Состояний элементов

Поскольку при переходе от кристаллического состояния к некристаллическому ближний порядок в расположении атомов сохраняется, это положение позволяет применять понятия запрещенной и разрешенных энергетических зон (валентной зоны, зоны проводимости) для описания энергетических состояний электронов в некристаллических полупроводниках. Однако возможность применения этих понятий не означает, что энергетические зоны в кристаллических и некристаллических полупроводниках имеют одинаковое строение. Отсутствие дальнего порядка в расположении атомов, хотя и не затрагивает само существование энергетических зон, приводит к существенному перераспределению в них разрешенных энергетических уровней.

или кристаллическую, решетку. В узлах решетки располагаются положительные ионы. Из-за относительно небольших расстояний на электроны валентной оболочки данного атома оказывают действие соседние атомы, благодаря чему валентные электроны непосредственно участвуют в электронном обмене каждого атома с окружающими его соседними атомами. Это приводит к тому, что уровни энергии расщепляются на ряд близко расположенных уровней, которые образуют зоны непрерывных энергетических состояний электронов. Электрические свойства тел определяются структурой этих зон и числом электронов, заполняющих зоны в соответствии с принципом запрета.

На 3-1, в приведена схема энергетических состояний электронов твердого- тела. Разрешенные зоны, занятые электронами, на 3-1, в

Основы классификации. В соответствии с характером процессов, развивающихся вследствие поглощения лучистой энергии, фотоэлектронные приборы можно разделить на две группы: электровакуумные фотоэлектронные приборы, действие которых основано на явлении фотоэлектронной эмиссии, и полупроводниковые фотоэлектронные приборы, принцип работы которых основан на изменении энергетических состояний электронов в твердом теле.

Основы классификации. В соответствии с характером процессов, развивающихся вследствие поглощения лучистой энергии, фотоэлектронные приборы можно разделить на две группы: электровакуумные фотоэлектронные приборы, действие которых основано на явлении фотоэлектронной эмиссии, и полупроводниковые фотоэлектронные приборы, принцип работы которых основан на изменении энергетических состояний электронов в твердом теле.

2.2. Лбе Ш., Тойозава Ю. Плотность состояний электронов и край оп-тического поглощения в аморфных полупроводниках..........

2.2. ПЛОТНОСТЬ СОСТОЯНИЙ ЭЛЕКТРОНОВ

где Е - разность энергий начального и конечного состояний электронов; I / > — начальное состояние электрона в валентной зоне с энергией ?,; /> -конечное состояние электрона в зоне проводимости с энергией EJ. Символом d обозначен квантовый оператор дипольного момента. В системах с трансляционной симметрией правило /с-отбора записывается в виде < k'c\d\ kv>dl(5k'/(, где \k > — состояние с волновым вектором k в д-той зоне (ц = v или с соответственно для валентной зоны и зоны проводимости), а малой величиной момента импульса фотона пренебрегают. В этом случае выражение для спектра межзонного

где Яд (k) - закон дисперсии д-той зоны. Если пренебречь зависимостью величины dk от k, то- межзонное поглощение полностью определяемся суммарной плотностью состояний электронов.

2.2. Абе Ш., Тойозава Ю. Плотность состояний электронов и край оп- _*••"* тического поглощения в аморфных полупроводниках.......... 33

2.2. ПЛОТНОСТЬ СОСТОЯНИЙ ЭЛЕКТРОНОВ

При останове, как и при пуске, происходят изменение термического и механического состояний элементов агрегатов и блока. Поэтому ведение определенного режима расхолаживания л контроля за температурными и механическими изменениями является необходимым. При останове турбины происходят охлаждение и относительное укорочение ротора, деформация лопаточного аппарата, корпуса и крышки. При этом возникает опасность задеваний вращающихся и неподвижных частей, а также короблений и образования трещин. В котле при останове возникают опасности пережога и разрыва поверхностей нагрева, образования взрывоопасной смеси в топочной камере и газоходах.

