Состояние поверхности

того фиксируется набор выходных переменных, принимающих при пеТеГде единичное'значение (задание функции выходов . Р Автомат Мили, построенный по микропрограмме, имеет чис-ло состояний, как правило, меньшее числа состояний эквива-лентного ему автомата Мура. С этой точки зрения использование автомата Мили предпочтительно. Однако применение автомата Мили в качестве управляющего автомата не всегда возможно. Объясняется это тем, что УА работает в контуре с операционным блоком ОБ ( 8.11). У автомата Мили переход в новое состояние осуществляется одновременно с формиро-ваГем выходного сигнала. Поэтому, если ОБ вырабатывает оповещающие сигналы и......и„ сразу при возникновении управляющих сигналов, а управляющий автомат является автоматом Мили, возможна следующая недопустимая ситуация: автомат Мили еще не сменил состояние, а на его входы пришли новые значения оповещающих сигналов, требующие выполнения иного перехода.

тании R - I, S = 0 на выходе получим Q = О, Q = 1, а при сочетании R = 0 и S = О схема не изменит предыдущего состояния. Комбинация R = 1 и S = 1 для данной схемы является запрещенной, так как выходные сигналы неопределенны. Асинхронный триггер на логических элементах И-НЕ ( 10.13, в ) отличается от рассмотренного тем, что имеет инверсные входы. Это значит, что переход в новое состояние осуществляется при изменении входного сигнала с 1 на 0. Комбинация входных сигналов Я = 1и5 = 1не изменяет предшествующего состояния схемы, а комбинация R = 0 и S = 0 является запрещенной.

Для данной схемы оно равно N^Q = 15, N2 = 1111. При превышении Л^ = = 1111 счетчик переходит в нулевое состояние. Установка счетчика в нулевое состояние осуществляется также путем одновременной подачи импульса на Я-входы всех триггеров (Уст. 0). Для надежной установки 0 сигнал Уст. О по длительности должен значительно превышать сигналы X. Возможно построение подобных схем на потенциальных ^-триггерах и триггерах других типов.

В автоколебательном режиме имеет место относительно медленное изменение токов и напряжений в схеме, в результате чего транзисторы поочередно находятся в режиме отсечки и насыщения. В ждущем режиме переход схемы в новое состояние осуществляется под действием внешнего управляющего им-

Более сложная схема трехразрядного регистра на асинхронных ^S-триггерах и логических элементах И ( 150) способна реализовать несколько микроопераций. Установка триггера в исходное состояние осуществляется подачей на входы R соответствующего сигнала сброса. Если эту микрооперацию не выполнять, то при подаче сигнала на шину «логическое сложение» можно получить поразрядное сложение кодов числа, хранящегося в регистре и находящегося на входах х\, х2, х3. Пусть, например, регистр хранит число 100, а на входах имеются сигналы, соответствующие х\ = 0, х2 = 1, х3 = 1. При наличии управляющего сигнала на шине «логическое сложение» в единичное состояние переключаются триггеры младших разрядов и в регистре оказывается код 111.

установка разрядов основного регистра памяти в единичное состояние осуществляется с помощью управляющего регистра сдвига, на вход которого записывается 1 в момент начала преобразования /и (в этот же момент происходит устачовка в 1 старшего разряда основного регистра и обнуление всех осталыых его разрядов). На каждом такте преобразования (задаваемом генератором G) сигнал с выхода схемы сравнения, вырабатываемый в случае превышения эталонным напряжением входного (т. е. при Uэ > ?/вх), проходит только через ту схему совпадений, на второй вход которой подается разрешающий сигнал с одного из разрядов сдвигающего регистра. При этом происходит сброс соответствующего разряда основного регистра в нулевое состояние. Затем происходит сдвиг оазрешающего сигнала на вход следующего (младшего) разряда, который в момент переключения этого сигнала (т. е. в момент сдвига) устанавливается в 1. Если на данном такте управления не выполняется условие Ua > ?/BX, то сигнал сброса не вырабатывается схемой сравнения и соответствующий разряд регистра остается в единичном состоянии. В течение п тактов происходит последовательная установка в 1 или в 0 всех разрядов регистра в соответствии с графом переходов на 3.42, б. Операция преобразования заканчивается в момент перехода управляющего единичного сигнала в последний разряд сдвигающего регистра, так как при этом

правленпая передача байтов информации, необходимая для буферизации ШД, обеспечивается встречным включением двух МБР. Если в МПВУ организуется режим прямого доступа к памяти, то перевод выходных вентилей МБР в высокоимпедансное состояние осуществляется установкой ВК = 0 с помощью сигнала «Подтверждение захвата шин».

