Состояния необходимо

Для запоминания информации используют два противоположных состояния насыщения магнитного материала носителя.

* Диаграмма для метода записи БВН-1 приведена на 5.3, а. При записи 1 ток в обмотке записи изменяет направление, и носитель соответственно переходит из состояния насыщения одного знака в состояние насыщения другого знака. При записи 0 направление тока в обмотке и состояние носителя не меняются. Достоинством метода является возможность записи на носитель новой информации без стирания предыдущей. <

Рассмотрим уравнение (7.12) базовой цепи в процессе выключения транзистора за время тВЬ1КЛ. В течение этого времени входное напряжение на базовой обмотке отсутствует, а базовый ток имеет обратное направление. Транзистор выходит из состояния насыщения и постепенно закрывается. Для ускорения процесса выключения можно подобрать длительность тактового импульса такой, чтобы задний фронт импульса совпал по времени с моментом выключения транзистора, что создает дополнительное ускоряющее напряжение на базовой обмотке. Если спад коллекторного тока считать прямолинейным, то среднее значение этого тока за-время твыкл равно 0,5 /кн. Проинтегрировав уравнение (7.12) за время твыкл, получаем

При подсчете балансов регенеративных подогревателей следует учитывать изменение недогрева воды f> до состояния насыщения, который определяется формулой, аналогичной (1-21). Расчеты показывают, что этот не-догрев меняется с изменением нагрузки по квадратичному закону.

При поступлении на общий вход схемы в момент времени t\ импульса отрицательной полярности малой длительности состояние запертого транзистора 7*2 не изменится, однако транзистор Т\ выйдет из состояния насыщения (рабочая точка транзистора переходит из области насыщения на границу с активной областью) и восстановятся его усилительные свойства. При этом коллекторный ток /К уменьшается, а напряжение на коллекторе повышается. Положительное приращение коллекторного напряжения через резистор R передается на базу транзистора 7*2. Когда это приращение напряжения компенсирует напряжение смещения на базе транзистора 7*2, последний выходит из запертого состояния и его усилительные свойства восстанавливаются. С этого момента, когда выполняются условия самовозбуждения (5.4) и (5.5), начинается процесс опрокидывания триггера.

Расчет транзисторных схем в ключевом режиме. Для надежной работы транзистора в ключевом режиме нужно обеспечить четкий переход его из состояния насыщения (транзистор открыт) в состояние отсечки (транзистор закрыт) и наоборот при соответствующем изменении входного напряжения от уровня полезного сигнала t/c до уровня помехи f/пом. На 5.5 дана схема, когда Uc и t/пом имеют, одинаковую полярность относительно эмиттера. Поскольку напряжение база — эмиттер транзистора при работе его в различных ключевых режимах должно иметь разную полярность (в режиме насыщения f/6.3<0; в режиме отсечки f/6.3>0), в схему введен источник напряжения смещения Есм с полярностью, противоположной полярности сигналов Uc и f/пом- Надежная работа транзистора в этих режимах обеспечивается за счет соответствующего выбора значений сопротивлений резисторов R1 и R2.

На 5.16, а показан одновходовый компаратор, применяемый для сравнения разнополярных входных напряжений: сигнала ес и опорного ?0п- Если одно напряжение превышает другое даже на весьма малую величину, выходная часть ОУ за счет большого коэффициента усиления переходит из одного состояния насыщения в другое ( 5.16, б). Таким образом, компаратор служит для

Одним из основных требований, предъявляемых к работе триггера, является его быстродействие. Быстродействие схем триггеров зависит в основном от инерционных свойств транзисторов, т. е. от времени рассасывания носителей и вывода транзисторов из состояния насыщения. Для повышения быстродействия триггеров применяют специальные схемы, в которых используется нелинейная обратная связь, предотвращающая насыщение транзисторов. Схема ненасыщенного триггера приведена на 134.

При / = 4 транзистор выходит из состояния насыщения. Начинается спад импульса тока iK. При этом сердечник трансформатора Тр2 размагничивается. Рабочая точка перемещается из положения А на кривой намагничивания вниз. Под действием э. д. с., наводимой в обмотке Шбг. увеличивается обратный ток базы. Процесс носит регенеративный характер.

