Составляющую напряжения

скомпенсировать поперечную составляющую магнитного потока. Для этого достаточно соответствующим образом нагрузить либо вторую фазу первичной обмотки* (первичное симметрирование), либо вторую фазу вторичной обмотки (вторичное симметрирование).

В пазы статора основного генератора уложена трехфазная гармоническая обмотка, рассчитанная на третью гармоническую составляющую магнитного потока (/г=1200Гц). Обмотка выполнена проводом ПНЭТ-имид диаметром 0,49 мм. Каждая из фаз гармонической обмотки укладывалась независимо от остальных со сдвигом на 120 электрических градусов. Это позволяло проводить экспериментальные исследования при питании системы возбуждения

При одном и том же токе 11т действующее напряжение l/i зависит не только от 11т, но и от /0. Оно тем меньше, чем больше /0. Таким образом, с помощью тока /о можно изменять индуктивное сопротивление цепи переменного тока XL= l///i- Постоянная составляющая результирующего магнитного потока Ф<н меньше постоянного магнитного потока Ф0, создаваемого током /о, что связано с асимметрией кривой ^(Ф) в рабочей точке А. Таким образом, переменный ток в обмотке и>ь в свою очередь, изменяет постоянную составляющую магнитного потока, оказывая размагничивающее действие.

так как постоянная составляющая тока каждой фазы вторичной обмотки создает постоянную составляющую магнитного потока, не компенсируемую током первичной обмотки трансформатора. Такое «вынужденное» намагничивание дополнительно нагружает магнито-провод, а пульсирующие магнитные поля рассеяния приводят к росту потерь. Обратное напряжение

В преобразователях же второй группы (см. 24-2, 24-3) необходимо учитывать переменную составляющую магнитного потока, обусловленную изменением во времени магнитного сопротивления

Здесь постоянная интегрирования /1 = 0, так как синусоидальная ЭДС не N ожет создать постоянную составляющую магнитного потока. Таким образом,

рез третью с ток фазы С, т. е. ic= =/msin (со<+120°). Каждая из катушек в центре создает свою составляющую магнитного, поля индукция которого пропорциональна току

Первое слагаемое в квадратных скобках представляет собой активную составляющую магнитного сопротивления экранирующего витка У?м.экв, а второе — реактивную А'м.экв.

соидального напряжения в цепи дросселя показано на 10.14. Если при определенном значении переменной составляющей под-магничивающегося поля магнитопровода изменять величину постоянного тока подмагничивания (постоянную составляющую магнитного поля), то вследствие изменения его магнитной проницаемости, индуктивность дросселя изменяется ( 10.15).

иФд, можно заключить, что в рабочем режиме СКПТ амплитуда вторичной э. д. с. будет изменяться при повороте ротора по закону, отличному от синусоидального. Чтобы и в рабочем режиме СКПТ амплитуда вторичной э. д. с. изменялась по синусоидальному (или косинусоидальному) закону, необходимо скомпенсировать поперечную составляющую магнитного потока. Для этого достаточно соответствующим образом нагрузить либо вторую фазу первичной обмотки (первичное симметрирование), либо вторую фазу вторичной обмотки (вторичное симметрирование).

Изменение индуктивности, в свою очередь, возбуждает в обмотке ШР переменную составляющую напряжения, амплитуда которой оказывается пропорциональной приложенному к обмотке напряжению UУ. Эта переменная составляющая или величина, пропорциональная ей, может быть передана на выход схемы через разделительный конденсато

Пример 3-5. Сопротивление гн = 10 ком и емкость С = 1 мкф, соединенные параллельно, подключены через идеальный диод к источнику напряжения; сопротивление источника г= 100 ом.', э. д. с. источника — знакопеременная прямоугольная функция ( У-16, а и б). Рассмотреть установившийся процесс в цепи и вычислить постоянную составляющую напряжения на нагрузке.

Измерить переменную составляющую напряжения на нагрузочном резисторе и определить коэффициент пульсаций.

10.4. В схеме, представленной на 10.2, сопротивление переменного резистора изменяется по закону R(t) = R0 (l+sinQ?), fl — 2n/T, а входное напряжение — по закону е (t) = U sin Qt, причем известно, что R^>R(t). Определить постоянную составляющую напряжения на выходе цепи.

На 1.26, а, б приведены схемы рассмотренных усилителей сообщений и модулированных (гармонических) сигналов. В первой схеме выходное колебание снимается с резистора /?к, во второй — с колебательного контура через трансформатор. Источник ?в (см. 1.24, г) отсутствует, так как его заменяет падение напряжения на резисторе R\, созданное источником ?„. Это падение напряжения заряжает конденсатор С\ через внутреннее сопротивление источника ивх(0> которое и играет роль источника Ef,. Цепь /?э Сэ (совместно с R\) необходима для температурной стабилизации рабочей точки (уменьшения изменения токов под действием нагрева полупроводникового триода). Цепь /?р Ср не пропускает на выходные клеммы постоянную составляющую напряжения. Для того чтобы эта цепь не ослабляла переменную составляющую напряжения на резисторе, необходимо, чтобы 1/(йСр) «/?р.

Напряжение и ток на нагрузке пульсируют, достигая максимального значения один раз за период. Методом гармонического анализа такие кривые можно представить в виде суммы постоянной составляющей и ряда синусоид различной частоты и амплитуды. При расчете сглаживающих фильтров учитывают только переменную составляющую напряжения низшей частоты (первая гармоника) U, j ^ . Частота первой гармоники для однополупериодной схемы рав-

«сев — общее решение однородного уравнения, определяет свободную составляющую напряжения на конденсаторе

По распределению корней характеристического уравнения записываем свободную составляющую напряжения конденсатора:

Чтобы постоянная составляющая выпрямленного напряжения не попала на вход усилителя низкой частоты, включают разделительный конденсатор Ср, который пропускает только переменную составляющую напряжения низкой частоты.

473. Напряжение в цепи изменяется во времени по закону и = VQ -f- Um sinco^, причем вольтметр измеряет только постоянную составляющую напряжения U0. Определить возникающую при этом дополнительную относительную погрешность, если Um = 0,1 U0.

В (5.45) первое слагаемое соответствует составляющей напряжения на частоте тока, ее амплитуда пропорциональна толщине обедненного слоя х0. Второе слагаемое, характеризующее напряжение на удвоенной частоте, обратно пропорционально концентрации примеси на границе области объемного заряда. Третье слагаемое определяет постоянную составляющую напряжения, возникающую на структуре.