Сопротивлению транзистора

Из полученных формул видно, что сопротивление резистора какой-либо стороны эквивалентного треугольника равно сумме сопротивлений резисторов лучей звезды, примыкающих к этой стороне треугольника, и дроби, числитель которой равен произведению сопротивлений резисторов этих лучей, а знаменатель — сопротивлению резистора третьего луча звезды,

Вольт-амперные характеристики фотодиода в этом режиме при различных значениях светового потока показаны на 4.9. Они аналогичны коллекторным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общей базой, только параметром является не ток эмиттера, а световой поток фотодиода. При наличии нагрузочного резистора #н, включенного последовательно с источником э. д. с. ( 4.10), значения тока / и напряжения ?/вых можно определить, построив линию нагрузки, соответствующую сопротивлению резистора Rn (см. 4.9). Как видно, ток мало зависит от сопротивления нагрузочного резистора и приложенного напряжения.

Прямая \п0 будет первой характеристикой, соответ-сшующей полному сопротивлению резистора. С точки / начинается разгон двигателя. При достижении двигателем переключающего момента Mi первую секцию резистора выключают, что изобразится горизонталью, проведенной через точку 2. При пересечении этой горизонтали с перпендикуляром М\а' находится точка 3 второй искусственной характеристики.

Режим фотопреобразователя соответствует подаче напряжения на фотодиод в запирающем направлении ( 8.5, б). Вольт-амперные характеристики фотодиода в этом режиме при разных значениях световых потоков показаны в III квадранте 8.5, а и соответственно этому квадранту на 8.5, в. Как видно, эти характеристики аналогичны коллекторным (выходным) характеристикам биполярного транзистора, включенного по схеме с ОБ (см. 5.7, б), только параметром является не ток эмиттера, а световой поток фотодиода. При наличии нагрузочного резистора RH, включенного последовательно с источником ЭДС (см. 8.5, б), ток I и напряжение ?/Вых можно определить, построив нагрузочную прямую, соответствующую сопротивлению резистора RH (см. 8.5, в). Как видно из построения, ток мало зависит от приложенного напряжения.

Полное сопротивление в этом случае равно сопротивлению резистора: Z = R, а реактивные сопротивления катушки и конденсатора

9. По результатам опытов холостого хода и короткого замыкания и известному сопротивлению резистора R вычислить силу тока в диагонали мостовой схемы (ветвь А—Б). Результаты вычислений сравнить с показаниями амперметра А1.

Решение. Поскольку требуется найти напряжение только в установившемся режиме, можно ограничиться использованием статической эквивалентной схемы открытого диода. При графическом решении задачи ( 3.4, б) на одном графике с в. а. х. строим нагрузочную прямую, угол наклона которой соответствует сопротивлению резистора R. Проводим ее через две точки — точку холостого хода (цак = Е; i = 0) и точку короткого замыкания (иак = 0, i => = EIR). Абсцисса точки пересечения в. а. х. с нагрузочной прямой и даст искомое значение выходного напряжения Uap.

ключей не к коллектору транзистора, как это имеет место в схеме на 2.20, а к точке соединения резисторов >RK и RH. Выходной ток, который течет в резисторе RK, создает на нем падение напряжения, пропорциональное сопротивлению резистора. Через резистор Roc оно подается во входную цепь каскада.

В том случае, когда каскад с ОК анализируется для области нижних частот и сравнительно малыми межэлектродными емкостями можно пренебречь, входное сопротивление лампового каскада будет равно сопротивлению резистора Rc.

Каскад с эмиттерной связью ( 4.50, а) представляет собой разновидность каскада параллельного баланса. Если в этом усилительном каскаде использовать идентичные транзисторы, в коллекторную цепь транзистора VT1 включить резистор, сопротивление которого равно сопротивлению резистора /?з, исключить конденсатор С, а выходное напряжение снимать с коллектор-

Режим фотопреобразователя соответствует подаче напряжения на фотодиод в запирающем направлении ( 8.5, б). Вольт-амперные характеристики фотодиода в этом режиме при разных значениях световых потоков показаны в III квадранте (см. 8.5, а) и соответственно этому квадранту на рисунке 8.5, в. Как видно, эти характеристики аналогичны коллекторным (выходным) характеристикам биполярного транзистора, включенного по схеме с ОБ (см. 5.7, б), только параметром является не ток эмиттера, а световой поток фотодиода. При наличии нагрузочного резистора RH, включенного последовательно с источником ЭДС (см. 8.5, б), ток / и напряжение f/Bblx можно определить, построив нагрузочную прямую, соответствующую сопротивлению резистора RH (см. 8.5, в). Как видно из построения, ток мало зависит от приложенного напряжения.

