Составляет незначительную

При номинальном режиме напряжение на зажимах вторичной обмотки трансформатора тока составляет несколько вольт ввиду малости сопротивлений последовательных цепей измерительных приборов. Этот режим близок к короткому замыканию: аг^/j я& w2Iz-

Быстродействие вольтметров, основанных на. промежуточном преобразовании напряжения во временной интервал, составляет несколько тысяч измерений (преобразований) в секунду; точность не превышает 0,05 ч- 0,1% из-за нелинейности напряжения илин и нестабильности частоты /0.

Напряжение переключения имеет максимальное значение при отсутствии тока в цепи управляющего электрода (ty3==0). В этом случае оно составляет несколько сотен вольт. При увеличении тока управления величина fAImax снижается. Практически при силе тока iy3 порядка 100 мА она уменьшается до нескольких десятков вольт. Выключенное состояние тиристора при обратном смещении (участок 4) характеризуется допустимым обратным напряжением f/06p, равным нескольким сотням вольт. Естественно, что указанные значения ?/0бр, Uamax, tya Для разных типов тиристоров различны и что здесь указаны лишь приблизительные их значения. Тиристор может оставаться включенным длительное время даже при отсутствии тока в цепи управляющего электрода. Тиристоры открываются при токах в несколько десятков миллиампер, а номинальные токи их определяются сотнями ампер. Тиристор обычно выключается по току в анодной цепи; он переходит в выключенное состояние при анодном токе, равном нулю. Однако при небольшом анодном

Время переключения сердечников с ППГ в устройствах автоматики и вычислительной техники составляет несколько микросекунд или долей микросекунды.

— повышением степени интеграции логических элементов на одном кристалле (на первых ИС на кристалле размещалось 2—3 десятка логических схем, в БИС число элементов в зависимости от их типа составляет несколько сотен или переваливает за тысячи, а в СБИС их уже насчитывается до сотен тысяч на кристалле);

'Планерная технология позволила преодолеть ряд трудностей в изготовлении дискретных полупроводниковых приборов. Существенно повысился их частотный предел (свыше 1 ГГц), максимальная отдаваемая мощность возросла до десятков ватт. Появилась возможность создания униполярных приборов, в том числе транзисторов со структурой МДП (металл — диэлект*-рик — полупроводник), а также одновременного изготовления сотен и тысяч приборов на одной полупроводниковой подложке, так как площадь кристалла, занимаемая одним прибором, часто не превышает 0,25... ...1,00мм2, а площадь подложки составляет несколько тысяч мм2. Такой технологический процесс, называемый групповой технологией, позволяет резко снизить затраты труда на изготовление каждого прибора.

Накопительное кольцо ( 4. 13, а) выполняется в виде вакуумной тороидальной камеры, размещенной между полюсами Л'. S электромагнита постоянного тока. Вследствие глубокого вакуума (до 10~7 10" " Па) рассеяние заряженных частиц на молекулах остаточного газа в камере практически отсутствует. Поток частиц вводят в камеру по касательному направлению с помощью каналов /, идущих от линейного или орбитального ускорителя. Постепенно заполняют НЭ частицами, увеличивая их концентрацию в кольце, т. е. электрический ток. Время заряда НЭ составляет несколько часов. При движении по кольцевой орбите поток частиц теряет некоторую часть энергии за счет электромагнитного излучение. С целью компенсации потерь вакуумную полость кольца разделяют на несколько секторных камер 2, в промежутках между которыми устанавливают объемные резонаторы 3 высокочастотных

где 11 Л и /4~' — нормы исходной и обратной матриц. Если число обусловленности составляет несколько единиц, то матрица хорошо обусловлена. Если COND составляет несколько десятков или сотен, то можно не

Обычно сопротивление ^Вых составляет несколько килоом. Таким образом, в усилителе ОИ на полевом транзисторе в отличие от усилителя ОЭ на биполярном транзисторе выходное сопротивление много меньше входного.

гера Шмитта благодаря регенеративным процессам можно получить импульсы прямоугольной формы, имеющие крутые фронты и срезы. Промышленность выпускает специализированные интегральные микросхемы, например компараторы 521СА1, 521СА2 и 521СА5, у которых А4ад составляет несколько десятков наносекунд.

Между анодом и фотокатодом подключают источник постоянного напряжения, значение которого составляет несколько сотен вольт или единиц киловольт в зависимости от числа динодов. Диноды подключают к делителю напряжения таким образом, чтобы напряжение между соседними электродами составляло 50—150 В. При облучении фотокатода световым потоком электроны, вылетевшие из катода, под воздействием ускоряющего электрического поля попадают на первый динод и, ударяясь о него, выбивают вторичные электроны. Вторичные электроны под воздействием ускоряющего электрического поля, созданного напряжением между первым и вторым динодами, достигают динода Д2 и выбивают из него новые вторичные электроны. Движение электронов от динода к диноду с образованием новых вторичных электронов происходит до тех пор, пока поток электронов не достигнет анода, вызывая появление тока /а ( 4.24) в анодной цепи фотоэлектронного умножителя. Форму динодов и их взаимное расположение выбирают такими, чтобы возможно большая часть электронов, эмиттированных предыдущим динодом, попадала на последующий динод, что обеспечивает коэффициент эффективности каскада ФЭУ, равный 0,7—0,95.

