Состояние наступает

По мере роста постоянного тока управления увеличивается постоянная составляющая потоков в сердечниках, и крайние точки циклов перемагничивания А и А' смещаются все ближе к участкам Ф=Ф^. При этом уменьшается перепад потоков ДФ, необходимый для введения очередного сердечника в состояние насыщения. Насыщение наступает при более ранних фазах напряжения и (ts -»- 0), в результате чего увеличивается проводящая часть каждого полупериода.

* Диаграмма для метода записи БВН-1 приведена на 5.3, а. При записи 1 ток в обмотке записи изменяет направление, и носитель соответственно переходит из состояния насыщения одного знака в состояние насыщения другого знака. При записи 0 направление тока в обмотке и состояние носителя не меняются. Достоинством метода является возможность записи на носитель новой информации без стирания предыдущей. <

Сущность рассмотренного явления заключается в следующем. Одновременно с процессом растворения существует и обратный процесс — выделение молекул из раствора на поверхность твердого тела. Чем больше частиц находится на границе с поверхностью, тем интенсивнее происходит обратный процесс. В результате этого число частиц, переходящих в раствор и выпадающих из него на поверхность растворяющегося вещества в единицу времени, станет одинаковым и процесс растворения закончится. Отвечающий этому состоянию раствор, называемый насыщенным, содержит максимально возможное количество растворенного вещества. Однако состояние насыщения зависит от условий проведения процесса. Так, с повышением температуры растворимость твердых веществ в воде, как правило, увеличивается. В связи с этим, оценивая возможность растворения того или иного количества твердого вещества в воде, нужно учитывать температуру жидкости во время растворения и последующего ее хранения. Ненасыщенный раствор при уменьшении температуры становится насыщенным, а затем может стать перенасыщенным, из которого часть растворенного вещества может выпасть в осадок. Таким способом выращивают кристаллы из растворов, полученных при высокой температуре.

Состояние насыщения неустойчиво и долго продолжаться не может. Как только ток коллектора перестанет увеличиваться, прекратится действие положительной обратной связи и начнется разряд конденсатора Сб. Причем, если ток заряда вызывал падение напряжения на резисторе R6 в полярности минус на базу, плюс на эмиттер, то при разряде напряжение оказывается приложенным в полярности плюс на базу, минус на эмиттер, что приводит к запиранию транзистора.

При использовании операционных усилителей существенно упрощаются схемы многих видов генераторов, в том числе и мультивибраторов. Схема мультивибратора на операционном усилителе приведена на 82, а. Работа мультивибратора происходит следующим образом. В начальный момент после включения напряжений источников питания (на схеме для упрощения не показанных) напряжение на выходе операционного усилителя А может несколько отличаться от нуля вследствие неидеальной балансировки усилителя по постоянному току. Пусть, к примеру, это весьма малое напряжение будет положительным. Через цепь положительной обратной связи (ГЮС), образованной резисторами Rl, R2, напряжение ?/поо подается на неинвертирующий вход операционного усилителя, усиливается им, снова подается на вход и т. д., пока усилитель не переключится в состояние насыщения и напряжение на его выходе не станет максимально возможным, равным ^нас (весьма близким к напряжению источника питания). Это переключение происходит достаточно быстро — доли-единицы микросекунд — и определяется полосой пропускания операционного усилителя. К инвертирующему входу операционного усилителя подключен конденсатор С, напряжение на котором в начальный момент равно нулю. После переключения конденсатор начинает заряжаться через сопротивление R, подключенное к выходу усилителя, и напряжение на нем начинает возрастать ( 88, б):

Схема стабилизатора, в которой с ростом /вых транзистор ТР откроется, приведенана VIII. 27, д. Когда выходной ток достигнет такой величины, при которой падение напряжения на резисторе К3ащ становится достаточным для перевода транзистора Гзащ в состояние насыщения, этот транзистор своим переходом коллектор —база шунтирует переход коллектор — база транзистора ТР и переведет последний в режим насыщения. При этом напряжение (7К на ТР очень мало и мощность РК снижается до очень малой величины. Возврат схемы в исходное состояние происходит автоматически при уменьшении тока /ВЫх.

3. Обмотка положительной обратной связи (шк) обеспечивает форсированное включение транзистора. Кроме того, при учете существенно нелинейного характера кривой намагничивания формирователь обладает лучшей формирующей характеристикой. Это выражается в том, что длительность выходного импульса мало зависит от длительности входного. После открывания транзистора пере-магничивание сердечника в состояние 0 происходит под действием как входного тока считывания, так и тока коллектора. Если входной импульс считывания имеет малую длительность, то сердечник продолжает перемагничиваться под действием тока коллектора, при этом ток в цепи базы остается достаточным для насыщения транзистора. Длительность выходного импульса в основном обусловливается временем перемагничивания сердечника (0, 4). а оно определяется отношением: /„ = 2B^w6IUz cp; величина U2 cp при этом мало зависит от величины тока базы вследствие нелинейности входной цепи. Этим и объясняются хорошие формирующие свойства схемы.

