Составляли соответственно

В групповой трехфазном трансформаторе магнитные цепи фае невависими. Прэтому третья гармоническая магнитного потока - ф, ! вамнкается, так же как и основная ^ , по сердечнику. Каждая ид этих составляющих магнитного потока совдает в обмотках трансформатора свои э.д, с. ~?j и EI , отстающие от этих магнитннх потоков на угол ЯМ . По данным ? 2J ,•. а. д. с, -fij мохет достигать (45-60$) Cj . При этом амплитудн укаванннж э.д. с. склади-ваются, рееульткрующая э.д. о. фавн обмотки искажается по форме, становясь несинусоидздьной, а максимальное еначение ревультирую-щей э.д. с. повышается на те же 45-30%, вшивая перенапряжение обмотай. Поэтоцу иеоляци» о'бмотии группового трансформатора надо выбирать с учетом указанного перен-.щря*ения. Так как стоимость !-шоля^лИИ составляет значительную часть стоимости трансформатора, то в групповвх трансформаторах соединение Y/Y Hs применяетпя.:

У асинхронных двигателей ток холостого хода составляет значительную долю номинального тока — в среднем от 20 до 60%. Она возрастает у двигателей закрытого типа и у двигателей с увеличенным воздушным зазором. При прочих равных условиях относительная сила тока холостого хода тем выше, чем меньше номинальная частота вращения двигателя. По силе тока холостого хода можно в известной степени судить о состоянии двигателя и, например, контролировать качество ремонта.

Мощность Рп, теряемая при роторном бурении, составляет значительную часть (до 80%) мощности, развиваемой приводным двигателем. Для расчета потерь мощности в буровой установке пользуются формулами Б. М. Плюща или В. С. Федо-

Требования к емкости и быстродействию памяти являются противоречивыми. Чем больше быстродействие, тем технически труднее достигается и дороже обходится увеличение емкости памяти. Стоимость памяти составляет значительную часть общей стоимости ЭВМ. Поэтому память ЭВМ организуется в виде иерархической структуры запоминающих устройств, обладающих различными быстродействием и емкостью ( 4.1). В общем случае ЭВМ содержит сверхоперативную память (СОП)

До определенной степени увеличение стоимости кристалла окупается снижением затрат на сборку и контроль. Наименьшая стоимость вентиля достигается при уровне технологии, соответствующем минимуму кривой 3. Это область оптимального уровня интеграции, создаваемая на кристаллах таких размеров, обработка которых экономически наиболее выгодна при данном уровне развития технологии. По мере совершенствования технологии стоимость снижается (кривая 4). При этом не учитывались затраты на разработку схемотехнических решений, а они при возрастании сложности ИМС ведут к удвоению стоимости разработки каждые 2—3 года. Уже сейчас стоимость разработки СБИС составляет значительную часть общих затрат, причем эта тенденция роста по-видимому сохранится в ближайшее время. Резко растут и затраты на технологию СБИС. На 2.3 показана диаграмма относительной стоимости комплексов оборудования для получения соответствующего рисунка схемы на полупроводниковой пластине с различным разрешением. Статистика показывает, что затраты на технологическое оборудование возрастают приблизительно-в 10 раз каждые 5 лет; этим же временем оценивается срок морального старения приобретенного оборудования. Высокая стоимость разработки СБИС экономически оправдана только при достаточно большом рынке их сбыта. А это возможно лишь для СБИС с универсальными функциями, ис-

В настоящее время, несмотря на широкое использование различных высокопроизводительных прогрессивных технологических методов, в частности для получения заготовок, обработка со снятием стружки составляет значительную часть от общей трудоемкости изготовления приборов. При производстве электроизмерительных приборов эта доля соответствует 30 ...35%, что объясняется сравнительно высокой точностью и жесткими требованиями к качеству обрабатываемых поверхностей ряда деталей — корпусов, кернов, цапф, обойм, букс, плат, оснований и др.

Если концентрация ловушек захвата не мала, то концентрация электронов (дырок), захваченных ловушками А/г3, составляет значительную часть. При этом условие Ал=Др не выполняется; в данном случае справедливо соотношение Дп + Дг3=Др. Неравенство избыточных концентраций электронов и дырок ведет к неравенству времени жизни неравновесных электронов и дырок.

В индуктивных машинах значительную часть их объема занимает ферромагнитный потокопровод, служащий для замыкания непрерывного магнитного потока. Поток же вектора смещения прерывен, начинаясь и кончаясь на заряженных проводниках. Поэтому емкостная машина не имеет потокопровода, и рабочий объем между взаимодействующими поверхностями составляет значительную долю всего объема машины. Таким образом, даже при меньшей плотности энергии электрического поля емкостная машина может не уступать индуктивной по величине энергии и мощности, приходящихся на единицу полного объема машины.

Неодинаковость тока наблюдается только в линиях, длина которых / составляет значительную долю длины волны Я. Такие линии называют длинными (по отношению к длине волны, т. е. в электрическом отношении). Так как длина волны обратно пропорциональна частоте, то одна и та же линия при одной частоте будет длинной линией, а при другой, меньшей частоте может быть и «недлинной».

В автономных асинхронных генерх .х реактивная мощность конденсаторной батареи (кВ-А) доводка велика — 70... 100% номинальной мощности генератора, поэтому стоимость конденсаторов и варикондов составляет значительную часть всей энергетической установки. По этой причине в настоящее время рассматриваемые генераторы находят ограниченное применение. Их целесообразно использовать в качестве автономных источников питания при повышенной частоте (400 Гц и выше), высокой частоте вращения генератора (3000 об/мин и выше) и напряжении до 500 В, например для передвижных энергетических установок и для некоторых специальных целей. При большом напря-

В состав сопротивления Zj входят сопротивление источника, омическое сопротивление первичной обмотки и добавочное сопротивление. Последнее обычно составляет значительную часть Z\. Практически добавочное сопротивление должно рассчитываться . по значению Z\ с возможностью регулировки. Регулировка необходима также для корректировки значения угла у=фи1 — фи2, которое должно выдерживаться с возможно большей точностью.

В энергетическом балансе Западной Европы природный газ стал играть ощутимую роль лишь в 70-х гг.: его доля в общем потреблении энергетических ресурсов в 1970 г. составляла 7%, в 1975 г.—14% (в Великобритании —17%, ФРГ—16%, во Франции—9%). Основной областью использования природного газа явился жилищный и коммунально-бытовой сектор, где он успешно конкурировал с дорогим углем местной добычи и в незначительной степени с бытовым жидким топливом; в результате здесь потреблялось до 2/3 вводимого в баланс природного газа. Во второй половине 70-х гг. в суммарном расходе энергетических ресурсов этим сектором на долю природного газа приходилось в Великобритании примерно 45%, в ФРГ и Франции более 15%, в то время как в 1965 г. эти величины составляли соответственно 13 и 6%. Другим достаточно крупным потребителем стала промышленность, в топливоснабжении которой природный газ частично вытеснил уголь местной добычи. Возросло его значение в общем газовом балансе западноевропейских стран: во второй половине 70-х гг. им покрывалось, например, 85% в суммарном расходе газового топлива в Великобритании, более 60% в ФРГ.

На распределение продольных усилий аь N\ жесткость диафрагм существенно влияла в приконтурных зонах. В оболочке в месте примыкания ее к средней диафрагме продольные усилия CTI при диафрагмах в виде арок и ферм составляли соответственно 0,558 и 0,140 МПа, а в месте примыкания к крайней диафрагме —0,358 и 0,106 МПа. На распределение усилий ai, NI в обо-

диафрагм усилия в нижнем поясе менялись незначительно: усилия в затяжках крайней и средней арок были немного меньше, чем в нижних поясах ферм, и составляли соответственно в крайней диафрагме 4725 и 5250 Нив средней — 2X4650 и 2x5317 Н. Изменение усилий в затяжках объясняется увеличением плеча внутренней пары при диафрагмах в виде арок.

При расчете оболочек с диафрагмами в виде комбинированных систем распределение усилий в среднем поперечном сечении ближе к опытному, чем при фермах ( 2.75). Расчетные усилия в нижних поясах средней и крайней диафрагм составляли соответственно 2X4980 и 5673 Н, что равно 93,8 и 108 % опытных значений. Прогибы диафрагм независимо от мх расчетной схемы (арки, фермы, комбинированные системы) больше опытных.

