Сопротивление уменьшается

— активное сопротивление, учитывающее потери на гистерезис, и индуктивное сопротивление идеализированной катушки.

— активное сопротивление, учитывающее потери на гистерезис, и индуктивное сопротивление идеализированной катушки.

— активное сопротивление, учитывающее потери на гистерезис, и индуктивное сопротивление идеализированной катушки.

Емкостное сопротивление, учитывающее реакцию емкости, обратно пропорционально угловой частоте: чем выше частота, тем меньше емкостное сопротивление. Для постоянного тока, частоту которого можно считать равной нулю, емкостное сопротивление равно бесконечности — конденсатор не пропускает постоянного тока.

Здесь /?фер = Рфер//2 — сопротивление, учитывающее потери в стали; Р,м = Рм//2 = const — активное сопротивление катушки.

На схеме 5.9 г/ — активное сопротивление ветви /; xsj — индуктивное сопротивление рассеяния (учитывающее потоки пазового и лобового рассеяния); r0j — активное сопротивление, учитывающее активную составляющую тока /3, «расходуемую» на покрытие потерь в стали; ^Ёц—«источник» ЭДС, индуци-

Электромагнитная передача напряжения через обмотки трансформаторов обусловлена взаимоиндукцией между обмотками и происходит в процессе собственных колебаний обмоток, в которых главную роль играет первая гармоника. Основное значение в этом процессе имеют индуктивности обмоток. Упрощенная схема замещения для оценки напряжений при электромагнитной передаче приведена на 13-35, где ?t — коэффициент трансформации, LI и L2 —• индуктивности рассеяния обмоток У и 2, Z-д •— индуктивность намагничивания, С — суммарная емкость обмотки 2 и внешней цепи, z —• волновое сопротивление, включенное во внешнюю цепь (отходящие линии, обмотка генератора), г —• сопротивление, учитывающее потери в схеме.

для нечетных гармоник ( 21-20, в). Таким образом, сумма падений напряжения на нелинейном индуктивном сопротивлении х^ и во внешней цепи должна быть равна нулю. Это может быть достигнуто только при емкостном сопротивлении внешней цепи, что и подчеркнуто в схеме на 21-23, а. Кроме того, в схеме показано активное сопротивление, учитывающее суммарные потери в схеме (ради простоты изложения эти потери отнесены к внешней цепи), так как вопрос о компенсации активного падения напряжения при э. д. с., равной нулю, имеет принципиальное значение. На 21-23, б приведена векторная диаграмма, из которой видно, что равновесие гармонических составляющих в схеме с потерями может осуществляться только при отставании тока/цд. от ФмЛ. Это условие pea- Рис- 21-23- Схема замещения для лизуется только в нелинейной схеме.

Активнее сопротивление, учитывающее лотери в проводниках обмотки и окружающих ее металлических частях, обусловленные вихревыми токами, наводимыми магнитным полем рассеяния, превышает электрическое сопротивление при правильной конструкции обмоток обычно не более чем на 5% . Поэтому, оценивая готери от вихревых токов приближенно, можно принять активное сопротивление медных обмоток

Так для полевых транзисторов шумовое сопротивление, учитывающее дробовой эффект в цепи тока,

точки: Колебательный контур образован катушкой L и собственной ёмкостью диода С.. Эквивалентная схема такого генератора может быть представлена в виде цепи, изображенной на 18.7, б. Здесь Д2 — общее активное сопротивление, учитывающее сопротивление делителя и сопротивление потерь контура. Условия самовозбуждения будут выполняться, если величина — R окажется достаточной, чтобы скомпенсировать потери в контуре, т. е.

В противоположность индуктивному сопротивлению емкостное сопротивление уменьшается с увеличением частоты синусоидального тока. При постоянном напряжении сопротивление бесконечно велико.

Следует ясно представлять, что при подключении нового приемника к сети образуется дополнительная параллельная ветвь, общая проводимость цепи при этом увеличивается, а ее эквивалентное сопротивление уменьшается. Если параллельно соединены п ветвей с одинаковыми сопротивлениями г, то их эквивалентное сопротивление будет в п раз меньше сопротивления одной ветви: г,?кв = г/п.

Магнитное сопротивление уменьшается с увеличением магнитной проницаемости материала. Поэтому для получения больших потоков при заданной н. с. магнитопровод должен быть выполнен из магнитно-мягкого материала с высокой магнитной проницаемостью (*.

В первом случае ОС является параллельной — иначе по напряжению, так как передача сигнала по петле ОС возможна только при 1/^0 в рассматриваемых точках. При КЗ Bi = 0 (В2 — 0), поэтому 5 = 0, а FK=l+KoB=l и Z = Z0AFX. При параллельной ОС входное сопротивление уменьшается.

Сопротивление полупроводника подвержено влиянию многих факторов: оно сильно зависит от температуры (с ростом температуры сопротивление уменьшается), зависит от освещения (под действием света сопротивление уменьшается) и т. д.

С ростом частоты волновое сопротивление уменьшается по модулю, однако его фазовый угол при любой частоте сохраняет постоянное значение оэ = —45° (отрицательный знак указывает на то, что ток здесь опережает напряжение).

импульсного напряжения применяют вентильные разрядники ( 29.15). Эти разрядники состоят из фарфорового корпуса 1, искровых промежутков 2 и вилитовых дисков 3. Сопротивление вилита зависит от напряжения, с его увеличением сопротивление уменьшается. При подходе волны импульсного напряжения сопротивление вилитовых дисков резко уменьшается и энергия импульса отводится в землю. При восстановлении нормального напряжения сопротивление дисков увеличивается, что способствует быстрому гашению электрической дуги.

В автогенераторе с мостом Вина усилитель должен иметь коэффициент усиления /ОгЗ. В двухкаскадном усилителе, 7.9. Схема ЯС-автоге-применяемом в данном случае, коэффици- нератора с мостом Вина на ент усиления обычно значительно боль- операционном усилителе ше трех; следовательно, форма синусоидальных колебаний может быть сильно искажена. Во избежание этого вводят дополнительно отрицательную обратную связь, которая существенно повышает стабильность работы автогенератора. Отрицательная обратная связь подается с помощью терморезистора R3 и резистора R3i. В случае увеличения амплитуды выходного напряжения автогенератора за счет изменений параметров транзисторов, напряжения питания или других причин ток через терморезистор Rs возрастает, а его сопротивление уменьшается. В результате возрастает падение напряжения на резисторе R3i и коэффициент усиления первого каскада снижается, что приводит к уменьшению амплитуды выходного напряжения автогенератора.

Процесс изменения прямого напряжения f/np на диоде ( 5.5, в) характеризуется резким броском напряжения в момент 4- Это объясняется высоким сопротивлением базы. По мере увеличения числа инжектированных носителей это сопротивление уменьшается до значения, определяемого прямым током. Промежуток времени, в течение которого прямое напряжение становится равным Г,2[/уст (?/уст—.установившееся значение), называется временем установления прямого сопротивления перехода ?уст.

У большинства терморезисторов сопротивление уменьшается с увеличением температуры, т. е. их дифференциальное сопротивление отрицательно.

В противоположность индуктивному сопротивлению емкостное сопротивление уменьшается с увеличением частоты синусоидального тока. При постоянном напряжении сопротивление бесконечно велико.