В настоящее время имеются две разновидности СИТ транзисторов. Первая разновидность транзисторов, называемых просто СИТ, представляет собой нормально открытый прибор с управляющим /7-я-переходом. В таком приборе при нулевом напряжении на затворе цепь сток-исток находится в проводящем состоянии. Перевод транзистора в непроводящее состояние осуществляется при

пользуемый небольшой прибор для тестирования. По внешнему сигналу запуска (или используя ручной запуск) он вырабатывает на выходе пачку из я импульсов с заданной частотой следования, которая может иметь ряд дискретных значений. На 8.92 показана принципиальная схема генератора. Интегральные схемы 'НС40102 представляют собой КМОП высокоскоростные 2-декадные вычитающие счетчики, тактируемые непосредственно частотой, выбираемой десятичным делителем, подключенным к 10-МГц кварцевому генератору. Счетчики делителя могут блокироваться либо активным уровнем на выходе A3 (асинхронная загрузка), либо пассивным уровнем на входе переноса (Вх. пер.). Когда запускающий импульс появляется (заметим, что используется 'НСТ-серия на входе для совместимости с биполярной ТТЛ), триггер-1 выдает разрешение счетчику, а триггер-2 обеспечивает синхронизацию счета после следующего положительного фронта тактового импульса. Тактовые импульсы проходят через вентиль И-НЕ-3 до тех пор, пока счетчики не достигнут нуля, в это время оба триггера сбрасываются в исходное состояние; осуществляется параллельная загрузка в счетчик числа и, задаваемого двоично-десятичными переключателями, запрещается счет и схема готова для другого запуска. Заметим, что использование резисторов, подключенных к общему проводу, в этой схеме означает, что должны быть использованы двоично-десятичные переключатели в прямом коде (предпочтительнее, чем в дополнительном). Отметим также, что вход ручного запуска должен иметь защиту от дребезга, так как он тактирует триггер. Защита от дребезга не требуется для переключателя режимов, который просто разрешает формирование на выходе непрерывной последовательности импульсов.

Существует категория микросхем, способных принимать и третье состояние, при котором оконечные транзисторы бывают заперты, что равносильно отключению микросхемы от нагрузки. На ьтом основании третье состояние называют еще высокоимпедансным Перевод в высокоимпедансное состояние осуществляется по специальному входу. В зависимости от конкретного типа микросхемы отключение выхода моле г осуществляться сигналами высокого или низкого уровня.

алгебраической суммы сигналов иу(иоп) и иа на его входе. Возврат интегратора в исходное состояние осуществляется 9 момент подачи импульса синхронизации от устройства синхронизации УС замыканием разрядного ключа К- На -Лис. 3.2,о показано положение импульсов синхронизации §yiC относительно напряжения па фазы А питающей сети, -а.'на 3.2,6 и б —диаграммы напряжений на входе и .^ыходе И и НО соответственно в вертикальной и интег-¦^црующей СИФУ. Из 3.2,1> видно, что при подаче на вход Я опорного сигнала иоп его выходное напряжение ви линейно изменяется в функции времени. Напряжение Щи подается на один из входов НО, на другой — сигнал управления щ. При равенстве мгновенных значений иа w My выходное напряжение иа НО изменяет свое состояние на противоположное, что является сигналом на включение соответствующего тиристора. Таким образом, происходит отсчет углов а в СИФУ, действующей по вертикальному принципу. Следует отметить, что, поскольку в <ЗИФУ вертикального действия происходит сравнение «гновенных значений иа и %, угол а пропорционален значению напряжения управления в этот момент времени

Сила тока, проходящего через тело человека при попадании его под напряжение, зависит от величины приложенного напряжения и сопротивления тела человека (состояние поверхности кожи в месте соприкосновения, общее состояние организма человека и т. д.). Сопротивление тела человека изменяется от нескольких сотен до десятков тысяч ом. Сопротивление тела человека резко снижается при потной, засоренной проводящей пылью, смоченной эмульсией или другими растворами коже.

энергия сварочного импульса, усилие сжатия электродов, сечение и состояние поверхности электродов, форма импульса сварочного тока. Форма импульса сварочного тока и длительность его протекания зависят от емкости сварочных конденсаторов С, напряжения их зарядки U, коэффициента трансформации /Ст, индуктивности L и суммарного активного сопротивления контура Rz- В зависимости от соотношения параметров разрядного контура наблюдаются три формы импульсов сварочного тока ( 8.8). Рабочей является апериодическая форма тока. При переходе в колебательный режим процесс становится неустойчивым и требует регулировки параметрами /(т и С. Производительность процесса зависит от постоянных времени заряда и разряда конденсаторов.

Ток, проходящий через человека, зависит от значения приложенного напряжения и сопротивления тела человека (состояние поверхности кожи в месте соприкосновения, общее состояние организма человека и т. д.). Сопротивление тела человека изменяется от нескольких сотен до десятков тысяч ом и резко снижается при потной, засоренной проводящей пылью, смоченной эмульсией или другими растворами коже.

Материал и состояние поверхности тела Т, К с Материал и состояние поверхности тела Т, К ?

Следует отметить, что изложенные ранее методы определения параметров полупроводников с помощью спектральных характеристик фотопроводимости получены на основе анализа фотопроводимости при выполнении условия электронейтральности как в объеме, так и на поверхности образца. Другими словами, при анализе предполагалось, что обязательно существующая вблизи поверхности образца область пространственного заряда не оказывает существенного влияния на рекомбинацию носителей заряда и фотопроводимость, а состояние поверхности можно характеризовать скоростью поверхностной рекомбинации. Введение скорости поверхностной рекомбинации предполагает наличие квазиравновесия между носителями заряда на поверхности и в объеме полупроводника. Из анализа следует, что существование приповерхностных изгибов энергетических зон, значительно превышающих среднюю тепловую энергию носителей заряда, нарушает такое равновесие уже при низких интенсивностях процессов рекомбинации на поверхности. Это приводит к качественным изменениям характеристик фотопроводимости.

золяет избавиться от измерений их абсолютных значений и упростить вычисления. Углы падения светового луча выбирают таким образом, чтобы один из них был меньше, а другой — больше угла минимального отражения. Для 3<Пг2<6 .угол минимального отражения лежит между 31 и 74°. Желательно выполнить измерения еще при третьем значении угла падения, лежащем между предыдущими двумя. Это дает возможность усреднить полученные результаты для пгз и k2 и судить о точности эксперимента. Вычисление пг2 и Й2 производят с помощью номограмм Звери, по специальным таблицам или способом пepecekaющиxcя окружностей. Так как отражение от диэлектрика происходит в тонком поверхностном слое, составляющем малую часть длины волны (Я/50), то при выполнении таких измерений большую роль играет состояние поверхности. Поверхностный слой образца не должен содержать оксидных или других пленок, а также нарушений структуры поверхности, вызванных ее механической обработкой. Напротив, сильное влияние состояния поверхности образца иа отражение создает условия эффективного изучения ,н контроля состояния поверхности и процессов, протекающих на ней.

где с — коэффициент, учитывающий способ, чистоту обработки и состояние поверхности контактных элементов (для очень грубых поверхностей с=3, для грубых с=2, для чисто обработанных с=1); НВ — поверхностная твердость по Бринеллю (выбирают по более мягкому контактирующему материалу); b — коэффициент, зависящий от характера деформации, вида и формы зоны контактирования (при нагрузке ниже предела упругости Ь=0,33; для линейного контакта Ь=0,5-=-0,7, для плоского контакта Ь—2,0; при наличии изолирующей оксидной пленки Ь=0,7-т-1,0); pn=pi+ +р2 — приведенное удельное сопротивление материалов, из которых выполнены контактные элементы; рг, р2 — удельные электрические сопротивления материалов контактных элементов. Более точный расчет FKV осуществляют по формулам [2].

Однако в действительности на плотность поверхностных состояний оказывает влияние ряд других факторов, характеризующих реальное состояние поверхности и несовершенство технологических операций. Важнейший из них связан с различием исходных состояний поверхностных атомов полупроводника, обусловленным тем, что реальную поверхность полупроводника нельзя отождествлять с идеальной кристаллографической плоскостью. Реальная поверхность всегда имеет определенный рельеф как в микроскопическом, так и в макроскопическом масштабе и, следовательно, различные ее участки ограничены разными кристаллографическими плоскостями. Поэтому на такой рельефной поверхности имеются внешние и внутренние углы, условия

Режимы разламывания пластин на кристаллы определяются прочностью полупроводника, которая в свою очередь зависит в основном от площади кристалла и в меньшей степени от его толщины. На прочность влияет и состояние поверхности пластины. Эта величина возрастает в 2-5 раз после химической обработки поверхности по сравнению с прочностью после резания или шлифовки. Микротрещины, возникающие

водника. Процесс травления в целом подчиняется законам химической кинетики. Зарядовое состояние поверхности полупроводника при этом не играет существенной роли **.

*' В действительности понятие химического травления, хотя и принято, является весьма условным, так как в реальных условиях зарядовое состояние поверхности меняется в процессе травления и это изменение оказывает значительное влияние на кинетику химического механизма.