Несмотря на то, что ремонтное время составляет незначительную долю общего времени, затрачиваемого на строительство скважин, повышение надежности бурового электрооборудования обеспечивает значительный экономический эффект.

1. Диффузия из постоянного источника. В этом случае концентрация примеси у поверхности раздела поддерживается постоянной Af(0, t) = const = JV0. Это значит, что уменьшение числа атомов примеси, уходящих в объем полупроводника через поверхность раздела, никак не отражается на концентрации их у поверхности. Источником атомов диффузанта в этом случае является поток газа, омывающий полупроводниковые подложки в зоне диффузии диффузионной печи. Уменьшение числа атомов, уходящих в подложки, составляет незначительную часть по отношению к общему числу атомов в объеме газа. Таким образом, условие выполняется достаточно точно. Решение уравнения диффузии для данного случая имеет вид

При неизвестной, но стабильной начальной фазе проигрыш по энергетике составляет незначительную величину по сравнению с условиями, когда начальная фаза стабильна и известна полностью. В случае флуктуирующей начальной фазы энергетические потери тем больше, чем слабее полезный сигнал по отношению к шуму.

Самопроизвольное изменение выходного напряжения УПТ при неизменном напряжении входного сигнала называется дрейфом усилителя. Причинами дрейфа являются нестабильность напряжений питаний схемы, температурная и временная нестабильности параметров транзисторов и резисторов. Значение дрейфа выходного напряжения Д ?/Вых.дР обычно определяют при закороченном входе усилителя (с/г = 0) по приращению выходного напряжения. Качество усилителя постоянного тока оценивают по напряжению дрейфа, приведенному ко входу усилителя (приведенному дрейфу) с/др== = А L/иаь.цр/Ки, где Ки — коэффициент усиления усилителя по напряжению. Приведенный ко входу дрейф ?/др характеризует значение ложного сигнала на входе усилителя с коэффициентом Ки, которому соответствует самопроизвольное изменение выходного напряжения А ^вых.др. С учетом с/др определяют диапазон возможного изменения входного напряжения Ur усилителя, при котором напряжение дрейфа Л t/вых.др составляет незначительную часть полезного выходного

Расчет охлаждения при естественной конвекции сводится к определению тепловой характеристики кожуха и нагретой зоны РЭА. Тепловой характеристикой зоны (кожуха) называется функциональная зависимость перегрева ее от мощности тепловыделения. В большинстве РЭА выходная мощность составляет незначительную часть потребляемой, поэтому можно считать, что мощность тепловых потерь равна потребляемой от сети мощности. Связь между мощностью Р, потребляемой изделием, и средним перегревом поверхности А/ выражается равенством

к номинальной, составляет незначительную долю первичного тока.

Второй эффект связан с падением напряжения на квази-пейтралыюй области «-коллектора п называется эффектом квазинасыщения. Этот эффект наиболее ярко выражен при небольших обратных напряжениях UK в высоковольтных «н-р-«-«+ транзисторах, коллекторная область которых слаболегирована и имеет большую протяженность. При указанных условиях толщина ОПЗ коллектора 6i<=---6iK + -r&iK составляет незначительную часть «-области коллектора WKO. Напряженность электрического поля Е' в квазинейтральной области коллектора толщиной WK (см. 2.12, а)

При работе, трансформатора на нагрузку ток /0 через сопротивления гп и je12 составляет незначительную часть тока в первичном контуре. Поэтому форма первичного тока трансформатора тем ближе к синусоиде, чем больше ток нагрузки. Вторичное напряжение транс-форматора из-за ^искажения фермы первичного тока также отличается от синусоиды, но это отличие тем меньше, чем больше связь между обмотками.

Эта мощность неизменна при любом коэффициенте сигнала, не зависит от нагрузки и вся выделяется в виде тепловых потерь. Ввиду высокого относительно якоря сопротивления обмотки главных полюсов мощность возбуждения составляет незначительную долю в полной потребляемой мощности Р\\

значительно увеличится, так как сопротивление г0 обычно составляет незначительную часть сопротивления внешней цепи. Поэтому, как правило, токи короткого замыкания опасны для источников.

Если считать состояние и роль окружающей среды неизменными и принять ее температуру в земных условиях Т0.с = Т2 = = 300 К, то увеличение тепловой экономичности цикла при повышении Т\ ^> 2000 К составляет незначительную величину (см. 4.1), которая не может превысить потерь, возникающих при этом в реальных условиях, за счет диссоциации рабочих газов ( 4.2), теплоотдачи в окружающую среду и т. д. При этом возрастут также технические (и финансовые) затраты на жаростойкие материалы и другие средства работы при высоких температурах.