Составляют уравнения

Для обычных интегральных транзисторов ( 1.1) значения /т и /тах составляют соответственно порядка 400 и 900 мГц [8].

Для определения значения 60,5t/ необходимо знать углы <Х и а,2 ( 6.16), которые составляют соответственно фронт и срез импульса с осью у. Пусть эти углы равны по 10°. Тогда

Центр коммутации сообщений также должен обеспечить следующие показатели, которые могут рассматриваться как показатели надежной работы: вероятность ошибки на знак в обрабатываемой информации не более 10~7 — 10~8; вероятность засылки сообщения по неправильному адресу не более 10~9 — 10~10; вероятность потери сообщения из-за выхода элементов центра из строя не более 10~7 — 10~8. Для всех центров коммутации сообщений обязательно указывается величина (или диапазон значений) исправляющей способности при приеме кодовых элементов и процент искажений при передаче; эти цифры составляют соответственно 45 — 48% для исправляющей способности и 2% для искажений при передаче.

Проведенный расчет показывает, что минимизация среднего времени задержки по правилу «квадратного корня» приводит к тому, что в слабозагруженных концентраторах задержка существенно выше, чем в концентраторах с высокой загрузкой. Для концентратора 1 или '2 задержки составляют соответственно 6,37 и 5,04 с, тогда как для концентратора 3 они равны '24,7 с. Равномерное распределение суммарной пропускной способности (поровну между концентраторами) потребует в нашем примере увеличения пропускной способности по меньшей мере до 1500 бит/с (с тем, чтобы обеспечить минимальную пропускную способность концентратора 2, равную 480 бит/с). Однако при этом минимальная средняя задержка возрастает по сравнению с задержкой, определяемой (6.6'), но зато пользователи, создающие слабую загрузку, не будут поставлены в более тяжелые условия по задержке.

Из выражения (3.4) также следует, что обратный ток коллекторного перехода /к g0 не участвует в усилении сигнала и по существу является неуправляемым. Типовые величины ^ бо для германиевых и кремниевых транзисторов различаются на два-три порядка и составляют соответственно для маломощных приборов 1-2 мкА и 0,001-0,01 мкА , а для мощных - 5-20 мАи 0,1—2 мА при нормальных условиях.

602. Ваттметры для измерения мощности в трехфазной цепи, устанавливаемые на распределительных щитах, представляют собой три измерительных механизма, связанных общей осью вращения стрелки указателя, что соответствует схеме на 61. Определить активную мощность трехфазной цепи, если токи и напряжения в обмотках измерительных механизмов /t = /2 = /3 = 10 A; Ui = U2 — = 1/з = 220 В, а коэффициенты мощности составляют соответственно 0,6; 0,8; 0,95.

всего применять этот травитель для выявления границ блоков и дислокаций на плоскостях {111} и {110} при средних скоростях травления 0,2 и 0,4 мкм/с соответственно. Осаждающееся серебро затем удаляют отмывкой в цианосодержащих водных растворах. Травитель обеспечивает получение поверхности с наименьшими скоростями поверхностной рекомбинации для германия как п-, так и р-типов, которые в среднем составляют соответственно 0,3 и 1,5 м/с.

При газовой обработке можно получить и эффект анизотропного травления. Например, при травлении кремния в смеси HI + 5 % НС1 при 1473 К скорости травления плоскостей типа {111}, {110} и {100} составляют соответственно 1,48; 3,0 и 3,4 мкм/мин. Наибольшая селективность процесса наблюдается при обработке в хлоре при температуре ~ 1000 К. Хлор позволяет выявлять дислокации, дефекты упаковки и другие нарушения структуры.

Как следует из VIII.20, при токе /„ > 0,5 Аи ?/вых > 6В мощность Рктах превосходит 2,5 Вт. Так как без теплоотвода транзистор ТР выдерживает РКДОП порядка 1,5 Вт (табл. 13), то практически большинство транзисторных стабилизаторов работает с теплоот-водящими радиаторами. На VIII. 21 приведены значения массы и объема типового радиатора при токе /н = 2А, Токр = 40° С и прочих условиях, при которых рассчитывались кривые на VIII.20 в зависимости от ?/вых. Для среднего значения ?/вых = 12,6В при /н = 2А объем и масса радиатора составляют соответственно 350 см3 и 250г. Для массы и объема электропитающего устройства, питаемого от сети 50 Гц, это заметные величины, которые еще более существенны

На XI.3, а приведена эквивалентная схема рассматриваемой цепи. Источник заменен двумя составляющими э. д. с. (постоянной ?_ и переменной — синусоидальной с амплитудным значением Ет) и сопротивлением выпрямителя гв. Дуга заменена нелинейным резистором с дифференциальным сопротивлением гл и статическим гд.ст. На XI.3, б приведена вольт-амперная характеристика дуги (для примера низкой интенсивности), обозначенная штрихпунктирной линией, и внешняя характеристика источника с э. д. с. Е-ном, проходящая под углом наклона, соответствующего сопротивлению гв, обозначена жирной линией. Точка Н соответствует номинальному режиму по постоянной составляющей (?/д.Ном и /д.Ыом)- Изменение ?_НОм при пульсации (рассматривается пульсация только в одном направлении для упрощения рисунка) с амплитудой Ет приводит к движению рабочей точки по кривой НО', при этом максимальные значения изменения напряжения и тока составляют соответственно мд тах и 1Л тах. Форма кривых ыд и 1Я не будет синусоидальной.

