Сопровождается появлением

При работе ЭЯ недостаток ионов Н+ в растворе КОН восполняется на катоде за счет диссоциации молекул Н2О. Реакция сопровождается образованием ионов водорода и их восстановлением в молекулы:

Инжекция в контакте металл.— полупроводник обусловлена тем, что-в область полупроводника при- определенных условиях могут проникать на- металла; носители- заряда, создавая избыточную не-раваовесную. шщентрацию! носителей. Инжекция сопровождается образованием в области, контакта объемного заряда. При возникновении инжекции в омическом контакте искажается вольт-амперная характеристика; полупроводникового прибора.

Концентрация носителей заряда в области перехода изменяется плавно от значения пп в электронной до значений пр в дырочной области и от рр в дырочной до рп в электронной. Следовательно, в области перехода имеет место пониженная концентрация свободных носителей. Иначе этот слой называют обедненным основными носителями заряда. Появление его сопровождается образованием вблизи р — «-перехода двойного электрического слоя, препятствующего движению через р — «-переход основных носителей. Таким образом, по отношению к основным носителям обедненный слой имеет повышенное сопротивление, поэтому его называют запирающим. Из 48

Как уже указывалось ранее, процесс внедрения ионов высоких энергий в решетку твердого тела сопровождается образованием радиационных дефектов различного рода: атомов в междоузлиях, вакансий или их агрегатов, комплексов вакансия — примесный атом, дислокаций, дефектов упаковки и др. Суперпозиция областей с высокой концентрацией дефектов приводит к полному нарушению кристаллической структуры поверхностной области твердого тела — к ее аморфизации.

Величина AW/p=W/F-H/B также мала (около 0,05 эВ), поэтому электроны валентной зоны легко переходят на примесный уровень. При этом в валентной зоне появляется большое число дырок. Они заполняются другими электронами валентной зоны, что сопровождается образованием новых дырок. Следовательно, появляется возможность перемещения электронов в валентной зоне и повышения электропроводности, называемой дырочной. Концентрация дырок в полупроводнике р-типа определяется выражением рр — — Na +Pi « /Va, где Na — концентрация акцепторов.

После нанесения золотого или серебряного покрытия на печатные проводники, что часто практикуется зарубежными фирмами с целью улучшить коррозионную стойкость и паяемость, опасно образование дендритов на проводнике, играющем роль катода, при наличии ионов хлоридов и других галогенов. Рост дендритов, опасных возможностью замыкания в узком промежутке, сопровождается образованием комплексов ионов золота и серебра с группой ОН, коллоидных сгустков размером около 1 нм и электролитическим растворением металла покрытия со всеми вытекающими отсюда последствиями.

нии дуга возникает при токах, превышающих 0,5 А, и напряжении не ниже 15 В. При меньших значениях тока и напряжения размыкание контактов сопровождается образованием искр.

• Тип термокомпрессион-ното соединения (форма и размеры деформируемого участка вывода) зависит от размеров и конструкции инструмента. Возможны два основных типа соединения: внахлестку и встык. На 3.9 показана последовательность образования проволочной перемычки между контактной площадкой и внешним выводом корпуса при использовании капиллярного инструмента для соединения внахлестку ( 3.9, а) « встык ( 3.9, б). Во втором случае обрезка проволоки (электрической дугой или газовой горелкой) сопровождается образованием шарика.

• Тип термокомпрессион-ното соединения (форма и размеры деформируемого участка вывода) зависит от размеров и конструкции инструмента. Возможны два основных типа соединения: внахлестку и встык. На 3.9 показана последовательность образования проволочной перемычки между контактной площадкой и внешним выводом корпуса при использовании капиллярного инструмента для соединения внахлестку ( 3.9, а) « встык ( 3.9, б). Во втором случае обрезка проволоки (электрической дугой или газовой горелкой) сопровождается образованием шарика.

