Состояния микросхемы

Часть производственного процесса, непосредственно связанная с изменением физического состояния материала, размеров, формы, внешнего вида и взаимного расположения элементов при изготовлении изделий, называется технологическим процессом.

Нормализация (предварительное кондиционирование) — это предварительная обработка образцов в течение определенного времени и при определенных условиях окружающей среды с целью устранения или частичного снижения влияния предшествующего состояния материала. Если в стандарте на материал не содержится особых указаний об условиях нормализации, то последняя заключается в выдержке образца в течение 24 ч при 50 °С и относительной влажности не более 20%.

сталь 45, минимальную удельную прочность — алюминиевый сплав АД-1, латунь Л-63 и др. Модуль упругости металлов и сплавов не зависит от состояния материала, поэтому удельная жесткость ?уд также не зависит от состояния материала.

Значение магнитной индукции зависит не только от заданной напряженности поля, но и от предшествующего магнитного состояния материала. Эта зависимость носит название гистерезиса.'

Результаты ТО и ХТО зависят от исходного состояния материала заготовок или полуфабрикатое перед выполнением ТО. режима и среды ТО Под состоянием исходного материала понимают процентное соотношение химических компонентов, образующих материал, фазовый и структурный его состав.

Вследствие необратимости процессов намагничивания магнитное состояние зависит от предшествующих воздействий, оставляющих более или менее глубокий след, постепенно стирающийся под влиянием новых воздействий. Такое свойство— сохранять след предшествующих воздействий — называют гистерезисом. При одном и том же значении напряженности индукция может иметь различные значения в зависимости от предшествующего магнитного состояния материала или, как говорят, от магнитной предыстории.

Как показывает опыт, магнитная индукция в ферромагнитных веществах при одном и том же значении напряженности намагничивающего поля может иметь различные значения, зависящие от предыдущего магнитного состояния материала или, как говорят, от «предыстории намагничения» и от способа установления поля.

равная — j-4- для случая изменения состояния материала по кривой размагничения (кривая /). То же значение имеет энергия, сосредоточенная в воздушном зазоре, если коэффициент рассеяния 0 принять равным единице.

5. Коэффициент переключения материала (или коэффициент перемагничивания) Sw определяется импульсом поля, необходимым для изменения состояния материала от — Вг до +5„акс в сердечнике, имеющем единичные размеры и один виток намагничивающей обмотки:

Для материалов, применяемых в таких устройствах, как импульсные трансформаторы, требуется обычно определять импульсную кривую намагничивания как зависимость наибольших изменений индукций от наибольших изменений напряженности поля [ЛВт = /(Д//т)] при намагничивании импульсами напряженности поля Д//т. В этом случае изменение магнитного состояния материала происходит по частным несимметричным петлям намагничивания, причем эти петли могут опираться на любые точки основной кривой намагничивания или предельной петли.

Материалы с коэффициентом /С = 2,0 занимают предпочтительное положение, так как это значение не зависит от деформированного состояния материала. Для упругой области сумма (1 -{- 2v) = 1У6; а /Ср= 0,4, что в сумме дает К. = 2. В пластической области vnjiaCT =

Таблица 11-3. Состояния микросхемы К155ИЕ5

Таблица 11-5. Состояния микросхемы К155ИЕ4

Таблица 11-7. Состояния микросхемы 1 Х155ИЕ2

Таблица 11-9 Состояния микросхемы К155ИЕ9

Таблица 11-15. Состояния микросхемы 564 И ЕЮ (один счетчик)

ем информации на выходах Ql, Q2, Q4, Q5), а также входом переноса при последовательном включении счетчиков. Счет импульсов происходит при У=0. Выход переноса Р используется при наращивании счетчиков. Обычное состояние этого выхода Р = 1, импульс нулевого уровня появляется здесь, когда Ql = Q2=Q4 = Q8=l в режиме суммирования и при Ql = Q2=Q4 — Q8=0 в режиме вычитания. Таблица состояний (табл. 11-16) поясняет сказанное. Таблица 11-16. Состояния микросхемы 564ИЕ11

Таблица 11-17. Состояния микросхемы 564ИЕ14

Таблица 12-1. Внутренние состояния микросхемы К155ИР15

Таблица 12-2. Выходные состояния микросхемы К155ИР15

Таблица 12-3. Состояния микросхемы К155ИР1

Таблица 12-4 Состояния микросхемы К155ИР13