гДе #вх — входное сопротивление усилительного каскада, примерно равное входному сопротивлению транзистора, a iB^i6. Благодаря тому что коллекторный ток во много раз превышает ток базы, а сопротивление /?к больше Явх, выходное напряжение усилительного каскада с общим эмиттером получается во много

напряжения, т. е. сопротивление для переменного напряжения равно дифференциальному сопротивлению транзистора. В этом случае даже при небольшой величине питающего напряжения ?к удается выбрать оптимальный с точки зрения коэффициента усиления рабочий ток транзистора VI без шунтирования сопротивления нагрузки RH по переменному току сопротивлением транзистора V2. Этот вариант эмиттерного повторителя целесообразен, если сопротивление RH оказывается соизмеримым с сопротивлением, которое необходимо подключить в эмиттерную цепь транзистора для обеспечения его оптимального режима по постоянному току. Если сопротивление нагрузки RH меньше со-

На пологом участке характеристики сопротивление МДП-резисто-ра равно внутреннему сопротивлению транзистора г,, которое рассчитывается по формуле

С помощью- выражения (3.30) можно рассчитать ДВС токоотвода, однако оно не позволяет сразу оценить, за счет каких параметров можно повысить до бесконечности ДВС токоотвода, чтобы получить идеальный ГСТ. Из (3.30) видно, что увеличением сопротивления эмит-терного резистора ^э до бесконечности можно только приблизить ДВС токоотвода к выходному сопротивлению транзистора. Следовательно, необходимо искать другие пути повышения ДВС токоотвода. Например, при Лэ==0 и опорном напряжении от источника напряжения на базе транзистора можно значительно упростить (3.30):

Поскольку параллельно выходному сопротивлению транзистора каскада включен резистор коллекторной цепи /?з, то выходное сопротивление каскада с ОБ для области нижних частот

^Из схемы, приведенной на 13.4, видно, что сопротивление /?Б делителя включено параллельно входному сопротивлению транзистора. Кроме того, пренебрегая малым внутренним сопротивлением источника питания, можно считать, что /?Б и Rs

Поэтому более удобна транзисторная схема с источником неизменного тока для эмиттеров транзисторов Т\ и Т2 ( 6.16, в). Для ограниченных амплитуд сигналов транзистор в данной схеме эквивалентен резистору с высоким сопротивлением (более сотен кило-ом). Расход же мощности источника питания соответствует среднему сопротивлению транзистора в активном режиме, составляющему

Нелинейные искажения, вносимые транзисторным каскадом мощного усиления, зависят от ряда факторов, важнейшими из которых являются способ включения транзистора и отношение сопротивления источника сигнала (выходного сопротивления предыдущего каскада) Ru к входному сопротивлению транзистора Rex. Ориентировочные кривые зависимости коэффициента гармоник от отношения RulRex при различных способах включения транзистора однотактного каскада мощного усиления, работающего в режиме А, приведены на 6.11; из них видно, что наибольшие нелинейные искажения даёт включение с общим эмиттером и наименьшие — включение с общим коллектором.

6.11. Характер зависимости коэффициента гармоник транзисторного однотакт-ного каскада мощного усиления в режиме А от отношения сопротивления источника сигнала к входному сопротивлению транзистора

повторителя при этом для частот сигнала можно считать равным входному сопротивлению транзистора, найденному из (7.100), соединённому параллель-

Во (втором случае резистор связи подключен параллельно входному сопротивлению транзистора Т' (и Т"), что отвечает составной схеме 4.216 с эквивалентными параметрами: