. III.

При облучении атомов в направлении магнитного поля циркулярно поляризованным светом резонансной частоты, соответствующей переходу атома из основного состояния в возбужденное, происходит оптическое возбуждение атомов, после чего они возвращаются в исходное состояние. Так как обратный переход атомов из возбужденного состояния в основное состояние обусловлен главным образом тепловыми явлениями и намного медленный по сравнению с временем возбуждения, то в установившемся динамическом режиме в возбужденном состоянии находится больше атомов. Поэтому рабочее вещество вследствие прекращения поглощения света станет более прозрачным, чем в начальный момент после включения резонансного света.

Согласно современным физическим представлениям, условия выхода электрона из катода определяются энергетическим уровнем, который он занимает, находясь на соответствующей орбите в атоме. По законам квантовой статистики, в каждом энергетическом состоянии находится не более одного электрона. При температуре абсолютного нуля электрон занимает энергетический уровень, называемый уровнем Ферми. Но в металлах имеется энергетическая зона с уровнями выше уровня Ферми, которые остаются

Ввод транзакций (запросов). Для того чтобо! пользователь всегда знал, в каком состоянии находится «Спинтер», на терминал выдаются сообщения, показывающие, ввод какого типа информации ожидает система (т. е. как будет обрабатываться то, что пользователь введет в систему).

Своды основных печей, так же как и арки, не выкладывают из магнезитовых кирпичей; обычно их выполняют из динасовых кирпичей. Однако стойкость динасовых сводов в основных печах никак нельзя признать достаточной. Она сильно зависит от длительности периода рафинирования, сорта стали, характера шлака и высоты свода над уровнем металла и потому колеблется в широких пределах от 100 и даже 140 до 20, иногда 10 плавок. Чем крупнее печь, тем в более напряженном тепловом состоянии находится свод, тем меньше его срок службы. Обычно срок службы свода меньше срока службы стен и своды приходится менять чаще, чем стены. Это крайне вредно для стойкости свода, так как при установке холодного свода на раскаленную печь в сводовых кирпичах появляются сильные термические напряжения и они растрескиваются. Поэтому следует стремиться к получению одинакового срока службы свода и стен, чтобы заменять их одновременно. Если это невозможно, то желательно предварительно медленно подогреть свод перед его установкой на печь. Вообще применение

динаса для сводов в основных печах нельзя признать рациональным. Температура внутренней части свода, особенно в центральной его части, достигает 1 650 и даже 1 700° С, и динас находится на пределе прочности— в размягченном состоянии; поверхность свода покрывается сосульками, иногда динас даже начинает каплями стекать в шлак, ухудшая его свойства. Известковая пыль и брызги шлака в свою очередь разъедают динас, и расход кирпича на свод достигает 50 кг на 1 т металла. Стойкость отборного динаса повышенного качества (электродинаса), имеющего повышенную огнеупорность и прочность, несколько больше, чем обычного динаса. Тем не менее разработка более стойкого материала для сводов основных печей весьма актуальна.

Превышение температуры обмотки машины над температурой окружающей среды определяют методом сопротивления. При этом возрастание сопротивления обмотки при постоянном токе в нагретом состоянии находится относительно практически холодного состояния. Метод сопротивления позволяет определить среднее значение температуры.

металлов (Ag, Pd, Au, Pt), окислов металлов и стекла, взвешенных в органической связке (например, скипи-дарно-канифолевой) до вязкости 2000 Пз. В зависимости от соотношения исходных компонентов и характера рабочей среды при вжигании можно получить слои с удельным сопротивлением от 0,02—0,1 Ом (для проводников и контактов) до 10 Ом — 1 МОм (для резисторов) на квадрат. Толщина проводящих и резистивных слоев в отожженном состоянии находится в пределах от 15 до 25 мкм.