Снижение входного сигнала до уровня логического «О» вызывает изменение состояний элементов Эг и Эг. Напряжение на выходе 52 принимает уровень логического «О». Нижняя обкладка заряженного конденсатора Ci через выходную цепь элемента Э2 связана с корпусом устройства. Напряжение на верхней обкладке создает уровень входного сигнала на втором входе Эг. Этот уровень оказывается ниже порогового и может быть даже отрицательным. Чтобы величина отрицательного выброса не превысила допустимую величину (десятые доли вольта), начальное напряжение на конденсаторе регулируют выбором /^ и R2. Конденсатор Сг после переключения элементов Э1 и Э.2 начинает разряжаться через экви-

Поставим задачу о декомпозиции системы следующим образом. Используя опять индикаторы состояний элементов системы х., которые равны единице в случае работоспособного состояния 1-го элемента и нулю в случае его отказа, запишем значение математического ожидания выходного эффекта системы в общем случае в виде

..., BIL] с выдачей выходного сигнала ( egi, ..., ег«). Изменение состояний элементов памяти на таком переходе происходит под действием сигналов DI, ..., DR на входах памяти автомата (см. 2.4). Таким образом,' после выбора элементов памяти и кодирования символов алфавитов Z, W и А синтез структурного автомата сводится к синтезу КС, реализующей функции:

Сложность расчетного определения напряженно-деформированных состояний элементов ВВЭР, как отмечалось выше (см. § 1, гл. 2 и гл. 3), состоит в том, что в них реализуются пространственная схема передачи усилий, трехмерные поля напряжений, затрудняющие формулировку граничных условий. Ниже излагается расчетное определение напряжений и перемещений в зонах корпусных конструкций по исходным данным, получаемым на границе этих зон с помощью экспериментальных методов, но в силу ряда обстоятельств недостаточных для постановки и решения обычных краевых задач. Возникающие при этом задачи представляют собой так называемые обратные задачи, в которых неизвестные величины определяются (восстанавливаются) по их проявлению, отклику в доступной для прямых измерений области. Эти задачи, как правило, являются некорректно поставленными и требуют при своем решении применения специальных методов. В связи с этим методы решения таких задач во многих случаях могут существенным образом зависеть от точности получаемой экспериментальной информации и методов ее обработки.

При отходе руки от исходного положения датчик ДРИ выключает реле РРИ. Реле РРИ при отключении изменяет состояния элементов Э75 и Э74 (см. 9.9,6) и не изменяет состояний элементов Э81 и Э84.

Реле РРП отключаясь изменяет состояние элемента 390, не меняя состояний элементов 382 и Э92.

Реле РРФ, отключаясь, меняет состояние элементов 377 и Э793 что не меняет состояния элементовЭ78 и 3S8. Реле РШО меняет состояния элементов 393 и 394, но не меняет состояний элементов 388 и 555.

Реле РКР включаясь, изменяет состояние элемента Э54, не изменяя состояний элементов Э56 и Э57.

В общем случае методы расчета показателей надежности на различных интервалах времени различны. Чем меньше интервал времени, тем большее значение имеет учет начальных состояний элементов и объектов, а также изменений показателей надежности во времени. Математические модели, отражающие процессы отказов, восстановления, преднамеренных отключений элементов и систем изменяются от моделей случайных величин (стратегическая, оперативная надежность) до моделей случайных процессов (коммутационная надежность).

Модели случайных потоков находят широкое применение в теории надежности. Наряду с потоками отказов вводят потоки восстановлений, операций технического обслуживания и т.д. Поскольку в системной теории надежности принято, что число возможных состояний элементов и систем конечно (пример — работоспособное и отказное состояние элементов), то модели случайных процессов с конечным множеством значений служат удобным аппаратом для описания объектов в условиях технического обслуживания и восстановления. Широкое применение находят модели дискретных процессов, в частности процесс «размножения и гибели». Подробности можно найти в работах [4 - 6].