Составляющая обусловленная

где Et=----------касательная составляющая напряженности электрического поля;

•нормальная составляющая напряженности электрического поля».

В твердых диэлектриках наряду с объемным возможен и поверхностный пробой, т. е. пробой в жидком или газообразном диэлектрике, прилегающем к поверхности твердой изоляции. Так как Ещ, жидкостей и особенно газов ниже Ещ, твердых диэлектриков, а нормальная составляющая напряженности электрического поля непрерывна на границе раздела, то при одинаковом расстоянии между электродами в объеме и на поверхности пробой в первую очередь будет происходить по поверхности твердого диэлектрика. Чтобы не допустить поверхностный пробой, необходимо удлинить возможный путь разряда по поверхности. Поэтому поверхность изоляторов делают гофрированной, а в конденсаторах оставляют неметализированные закраины диэлектрика. Поверхностное Unp также повышают путем герметизации поверхности электрической изоляции лаками, компаундами, жидкими диэлектриками с высокой электрической прочностью.

поле изменяется только вблизи стока на расстоянии, приблизительно равном толщине обедненного слоя р-п перехода L06.c. гДе существует продольная составляющая напряженности электрического поля Еу. Так как ^•об.с С L, то почти во всей приповерхностной области под затвором напряженность электрического поля постоянна, причем его продольная составляющая Еу = 0.

Первая составляющая напряженности электрического поля ?пад называется прямой или падающей волной. Вторая ?0тр — обратной или отраженной волной. Мгновенное значение Е равно сумме ординат прямой и обратной волн. Напряженность магнитного поля

Первая составляющая напряженности электрического поля ?пад называется прямой или падающей вол-н о и. Она распространяется в сторону возрастаю дих г. Вторая ?0тр, распространяющаяся в сторону убывай адих г, называется обратной или отраженной волной. Мгновенное значение Е равно сумме ординат прямой и обратной волн.

здесь ?инд — индукционная составляющая напряженности электрического поля. Знак минус обусловлен правой системой отсчета: принято, что положительное направление отсчета для ЭДС и направление потока при его возрастании связаны правилом правого винта ( 1.5).

Вторая составляющая напряженности электрического поля определяется градиентом концентрации носителей заряда. Эта составляющая и есть напряженность электрического поля, которое поддерживает неравномерное распределение концентрации основных носителей для обеспечения почти полной электрической нейтральности базы.

насыщения, т. е. для пологой части выходных статических характеристик, показано на 6.10. На расстоянии /I от сильнолегированной области истока преобладает нормальная составляющая напряженности электрического поля, созданная напряжением на затворе. На этом участке существует инверсный слой у поверхности полупроводника. На расстоянии /;! от сильнолегированной области стока преобладает касательная составляющая электрического поля, созданная напряжением на стоке относительно истока. Несмотря на то, что на участке канала протяженностью /2 нормальная составляющая напряженности имеет другое направление и отталкивает дырки от поверхности полупроводника, через этот перекрытый участок канала идет ток, связанный с движением дырок под действием сильного тянущего поля (касательной составляющей).

где b — ширина канала; Et — изменяющаяся по длине канала продольная составляющая напряженности электрического поля. Отсюда, используя (6.18) и (6.21), получим

В этом равенстве Е — составляющая напряженности электрического поля по контуру обхода; Ф^ — магнитный поток, сцепленный с витком ( 1-5). Электродвижущие силы витков используются в машине в процессе преобразования электрической энергии.

А,,*/ — составляющая, обусловленная отличием Кн от .Кг; Д2.к* — составляющая, обусловленная отличием R% от jRj.

ная магнитными упругими свойствами магнитной цепи (здесь Сцм — магнитная емкость); coLn = X^L — реактивная составляющая, обусловленная диэлектрическими свойствами магнитной цепи (здесь L^ — магнитная индуктивность).

ЕШТ может быть получен при различных конструктивных схемах [67]. При малых DK, как известно, целесообразно проектировать БВТ с кольцевым трансформатором (КТ). В этом случае необходимо рассмотреть функции основных конструктивных элементов БВТ с целью выбора стратегии оптимизации БВТ в целом. Непосредственным преобразующим элементом является поворотный трансформатор (ВТ), кольцевой трансформатор служит для передачи энергии с неподвижной части БВТ на вращающуюся. Можно в принципе КТ поставить на выходе, однако при этом в погрешность преобразования информации войдет составляющая, обусловленная нелинейностью кривой намагничивания магнитопровода КТ.

Следовательно, при k$ ^> 1 (что обычно имеет место) составляющая, обусловленная изменением коэффициента (5, целиком входит

в результирующую погрешность, а составляющая, обусловленная изменением коэффициента k, входит в результирующую погрешность ослабленной в k$ раз.

где pi—составляющая полного сопротивления, связанная с тепловыми колебаниями кристаллической решетки; Р2—составляющая, обусловленная рассеянием электронов на дефектах решетки.

где pi—составляющая полного сопротивления, связанная с тепловыми колебаниями кристаллической решетки; Р2—составляющая, обусловленная рассеянием электронов на дефектах решетки.

Следовательно, при /ф ^> 1 (что обычно имеет место) составляющая, обусловленная изменением коэффициента р\ целиком входит в результирующую погрешность, а составляющая, обусловленная изменением коэффициента fc, входит в результирующую погрешность ослабленной в fcp раз.

где /нб расч—составляющая, обусловленная погрешностью трансформаторов тока; /нб q —составляющая, обусловленная регулированием напряжения защищаемого трансформатора; / нб.расч ~~ составляющая, обусловленная неточностью установки на насыщающемся трансформаторе реле РНТ расчетных чисел витков.

где Къ. м—составляющая, обусловленная полезным моментом сопротивления механизма.

нб.торм.нач.п > де нб.торм.нач.п х Е/торм.нач.п — составляющая обусловленная различием погрешностей ТТ; >ициент, i 1 — коэ4