закрытым транзистор VT2. Когда сердечник трансформатора приближается к состоянию насыщения, скорость нарастания магнитного- потока снижается. Уменьшается и ЭДС, наводимая в обмотках Шос и Шос. После насыщения сердечника трансформатора сопротивление его переменному току падает и все напряжение Ui'^E прикладывается к транзистору VT1 Его коллекторный ток возрастает и тем самым выводит транзистор из состояния насыщения (прямая 2 на 14.18, б). Действительно, построение нагрузочной прямой / (см. правила построения нагрузочной прямой в § 5.7) соответствует углу наклона
Для запоминания двоичной информации используют два противоположных состояния насыщения магнитного материала носителя, которые создаются положительными и отрицательными импульсами или потенциальными сигналами в обмотке магнитной головки.

устройстве первого типа для изменения устойчивого состояния необходимо однократное внешнее воздействие, изменяющее режим ОУ или транзисторного ключа. В импульсном устройстве с временно устойчивыми состояниями происходит периодическое переключение ОУ или открывание и закрывание транзисторного ключа без внешнего воздействия или их состояние восстанавливается через некоторое время после однократного внешнего воздействия.

Для того чтобы триггер имел два устойчивых состояния, необходимо выполнить условие К3>1, где К — коэффициент усиления операционного усилителя; — коэффициент обратной связи.

устройстве первого типа для изменения устойчивого состояния необходимо однократное внешнее воздействие, изменяющее режим ОУ или транзисторного ключа. В импульсном устройстве с временно устойчивыми состояниями происходит периодическое переключение ОУ или открывание и закрывание транзисторного ключа без внешнего воздействия или их состояние восстанавливается через некоторое время после однократного внешнего воздействия.

устройстве первого типа для изменения устойчивого состояния необходимо однократное внешнее воздействие, изменяющее режим ОУ или транзисторного ключа. В импульсном устройстве с временно устойчивыми состояниями происходит периодическое переключение ОУ или открывание и закрывание транзисторного ключа без внешнего воздействия или их состояние восстанавливается через некоторое время после однократного внешнего воздействия.

Аналитические методы решения уравнений состояния. При моделировании электрических цепей с помощью уравнений состояния необходимо произвести оценку существования, единственности, устойчивости решений, определение возможностей преобразования различных эквивалентных уравнений, выявление чувствительности решений к изменению параметров уравнений, исследование особенностей поведения решений как в асимптотике, так и в окрестностях различных особых точек, например резонансных. Эта информация особенно нужна для определения границ состоятельности моделей и целесообразности их корректировки, с тем чтобы в полной мере отобразить свойства реальных цепей как объектов моделирования. Кроме того, только располагая опытом и результатами подобных в основном качественных и аналитических исследований, можно переходить к следующему этапу изучения рассматриваемых моделей — их численной обработке. В этом случае результаты аналитических исследований позволяют оценить как возможность численной обработки уравнений состояния, так и достоверность получаемых при этом данных. Подобные исследования определяют выбор наиболее эффективных численных процедур с учетом особенностей конкретных задач.

При моделировании электрических цепей выбор методов решения уравнений состояния необходимо рассматривать совместно с принятием допущений, касающихся структуры и параметров математических моделей цепей. Поэтому необходима оценка чувствительности решений уравнений состояния к изменению (возмущению) их параметров и структуры, обусловленному возможной корректировкой модели.

Заметим, что ив методе переменных состояния необходимо определять корни характеристического уравнения путем вычисления собственных значений матрицы Аг. Вычисление собственных значений матриц также является трудоемкой процедурой и для сложных цепей должно быть выполнено при помощи ЭВМ. Но даже современные ЭВМ не позволяют решать эту задачу для весьма сложных цепей, когда п больше нескольких сотен. Однако важным является то обстоятельство, что относительно переменных состояния можно -сформировать систему дифференциальных уравнений первого порядка и для численного решения такой системы непосредственно использовать стандартное математическое обеспечение цифровых вычислительных машин и аналоговые вычислительные машины.

Механизм переключения элемента памяти из закрытого в открытое состояние, так же как и в переключателях на аморфных полупроводниках, связан с разогревом шнура или проводящего канала при тепловом пробое полупроводника, г. е. при напряжении переключения. Для «запоминания» открытого состояния необходимо, чтобы за время охлаждения

В транзисторном ключе для поддержания статического состояния необходимо непрерывно подавать соответствующий сигнал управления.

Меры первой помощи зависят от состояния, в котором находится пострадавший после освобождения его от электрического тока. Для определения состояния необходимо немедленно уложить пострадавшего- на спину на твердую поверхность, проверить наличие дыхания, пульса и выяснить состояние зрачка (узкий или широкий); широкий зрачок указывает на резкое ухудшение кровообращения мозга. Во всех случаях поражения электрическим током вызов врача является обязательным независимо от состояния пострадавшего.

Для полной характеристики упругого состояния необходимо дополнить уравнения (3.11) условиями равновесия