4. В процессе выключения транзистора трансформатор практически не участвует. После перемагничивания сердечника в состояние насыщения уменьшение намагничивающей м. д. с. FC4 = = 'сч^сч + *к^к практически не изменяет потока в сердечнике, так как перемагничивание в этот момент происходит по пологому участку кривой намагничивания.

При запуске от спада импульсом i'BX в обмотке швх трансформатора Тр2 процессы протекают следующим образом. Импульс тока гвх создает м. д. с. AF2 = —IK*waK. При этом происходит намагничивание сердечника Тр2 в состояние, характеризуемое точкой В на кривой намагничивания ( 3-11). Во время намагничивания на обмотке шб2 наводится э. д. с., запирающая транзистор. При спаде входного импульса сердечник начинает размагничиваться. На обмотке w62 наводится э. д. с., отпирающая транзистор. За счет действия положительной обратной связи в схеме возникает регенеративный процесс. Транзистор входит в состояние насыщения. Далее процессы протекают аналогично рассмотренному выше. Отличие заключается в том, что сердечник трансформатора Тр2 перемагничивается из состояния, характеризуемого точкой В, а не С ( 3-11). Вовремя размагничивания рабочая точка опять вернется в С.

В момент времени 1г транзистор входит в состояние насыщения, а в момент tb из него выходит. Рассмотрим изменение избыточного заряда QH36 на отрезке времени (t2, t&). Согласно методу заряда

В режиме насыщения ток коллектора нельзя подсчитать по формуле (5.5), поэтому, пользуются приближенным выражением /к»?к//?к. Для режима отсечки напряжение на коллекторе икжЕк. При импульсных управляющих напряжениях активный режим существует лишь кратковременно при переходе транзистора из состояния отсечки в состояние насыщения и обратно. В это время рабочая точка, перемещаясь по нагрузочной прямой, занимает промежуточные положения между точками /4 и В (см. 12.18, б). В диапазоне температур рабочая точка В может сместиться вниз по нагрузочной прямой и оказаться в активном режиме. Чтобы это исключить, необходимо обеспечить глубину насыщения JV=1,5— 2,0.

жим ожидания). Поэтому одновибраторы часто называют щими мультивибраторами. Неустойчивое состояние наступает с приходом кратковременного входного запускающего импульса. Это состояние сохраняется требуемое время, задаваемое выбором элементов ЛС-цепи, после чего одновибратор возвращается в исходное устойчивое состояние.

Действие на ион механической силы f, обусловленной разностью давлений, эквивалентно наличию электрического поля напряженностью Естор = fIq, где q — заряд иона, что находится в полном соответствии с общим определением напряженности электрического поля. Таким образом, равновесное состояние наступает при условии

Из уравнения (5.33) следует, что квазистационарное состояние (dnl /dt— 0) характеризуется равенством (dnldt)Dij = (dnldf)r- В случае преобладания диффузионной составляющей, т. е. при (dn/dt)Dij > >(dnldf)T, возникает процесс деионизации или распад плазмы ствола, определяющий условия гашения дуги. Такое состояние наступает при отрицательном энергетическом небалансе, когда отводимая при охлаждении ствола мощность становится больше мощности, вводимой в дугу от внешних источников, что обычно приводит к снижению температуры плазмы, следовательно, и к уменьшению степени термической ионизации. В процессе распада плазмы существенную роль играет потеря электронов, обусловленная явлением прилипания электрона к атому газа (см. гл. 4).

том отпирания вентилей при прямом приложении напряжения между анодом и катодом иа,к>0, в то время как закрытое состояние наступает только при иа,к<0. Наиболее распространенные в ЭТУ схемы силовой части систем ТП— Д приведены на 8.8. Область применения их в ЭТУ та же, что и систем МУ—Д, но технико-экономические показатели систем ТП—Д для ряда приводов ЭТУ, требующих высокого быстродействия, предпочтительнее.

Точка Р, лежащая на оси абсцисс, соответствует резонансу напряжений (UL — L/C). Это состояние наступает, если, например, при режиме работы с током /3 постепенно уменьшать напряжение цепи U.

