Соседними импульсами

Используя уравнение (2.27), определяем, что коэффициент корреляции между соседними элементами в одной строке (п = 1) равен 0,98, между ближайшими элементами соседних строк в кадре (q = = 1) — 0,95, а в поле — 0,9 (в этом случае q = 2), наконец, между ближайшими элементами в соседних кадрах (р = 1) — 0,92. Высокая степень корреляции между соседними элементами в строке, смежных стрбках и кадрах может быть эффективно использована для пред-

но происходит определенная потеря мелких деталей и растягивание переходов между соседними элементами изображения.

Подвижное (плавающее) крепление ( 3.4, г, ж, з) выполняют путем установки контактных элементов в изоляционных деталях с зазором, что обеспечивает свободное перемещение без замыканий с соседними элементами. Достоинством такого крепления является обеспечение ремонта соединителя и постоянства контактного усилия. Дополнительные сведения по данным вопросам можно получить, ознакомившись с [1, 2].

которые необходимо выдержать между краем изолированной области и элементом и между соседними элементами.

Полуизолирующая подложка из компенсированного хромом или нелегированного арсенида галлия, обладающего высоким удельным сопротивлением (более 10е Ом-см), позволяет обеспечивать очень малые токи утечки переходов исток — подложка; сток — подложка и паразитные токи между соседними транзисторами микросхемы при малых (несколько микрометров) расстояниях между ними. Однако серьезной причиной, ограничивающей минимальные расстояния между транзисторами на кристалле и степень интеграции арсенид-галлиевых микросхем, создаваемых на полуизолирующей подложке, является паразитная связь между соседними элементами, "обусловленная эффектом поля в подложке.

f обусловлено изменением напряжения наэлек-3 тродах соседних элементов. Поэтому ток сто-^ ка данного транзистора может зависеть не только от напряжений на его электродах, но и от напряжений на электродах соседних элементов. В этом состоит сущность паразит- 5.6 ной связи между соседними элементами, рас-

При подаче напряжения высокого уровня, например, на шину Ф, в приповерхностных областях полупроводниковой подложки под затворами, соединенными с этой шиной (первым, четвертым и т. д.), возникают потенциальные ямы для электронов. Электрический сигнал в ПЗС представлен не током или напряжением, как в микросхемах на транзисторах, а зарядом — зарядовым пакетом. Принцип действия ПЗС основан на накоплении и хранении зарядовых пакетов в потенциальных ямах под затворами и на перемещении зарядовых пакетов между соседними элементами при изменении управляющих напряжений — тактовых импульсов. Взаимодействие соседних элементов осуществляется с помощью переноса зарядовых пакетов в полупроводниковой подложке в направлении, показанном стрелкой на 11.1, а. Это взаимодействие называют зарядовой связью, что отражено в названии прибора. Для того чтобы между соседними элементами обеспечивалась эффективная зарядовая связь, расстояния между затворами должны быть достаточно малыми по сравнению с толщиной обедненных слоев под затворами. Благодаря непосредственной зарядовой связи между соседними элементами в ПЗС не нужны сигнальные провод-пики, необходимые в интегральных микросхемах, содержащих транзисторы. На поверхности большей части кристалла располагаются только управляющие шины, а сигнальные проводники используются лишь на входах и выходах ПЗС.

Минимум длины связей означает максимум связей между соседними элементами и имеет значение для электрических схем в зависимости от быстродействия и частотного диапазона. Правилом двух минимумов следует руководствоваться при топологическом конструировании ПП.

Саморазряд батарей, состоящих из нескольких элементов, может происходить из-за плохой изоляции между соседними элементами, утечки тока через места, покрытые грязью, в которой могут быть электропроводные примеси. Такими примесями часто являются растворы солей или щелочи, выделяющиеся из неисправного элемента. Следует обратить внимание на ошибочность широко распространенного мнения, что у отдельных элементов саморазряд вызывается появлением электролита снаружи элемента между внешними выводами электродов. Например, саморазряд ртутно-цинко-вых элементов не увеличивается при выползании щелочного элект-

Агломерат должен иметь одинаковую толщину на краях, которая обеспечивается правильной установкой верхнего и нижнего пуансонов пресс-инструмента на прессе. Установка пресс-инструмента с перекосом приводит к неправильности плоскостей готового агломерата и разной толщине по краям. Элементы, собранные из таких электродов не обеспечивают удовлетворительный контакт с соседними элементами батареи. Поэтому производится отбраковка электродов с разной толщиной по краям.

перекосов. Вандажированием секции обеспечивается НейбХоДИМЙЯ степень сжатия секции для хорошего контакта между соседними элементами.

жду соседними импульсами несущей ( 2.76) разбивается на несколько зон, например на четыре. Каждой зоне присваивается двоичный код: 1-й — 0 0, 2-й — 01, 3-й — 1 0 и 4-й — 1 ,1. Каждому изменению полярности телеграфного сигнала также присваивается код: например, при переходе от 1 к 0 — «О», а при переходе от О к 1 — «1». Кодовая комбинация, несущая информацию о характере изменения полярности телеграфного сигнала, содержит четыре разряда: первый разряд дает информацию о характере изменения полярности телеграфного сигнала; второй и третий разряды— информацию о месторасположении ЗММ между тактовыми •сигналами импульсной несущей; четвертый (подтверждающий) — информацию о характере телеграфного сигнала. Этот разряд по знаку совпадает с первым разрядом. Поэтому кодовая комбинация, содержащая информацию о первом ЗММ ( 2.7а), будет такой: 0010 ( 2.1 в). Передача кодовой комбинации в линию начинается с тактового импульса, следующего за сменой полярности теле-

В импульсных устройствах период чередования импульсов Т„ ( VI. 11), как правило, значительно меньше периода собственных колебаний фильтра, а длительность импульса ти намного меньше четверти периода этих колебаний. Следовательно, можно считать, что за время ти конденсатор С1 не заряжается. Он успевает полностью зарядиться в промежутках между соседними импульсами. Временные диаграммы такого режима представлены на VI. И.