К ситаллам относят материалы, получаемые, подобно стеклу, сплавлением неорганических окислов но подвергаемые затем управляемой кристаллизации. Таким образом в этих системах содержится как аморфная, так и кристаллическая фаза. Помимо обычных окислов в их ,состав предварительно вводят тонкодисперсные примеси, служащие для образования зародышевых центров, вокруг которых вырастает астрономически большое количество микроскопически малых кристаллов; название с и. т а л л происходит от слов стекло и кристалл. Кристаллизация такого стекла может быть обусловлена ф о т о х и -. м и ч е с к и м и и каталитическими процессами. В первом случае в так называемых фотоситаллах, распределенные в объеме примеси солей металлов под действием света или иного облучения, становятся металлическими частицами. Обычно • используют ультрафиолетовое облучение с длиной волны X = 260 -ь 360 ммкм; появляется скрытое изображение; для его проявления стекло прогревают. Термическая обработка стекла сопровождается образованием и ростом ультратонких разветвленных неметаллических кристаллов, вокруг металлических'частиц. Если облучать не всю поверхность изделия, а лишь определенные участки, то будут закристаллизованы лишь соответствующие объемы. Оказалось, что закристаллизованные непрозрачные участки значительно легче растворяются в кислотах, чем примыкающие к ним прозрачные участки. Это позволяет травлением получать в изделии отверстия, выемки и т. п.

Энергетические уровни (локальные уровни) донорных примесей при малой концентрации располагаются в запрещенной зоне, вблизи чот зоны проводимости и отделены от нее узкой полосой значений энергии • ИРд. Энергия ИТд ионизации донора — минимальная энергия, необходимая для перевода электрона с донорного уровня в зону проводимости ( 13.1, б). Введение акцепторов сопровождается образованием локальных уровней, приподнятых над валентной зоной на величину Ws ( 13.1, б), которая представляет собой минимальную энергию, необходимую для перевода электрона.валентной зоны на локальный акцепторный уровень. Заметим, что в энергетической диаграмме по оси ординат откладываются значения энергии электрона, тогда как абсцисса на диаграмме масштаба не имеет.

Коронный разряд наблюдается при повышенных давлениях газа (от десятков миллиметров ртутного столба до давления выше атмосферного). Он возникает при наличии неоднородности электрического поля большой напряженности и сопровождается появлением характерного свечения, называемого короной, вблизи электрода с малым радиусом кривизны. Остальное пространство между электродами остается темным, так как напряженность поля в нем недостаточна для возбужде-

ды. Ток сопровождается появлением магнитного поля и переходом части энергии электромагнитного поля в тепло, причем мощность этого процесса в единице объема

Движение проводящей среды в магнитном поле, в отличие от рассмотренного в § 32.1 п. 1 движения без внешнего поля, сопровождается появлением токов, создающих дополнительное магнитное поле. Взаимодействие этих токов с суммарным магнитным полем обусловливает особый характер движения среды. Расчет этого движения и составляет основную задачу магнитогидродинамики.

Из последней формулы можно сделать весьма важный вывод: если в диэлектрике конденсатора есть слой или даже пузырьки воздуха (у которого диэлектрическая проницаемость меньше проницаемости диэлектрика), то в слое воздуха могут возникнуть значительные напряженности электрического поля, способные вызвать в нем разряд. Разряд в воздухе сопровождается появлением раствора азотной кислоты, что в конечном счете может стать причиной порчи всей установки. Поэтому сушка изоляции обмоток машин, проводов, кабелей и пр. производится в баках под малым давлением с целью удаления из изоляции воздуха.

Важное влияние на структурное совершенство эпитаксиальных гетероструктур оказывает толщина эпитаксиального слоя h. Она определяет характер его деформации. При малых значениях h деформация эпитаксиального слоя протекает упруго и не сопровождается появлением в слое структурных дефектов. При больших значениях h деформация эпитаксиального слоя, протекает пластически и сопровождается возникновением дислокаций. Для каждого полупроводникового материала в зависимости от его термомеханических свойств имеется определенное критическое значение толщины эпитаксиального слоя. В его пределах деформация при данном значении напряжения а, определяемого значением Да, протекает пластически ( 6.37).