Действие на ион механической силы^ обусловленной разностью давлений, эквивалентно наличию электрического тюля напряженностью ЕСТОр =f/q, где q — заряд иона, что находится в полном соответствии с общим определением напряженности электрического поля. Таким образом, равновесное состояние наступает при условии

жим ожидания). Поэтому одновибраторы часто называют ждущими мультивибраторами. Неустойчивое состояние наступает с приходом кратковременного входного запускающего импульса. Это состояние сохраняется требуемое время, задаваемое выбором элементов ЛС-цепи, после чего одновибратор возвращается в исходное устойчивое состояние.

мени, и поэтому новое установившееся состояние наступает не сразу, а с некоторым запозданием. Это явление называют гистерезисом. Допустим, что ток внезапно изменился от значения IY (точка /) до значения 12 (точка 2). В первый момент дуга сохранит свои сечения и температуру, а градиент уменьшится (точка 2'). Подводимая мощность будет меньше необходимой для проведения тока 12. Поэтому сечение и температура начнут уменьшаться, а градиент увеличиваться, пока не наступит новое установившееся состояние в точке 2 на статической характеристике. При внезапном увеличении тока от значения /j до значения 13 градиент напряжения увеличится (точка 5'). Подводимая к дуге мощность будет больше необходимой для проведения тока 13. Поэтому сечение и температура столба начнут увеличиваться, а градиент напряжения уменьшаться, пока не наступит новое установившееся состояние в точке 3 на статической характеристике. При плавном изменении тока с некоторой скоростью градиент напряжения не успевает следовать за изменением тока в соответствии со статической характеристикой. При увеличении тока градиент напряжения превышает значения, определяемые статической характеристикой, а при уменьшении тока градиент напряжения меньше этих значений. Кривые Е = /(/) при изменении тока с некоторой скоростью представляют

Категория B-I включает в себя взрывоопасные помещения с горючими газами и парами, а категория В-П — взрывоопасные помещения с горючими волокнами или пылью. При этом в зависимости от времени наступления опасности взрыва каждая из указанных категорий помещений в свою очередь делится на две группы. К первой относятся взрывоопасные помещения класса B-I и В-П, в которых возникает взрывоопасная концентрация как в нормальных, так и и аварийных условиях работы при прекращении действия соответствующих защитных средств, если опасное состояние наступает весьма быстро и предотвращение его затруднено. Ко второй относятся взрывоопасные помещения класса B-Ia, B-I6, В-1г и В-П а, в которых опасное состояние наступает только в аварийных режимах и при этом настолько медленно, что имеется возможность его предотвращения.

Многостадийная модель. Особое место среди нелинейных моделей накопления повреждений занимают многостадийные модели, отражающие тот факт, что многие процессы накопления повреждений состоят из двух или большего числа стадий, каждая из которых протекает по своим законам. Типичная зависимость, состоящая из трех стадий, показана на рисунке 2.3 [3, 5]. Эту зависимость можно интерпретировать, например, как изменение износа при постоянных нагрузках. Первая, начальная стадия — приработка. При значении t = Ты (q) износ достигает значения iff = y\, после чего наступает вторая стадия, в течения которой скорость изнашивания приблизительно постоянна. Большинство деталей вырабатывает свой ресурс именно на этой стадии. При t ~ Тьг (q) и у/ = ц/2 начинается заключительная стадия - интенсивное изнашивание. Предельное состояние наступает при t ~ Г43 (q). Для этого состояния ц/ = ip* = 1. Если за предельное состояние принимают момент окончания стадии установившегося изнашивания, процесс состоит из двух стадий. При этом следует принять у/2= 1 •

Скорость вращения двигателя регулируется перемещением скользящего контакта реостата в цепи обмотки управления 7?оу. С помощью реостата Rm регулируется степень обратной связи по току якоря. Механические характеристики двигателя изображены на 3-11,5. Как видно из рисунка, характеристики имеют вид, подобный характеристикам двигателя в системе Г—Д. Однако регулирование скорости вращения при холостом ходе или малой нагрузке практически невозможно, так как все характеристики имеют общую точку скорости идеального холостого хода щ. Одним из существенных недостатков рассмотренной системы является ее значительная инерционность. При резком изменении нагрузки на валу двигателя могут возникнуть колебания и новое установившееся состояние наступает спустя 0,2—¦ 2 сек. Комплектные установки, выпускаемые промышленностью, позволяют получить диапазон регулирования скорости порядка 10: 1.



Похожие определения:
Совпадение расчетных
Современные промышленные
Современных энергосистемах
Современных конструкциях
Современных технологических
Сопротивление кристалла
Современной электронике

Яндекс.Метрика