Составляющая напряженности

где и с ус, — напряжение на емкости после окончания переходного процесса; иСсв — свободная составляющая напряжения, которая после окончания переходного процесса обращается в нуль. Дифференциальное уравнение (4.41) без правой части

Частное решение уравнения (8.3) зависит от того, какой источник э.д.с. включен в электрическую цепь, изображенную на 8.1. Если это источник постоянной э.д.с. (е = Е), то независимо от того, был ли заряжен до коммутации емкостный элемент или нет, напряжение на нем по истечении переходного периода (теоретически при t-+- оо) равно величине э.д.с. Е, поэтому принужденная составляющая напряжения ис, определяемая частным решением, ыспр = Е, а принужденная составляющая тока 1пр — 0.

Величину т = гС называют постоянной времени, так как она характеризует скорость протекания переходного процесса и имеет размерность времени. Чем больше величина^, тем дольше продолжается переходный процесс. Через t = т свободная составляющая напряжения ыСсв уменьшается в е раз.

Переходный процесс можно считать практически завершенным через t = (3 -~ 4)т, так как к этому времени свободная составляющая напряжения иСсв снижается соответственно до 5 -f- 2% от своего первоначального значения. Таким образом, постоянная времени является мерой инерции электрической цепи при протекании переходных процессов.

ная составляющая напряжения на конденсаторе испр = 0, и напряжение ис равно свободной составляющей, определяемой из уравнения

Сопоставляя (9.2) с (9.3), видим, что при двухполупериодном выпрямлении постоянная составляющая напряжения в два раза больше, чем при однополупериодном выпрямлении при одинаковом амплитудном значении выпрямляемого напряжения. В то же время переменная составляющая выпрямленного напряжения при двухполупериодном выпрямлении значительно меньше, чем при однополупериодном выпрямлении.

этому переменная составляющая напряжения на нагрузке значительно уменьшается и коэффициент пульсаций выпрямленного напряжения становится существенно меньше.

Пусть на нагрузочном резисторе гн должна быть резко выражена k-я гармоника напряжения. Этого можно достигнуть включением последовательно с этим резистором индуктивной катушки и конденсатора ( 9.20), настроенных в резонанс для fe-й гармоники. Если индуктивная катушка на резонансной частоте имеет большую добротность Q = —-—, то участок LC будет представлять более или менее значительное сопротивление для всех гармоник тока, кроме ?-й. В результате этого k-я гармоника тока, а следовательно, и k-я гармоника напряжения на резисторе гн будет значительно больше всех остальных гармоник, а постоянная составляющая напряжения на нагрузочном резисторе будет отсутствовать.

Реактивная составляющая напряжения на катушке равна падению направления на сопротивлении х0 схемы замещения:

Постоянная составляющая напряжения на нагрузке

Постоянная составляющая напряжения на нагрузке при двухполупериодном выпрямлении

где Et=----------касательная составляющая напряженности электрического поля;

•нормальная составляющая напряженности электрического поля».

В твердых диэлектриках наряду с объемным возможен и поверхностный пробой, т. е. пробой в жидком или газообразном диэлектрике, прилегающем к поверхности твердой изоляции. Так как Ещ, жидкостей и особенно газов ниже Ещ, твердых диэлектриков, а нормальная составляющая напряженности электрического поля непрерывна на границе раздела, то при одинаковом расстоянии между электродами в объеме и на поверхности пробой в первую очередь будет происходить по поверхности твердого диэлектрика. Чтобы не допустить поверхностный пробой, необходимо удлинить возможный путь разряда по поверхности. Поэтому поверхность изоляторов делают гофрированной, а в конденсаторах оставляют неметализированные закраины диэлектрика. Поверхностное Unp также повышают путем герметизации поверхности электрической изоляции лаками, компаундами, жидкими диэлектриками с высокой электрической прочностью.

Так как тангенциальная составляющая напряженности магнитного поля (в рассматриваемом случае — единственная) не претерпевает скачка на гра-

поле изменяется только вблизи стока на расстоянии, приблизительно равном толщине обедненного слоя р-п перехода L06.c. гДе существует продольная составляющая напряженности электрического поля Еу. Так как ^•об.с С L, то почти во всей приповерхностной области под затвором напряженность электрического поля постоянна, причем его продольная составляющая Еу = 0.

На 13.15 показано положение ЦМД в регистре с аппликациями в виде шевронов в разных фазах вращающегося поля. Под его влиянием в пермаллоевых пленках образуются магнитные полюса (N — северный, S — южный) и обусловленные ими дополнительные поля, имеющие вертикальную составляющую вектора напряженности, складывающуюся или вычитающуюся из поля смещения. В фазе / северный полюс находится у верхней границы шевронов, вертикальная составляющая напряженности поля там минимальна и соответственно там располагается ЦМД (северный полюс как бы притягивает ЦМД). В фазе 2 северный полюс и ЦМД смещаются к правой границе шеврона. В фазе 3 северный полюс находится как у левой, так и у правой границы, поэтому ЦМД занимает положение на границе двух ловушек, после чего (фаза 4) он переходит в соседнюю ловушку и в фазе 5, т. е. через один период вращающегося поля, занимает положение у

Первая составляющая напряженности электрического поля ?пад называется прямой или падающей волной. Вторая ?0тр — обратной или отраженной волной. Мгновенное значение Е равно сумме ординат прямой и обратной волн. Напряженность магнитного поля

Как легко установить на основании закона полного тока, на наружной поверхности оболочки с ц = оо тангенциальная составляющая напряженности Ят = 0 и Н — Нп, а при удалении от оболочки она изменяется линейно и на расстоянии h < h , от нее становится равной ЯтЛ — H^hlhj. На наружной поверхности токового слоя, т. е. при h = Л/, напряженность ЯтЛ = Ят. Таким же образом изменяется в пределах токового слоя тангенциальная составляющая индукции BT)I = fi//Th.

Так как на границе раздела сред нормальная составляющая индукции Вп и тангенциальная составляющая напряженности Нг сохраняют свою непрерывность, то в пределах слоя h эти величины остаются постоянными: Вп = const; Ят = const при х ? [О, А).

По найденному таким образом натяжению Т^п = Т„0 автор бездоказательно рекомендует определять силу, действующую на объем YI. При этом он забывает о том, что натяжение Т„0 в зазоре существенно отличается от натяжения ТП1 по (4.24) на поверхности S1 в самом магнитном теле. Убедиться в ложности предположения о сохранении в малом зазоре такого же натяжения ТП1, как в самом магнитном теле, не представляет труда. В малом зазоре сохраняются только тангенциальная составляющая напряженности и нормальная составляющая индукции. При этом тангенциальная составляющая индукции уменьшается в цг раз, а нормальная составляющая напряженности увеличивается в лг раз. Это приводит к тому, что натяжение в малом зазоре не только по величине, но и в общем случае и по направлению будет существенно отличаться от натяжения в самом теле. Нетрудно выяснить, насколько количественно будет отличаться найденное в статье [34, форм. (5), (6)] натяжение Тпн в малом зазоре б„ от действительного натяжения Т,п по (4.24) на поверхности St в этом теле.

Касательная составляющая напряженности во второй среде в той же точке (см. 25.2, в)