Пленка SiO2 прозрачна, имеет блестящую стеклянную поверхность и при толщине в десятые доли микрометра кажется окрашенной вследствие интерференции света, отраженного от ее поверхности и поверхности кремния. По этой окраске можно приближенно определить ее толщину. Например, зеленый цвет соответствует толщине 0,27 мкм. Диоксид кремния и кремний имеют близкие температурные коэффициенты расширения (ТКР), благодаря чему не происходит механических повреждений пленки при изменениях температуры. Диэлектрическая проницаемость SiO2 составляет 0,3 пФ/см, а электрическая прочность— 600 В/мкм. Плотность поверхностных состояний (ловушек) и скорость поверхностной рекомбинации на границе Si — SiO2 гораздо меньше, чем на поверхности неокисленного кремния и составляют соответственно 10е ... 1011 см—* и 1 ...100 см/с, причем минимальные значения достигаются для ориентации (100), а максимальные— для ориентации (111)*. В пленке SiO2 вблизи границы раздела с кремнием существует положительный заряд, образованный ионами Si+, — фиксированный поверхностный заряд [3]. Его плотность СПОв минимальна для ориентации (100) (QnoB/q < 3 • 1010 см~2, q—заряд электрона) и максимальна (на порядок больше) для ориентации (111). Величина QnoB коррелирует с плотностью поверхностных состояний. Слой SiO2 защищает поверхность кремния от проникновения посторонних химических веществ и влаги.

Чтобы определить величину переносимой и вновь образуемой погрешности применяют метод корреляционного анализа статистических данных, полученных для каждой операции ТП, и составляют уравнения регрессии. Если распределения большого числа наблюдений выходных параметров сборочных единиц после каждой операции подчиняются нормальному закону, то уравнение регрессии выражается прямой линией [11J

Для решения задачи выбирают направления токов в ветвях (произвольно), а затем составляют уравнения. Число узловых уравнений в системе должно быть на единицу меньше числа узлов в схеме, а остальные уравнения — контурные. При составлении контурных уравнений выбирают наиболее простые контуры, но с тем условием, что в каждом из них имеется хотя бы одна ветвь, не входящая в другие выбранные контуры. Эти условия обеспечивают независимость уравнений в системе, поэтому любое из них не является следствием других.

В соответствии с этим составляют два уравнения по первому закону Кирхгофа и три — по второму закону Кирхгофа. Для узлов / и 2 цепи составляют уравнения для токов по первому закону Кирхгофа: / = /2 + /3; /з = /4 + /5, а по второму закону Кирхгофа уравнение для левого замкнутого контура с ЭДС Е\ и ?2: Ei — ?2 = (Ri + /?6 + Я?) /I + /?2/2-

При определении токов в параллельных ветвях для соответствующих замкнутых контуров выбирают направления обхода контура и составляют уравнения по второму закону Кирхгофа. При этом ЭДС, напряжения и токи источников тока принимаются положительными, если они направлены по направлению обхода контура, и отрицательными, если они направлены против направления его обхода.

Сначала составляют уравнения по первому закону Кирхгофа как более простому по сравнению с уравнениями, составленными по второму закону Кирхгофа.

ty PRINT "НАЧАЛА СОСТАВЛЯЮТ УРАВНЕНИЯ"

Теоретически переходный процесс продолжается от момента его возникновения до бесконечности, а практически, при принятой точности измерения, в течение конечного промежутка времени, величина которого зависит от параметров цепи. Для определения значений токов и напряжений переходного процесса составляют уравнения Кирхгофа, связывающие мгновенные значения электрических величин с параметрами цепи. Сумма напряжений на отдельных участках замкнутого контура равна сумме приложенных извне

Чтобы получить линейно независимые уравнения, по первому закону Кирхгофа составляют уравнения, число которых равно числу узлов без единицы, т. е. у — 1.

По второму закону Кирхгофа составляют уравнения, число которых равно числу ветвей без источников тока (в — 0ИТ), за вычетом уравнений, составленных по первому закону Кирхгофа, т.е. (в — вит)— — (0—1) = в — вит — у+ 1.

При их расчетном определении составляют уравнения по методу контурных токов, следя за тем, чтобы ветви, взаимные и входные проводимости которых представляют интерес, входили каждая только в свой контур. Далее находят определитель системы А и по нему необходимые алгебраические дополнения:

§8.10. Составление уравнений для свободных токов и напряжений. Для послекоммутационной схемы составляют уравнения по законам Кирхгофа для полных токов и напряжений, так же как это делалось и раньше: сначала обозначают токи в ветвях и произвольно выбирают для них положительные направления, затем составляют уравнения по первому и второму законам Кирхгофа. Так, для