Нелегированные пленки a-Si: Н, полученные в высокочастотном разряде, тлеющем в смеси газов SiH4 (90 %) и Н2 (10 %), осаждались на подложки из стекла, нагретые до 240 °С. Толщина образцов составляла - 0,58 мкм. Перед освещением образцы отжигались в вакууме при 150 С в течение 30 мин в темноте. Оптическое освещение образцов проводилось с помощью ртутной лампы высокого давления мощностью 500 Вт, ИК-фильтром которой служил слой чистой воды (9 см). Интенсивность и время облучения составляли соответственно 300 мВт/см2 и 150 или 240 мин.

Выбранные на основании приведенных выше результатов исследования температуры осаждения р-, /- и и-слоев a-Si: Н составляли соответственно 300, 250 и 250 °С. После осаждения р-слоя толщиной 500 А при 300 °С были сформированы /-слой (5000 А) и п-слой (100 А) при 250 С. Мощность ВЧ разряда в процессе плазменного осаждения поддерживалась постоянной (10 Вт). Подложками служили зеркально-отполированные пластины нержавеющей стали и термически обработанная полиимид-ная пленка с распыленным на ней слоем нержавеющей стали. Характеристики полученных солнечных элементов были следующими:

Для сравнения изготовлялись два типа обычных диодов с р-и-пере-ходом: р+-р-я-диод и р+-«-и+-диод. На 6.3.8, г показана структура этих контрольных диодов с р-и-переходом. Поверхностная концентрация и глубина диффузионно-легированного бором р+-слоя составляли соответственно 5 • 1018 см~3 и 1 мкм.

Нелегированные пленки a-Si: Н, полученные в высокочастотном разряде, тлеющем в смеси газов SiH4 (90 %) и Н2 (10 %), осаждались на подложки из стекла, нагретые до 240 °С. Толщина образцов составляла - 0,58 мкм. Перед освещением образцы отжигались в вакууме при 150 С в течение 30 мин в темноте. Оптическое освещение образцов проводилось с помощью ртутной лампы высокого давления мощностью 500 Вт, ИК-фильтром которой служил слой чистой воды (9 см). Интенсивность и время облучения составляли соответственно 300 мВт/см2 и 150 или 240 мин.

Выбранные на основании приведенных выше результатов исследования температуры осаждения р-, /- и и-слоев a-Si: Н составляли соответственно 300, 250 и 250 °С. После осаждения р-слоя толщиной 500 А при 300 °С были сформированы /-слой (5000 А) и п-слой (100 А) при 250 °С. Мощность ВЧ разряда в процессе плазменного осаждения поддерживалась постоянной (10 Вт). Подложками служили зеркально-отполированные пластины нержавеющей стали и термически обработанная полиимид-ная пленка с распыленным на ней слоем нержавеющей стали. Характеристики полученных солнечных элементов были следующими:

Для сравнения изготовлялись два типа обычных диодов с р-и-пере-ходом: р+-р-я-диод и р+-«-и+-диод. На 6.3.8, г показана структура этих контрольных диодов с р-и-переходом. Поверхностная концентрация и глубина диффузионно-легированного бором р+-слоя составляли соответственно 5 • 1018 см~3 и 1 мкм.

мер, при разработке солнечной электроракетной двигательной установки по проекту SEPS предполагалось использовать в ее составе солнечные батареи с концентраторами излучения типа ППФ [27]. Были рассмотрены два варианта конструктивно-компоновочной схемы крыльев данной СФЭУ — с одной и с двумя панелями СЭ ( 5.10). Во втором варианте наряду с основными отражателями на поверхности панелей должны быть установлены дополнительные призматические зеркала. Проектные значения среднего коэффициента концентрации для этих двух вариантов составляли соответственно 2.3 и 3.5. В качестве материала отражателей предполагалось использовать алюминпрованную пленку кантон толщиной 7.5 мкм. Панели должны состоять из сборок усовершенствованных крем-