такой, чтобы были видны два импульса / одного канала и между ними один импульс 2 другого, тогда фаза определяется отношением расстояния между соседними импульсами к периоду ( 23-2). Для повышения точности измерения увеличивают длину линии развертки, применяя круговые л спиральные развертки.

частотой повторения, длительностью временных интервалов между соседними импульсами и скважностью или коэффициентом заполнения. Представляет интерес мгновенное значение высоты импульса в заданный момент времени и изменения этого значения под влиянием различных факторов. Иногда интересуются интегральными параметрами — обобщенными длительностью и высотой.

Огибающая выходного напряжения выражается, как u(t) = (Kj~V na)G(Q), где Q — линейная функция времени, и выражает модуль спектральной функции импульса, развернутого во времени. Масштаб частоты по оси времени на экране осциллографа составляет dQ/dl=l/2a. Тогда время анализа Тл спектра с эффективной полосой До>Эф можно записать, как Га=Ла>эфА^А^=2аДсОэф, а условие неискаженного воспроизведения модуля спектральной функции можно выразить через время анализа Га^О.бт^Ашэф. Понятно, что период развертки Гр должен быть больше времени анализа 7Y Если исследуемый сигнал имеет вид повторяющихся импульсов, то необходимо, чтобы отклики, вызванные соседними импульсами, не перекрывались. Следовательно, длительность паузы между импульсами тп должна быть больше времени аналива Га. Это обстоятельство накладывает ограничение на скважность исследуемых импульсов.

Смысл терминов «повторяющееся напряжение» и «неповторяющееся напряжение» поясняет 3.21. Импульсы He-повторяющегося напряжения прикладываются к тиристору с частотой, меньшей частоты питающей сети. Эти импульсы могут следовать хаотично во времени, не подчиняясь какой-либо определенной закономерности, но наименьший интервал времени между двумя соседними импульсами должен быть достаточно велик (около секунды или больше) с тем, чтобы влияние предыдущего импульса на состояние тиристора полностью исчезло к моменту приложения следующего импульса. Импульсы повторяющегося напряжения прикладываются к тиристору с частотой питающей сети. Повторяющиеся перенапряжения обусловлены в основном процессами коммутации в тиристорном преобразователе; неповторяющиеся перенапряжения вызываются внешней по отношению к преобразователю причиной — перенапряжениями в питающей сети, грозовыми перенапряжениями и т. д.

Пауза между двумя соседними импульсами в последовательности должна удовлетворять неравенству

В качестве иллюстрации на 2.22, а изображен спектр (модуль) пачки из трех прямоугольных импульсов, а на 22, б — из четырех импульсов, при интервале между соседними импульсами Т = Зти. Пунктирными линиями показана спектральная плотность одиночного импульса. С увеличением числа импульсов в пачке спектральная плотность все более расщепляется и, в пределе при N ~> оо, принимает линейчатую структуру спектра периодической функции.

В качестве иллюстрации на 2.22, а изображен спектр (модуль) пачки из трех прямоугольных импульсов, а на 2.22, б — из четырех, при интервале между соседними импульсами Т = Зти. Штриховыми линиями показана спектральная плотность одиночного импульса. С увеличением числа импульсов в пачке спектральная плотность все более расщепляется и в пределе при /V -> оо принимает линейчатую структуру спектра периодической функции.

напряжения. Для этой цели исследуемые импульсы подаются на г/-пластины и на зажимы внешней синхронизации осциллографа. Получив устойчивое изображение на экране и измерив расстояние между двумя соседними импульсами^ отключают измеряемое напряжение на экране и вместо него подают эталонное синусоидальное напряжение. Внешняя синхронизация по-прежнему осуществляется исследуемыми импульсами. Изменяя частоту /э, нужно добиться положения, при котором период синусоидальной кривой на экране будет близок к измеренному периоду исследуемых импульсов и изображение ее будет неподвижным. Полученное значение частоты /э только приближенно равно искомой частоте /,,.. Для определения точного значения частоты исследуемое напряжение подается на г/-пластины, а синусоидальное напряжение частотой /э л; /ж — на ж-пластины. Изменяя частоту /э, добиваются устойчивой картины, когда на экране виден Лишь один импульс. Соответствующая этому частота будет точно равна частоте /ж следования импульсов. Для сравнения частот может быть использована также и круговая развертка. Исследуемое напряжение подается на радиальный электрод, а эталонное напряжение создает круговую развертку. Количество зубцов на осциллограмме определяет кратность отношения исследуемой частоты и эталонной.

где k — число импульсов ИДС на интервале измерения; 7"дс, — длительность текущего временного интервала между двумя соседними импульсами ИДС.

Дальнейшее повышение точности измерения скорости может быть достигнуто, если измерять временные интервалы не между двумя соседними импульсами ИДС, а между импульсами задающей эталонной частоты Уз и соответствующими импульсами ИДС частоты /дС при абсолютном равенстве усредненной частоты fac и частоты f2.