При к. з. возникает переходный электромеханический процесс. При малых длительностях к. з. его условно можно считать чисто электромагнитным. Переход системы от одного состояния к другому сопровождается появлением свободных токов, накладывающихся на принужденные токи. Основные трудности при расчетах токов к. з, в энергосистемах вызываются спецификой поведения вращающихся машин (генераторов, двигателей, синхронных компенсаторов) при переходных процессах.

В сильноточных коммутационных аппаратах дуговой разряд сопровождается появлением ряда усилий (электродинамических, электромагнитных, газодинамических и др.), под действием которых практически весь расплавленный металл удаляется с поверхности контакта, вследствие чего коэффициент выброса можно принять ka яз 1. В тех случаях, когда масса выброшенного металла значительно отличается от массы расплавленного, коэффициент выброса можно определить на основании экспериментальных данных, проведенных для соответствующих условий работы коммутационного аппарата.

Близость локальных уровней к зоне проводимости приводит к тому, что уже при небольшом нагреве атомы примеси ионизируются, отдают дополнительный электрон, при этом число свободных электронов увеличивается. Образование свободных электронов при ионизации донорной примеси сопровождается появлением в узлах кристаллической решетки неподвижных положительных зарядов — ионов примеси. Обмен электронами между атомами примеси невозможен, так как атомы примеси удалены друг от друга и при комнатной температуре все ионизированы. Таким образом, ионизация атомов примеси не приводит к увеличению концентрации дырок, которые образуются только при разрыве связей между атомами полупроводника. Поэтому при введении донорной примеси концентрация свободных электронов оказывается значительно больше концентрации дырок и электропроводность определяется в основном электронами. В этом случае электроны называют основными носителями (их концентрация обозначается пп), дырки— неосновными (концентрация рп), а такой полупроводник называется полупроводником п-типа. Несмотря на преобладание в примесном полупроводнике подвижных носителей одного знака, полупроводник в целом электрически нейтрален, так как избыточный заряд подвижных носителей компенсируется зарядом неподвижных ионов примесей. Для полупроводника n-типа справедливо следующее равенство концентрации отрицательных и положительных зарядов:

Разряд молнии в изолированный от земли провод сопровождается появлением на проводе напряжения, прямо пропорционального амплитуде тока молнии и имеющего длительность, не превышающую 50—100 мкс. Непосредственные измерения показывают, что разряды молнии могут сопровождаться токами от нескольких килоампер до 200 кА и более, т. е. ток молнии является статистической величиной, характеризующейся определенным законом распределения вероятностей. В связи с этим напряжение на изоляции провода при разряде молнии также является статистической величиной. На В-2 приведены кривые вероятностей появления различных значений напряжения на изоляции провода, пораженного разрядом молнии. Из кривой / для линии без троса следует, что напряжение, превышающее 1000 кВ, появляется на изоляции приблизительно в 70% всех случаев разряда молнии в провод. Напряжение 1000 кВ может выдерживать изоляция далеко не всех линий электропередачи, но и в этом случае линии не могут нормально

ных элементах устройства, и сопровождается появлением больших перенапряжений, угрожающих целости изоляции устройства. Поэтому возникновение условий, приводящих к разрыву дуги, следует всеми мерами предупреждать. Аналитическим путем это может быть учтено, когда известна зависимость предельных (критических) значений плотностей тока от тех факторов, которые ее определяют. К этим факторам, помимо начального давления газа, относятся число сеточных отверстий, их диаметр и глубина, условия, определяющие приток свежих порций газа из соседних объемов, а также скорость нарастания анодного тока. В силу большого числа влияющих факторов критические плотности тока устанавливаются экспериментально. Численные их значения в функции начального давления

Общая характеристика переходного процесса при коротком замыкании. При КЗ возникает переходный электромеханический процесс. При малых длительностях КЗ его условно можно считать чисто электромагнитным (см. § 6.2)- Переход системы от одного состояния к другому сопровождается появлением свободных токов, накладывающихся на принужденные токи. Основные трудности при расчетах токов КЗ в энергосистемах вызываются спецификой поведения вращающихся машин (генераторов, двигателей, синхронных компенсаторов) при переходных процессах.