Результате наложения

Эти величины имеют смысл вероятностей наличия соответствующих гауссовских компонентов, поэтому их оценки могут быть получены лишь в результате накопления достаточно большого

С увеличением анодного напряжения увеличивается прямое напряжение на открытых переходах П\ и Я3. Электроны, инжектированные из области пч в область pz, диффундируют к переходу Я2, проходят его и попадают в область п\. Дальнейшему прохождению электронов препятствует потенциальный барьер перехода П\. Поэтому электроны, накапливаясь в области п\, образуют избыточный отрицательный заряд, который понижает высоту потенциального барьера перехода и, следовательно, вызывает увеличение инжекции дырок из области р\ в область rii. Инжектированные дырки диффундируют к переходу Я2, проходят через него и попадают в область р2, накапливаясь там. Накопление избыточного положительного заряда в области p-i вызывает увеличение инжекции электронов из области «2. Таким образом, в результате накопления избыточного положительного заряда в области р2 и отрицательного в области п\ при напряжении на тиристоре ?/вкл (напряжение включения) происходит резкое увеличение тока, проходящего через тиристор, и одновременное уменьшение падения напряжения на тиристоре. 32

Вдали от р — л-перехода генерация носителей заряда под действием света приводит к повышению проводимости, но не нарушает равновесного состояния п- и р-областей полупроводника. Генерация носителей зарядов в области /; — л-перехода приводит к нарушению равновесного состояния, так как в электрическом поле р — /г-перехода электроны дрейфуют в «-область, а дырки в р-область. В результате накопления электронов в n-области и дырок р-области между этими областями воз-

Пробой диэлектрика под затвором может происходить при напряжении на затворе всего в несколько десятков вольт, так как толщина слоя диоксида кремния около 0,1 мкм. Пробой обычно имеет тепловой характер, происходит при шнуровании тока (см. § 3.13), и поэтому даже при небольших энергиях импульсов напряжения могут произойти необратимые изменения в диэлектрике. Этот вид пробоя может возникать в результате накопления статических зарядов, так как входное сопротивление МДП-транзисторов велико. Для исключения возможности такого вида пробоя вход МДП-транзистора часто защищают стабилитроном, ограничивающим напряжение на затворе.

Другими словами, с точки зрения энергетит ческой диаграммы p-n-перехода ( 9.24) неравновесные электроны скатываются с потенциального барьера и попадают в п-область, дырки, наоборот, в р-область. В результате накопления электронов в n-области и дырок на потенциальном

В результате накопления дырок в базе ее сопротивление в интервале tl — ?4 постепенно уменьшается до г? и, следовательно, снижается напряжение ия.

В результате накопления дырок в базе ее сопротивление в интервале tl — ?4 постепенно уменьшается до г? и, следовательно, снижается напряжение ия.

Напряжение на зажимах конденсатора получается в результате накопления зарядов:'

трещины появляются и распространяются на малую глубину в результате накопления термоусталостной циклической повреж-денности. В ряде случаев рост трещин имеет тенденцию к самоограничению и глубина трещин не превышает значений, при которых они могут быть выбраны;

В результате экспериментальных исследований, выполнявшихся в Японии, было установлено, что величина зарядов, образующихся на людях при их заряжении по индукции, в большинстве случаев соизмерима с зарядами, образующимися в процессах контактной электризации или в результате накопления зарядов при контакте с заряженными материалами [101].

Были проведены форсированные испытания кремниевых диодов с барьером Шотки, сформированным на эпи-таксиальном слое кремния я-типа проводимости с использованием контакта золото—молибден. Диоды имели охранное кольцо р-типа проводимости. Пассивация; структуры осуществлялась двуокисью кремния [142] ( 12.2). Было выявлено несколько типов отказов приборов, появление избыточного обратного тока утечки-с восстановлением и без восстановления, повышение прямого падения напряжения. Появление избыточного обратного тока связывают с инверсией проводимости охранного кольца в результате накопления положительного заряда в поверхностном слое Si02 с образованием канала: «-типа проводимости от металлизации к я-слоям структуры между окислом и охранным кольцом.

Если изменить направление тока обмотки на обратное и постепенно увеличивать его величину, то поле токов Я = ау///ср будет направлено противоположно направлению поля намагниченности сердечника, и в результате наложения этих полей сердечник размагничивается. При Я = Яс внутреннее поле намагниченности сердечника и поле токов обмотки взаимно компенсируются, индукция результирующего поля при этом равна нулю. Однако при В = 0 сердечник остается еще

Высокую разрешающую способность на большой пло-.щади (что особенно важно при изготовлении БИС и су-пер БИС) могут обеспечить голографические методы, позволяющие значительно упростить процесс экспедирования, избежать применения высокоразрешающих объективов. На светочувствительном материале фиксируется интерференционная картина, образующаяся в результате наложения двух когерентных пучков света: опорного, идущего непосредственно от лазера, и прошедшего через голограмму, играющую здесь роль, аналогичную фотошаблону в проекционной печати. Весьма важным преимуществом голографических методов является нечувствительность получаемого изображения к мелким дефектам голограммы (отдельные царапины, пылинки и т. д.). В оптической фотолитографии с использованием фотошаблонов такие дефекты эмульсионного слоя приводят к появлению дефектов структур, что резко снижает выход годных микросхем, особенно БИС.

Отказы с повреждениями турбин и котлов могут происходить в результате наложения целой цепочки отказов. Так, разнос турбины и ее разрушение может про-5—294 65

В результате наложения вторичного поля на основное образуется результирующее несимметричное магнитное поле ( 9.10, в) . Несимметрия состоит в том, что под одним краем полюса оба поля направлены встречно и магнитная индукция уменьшена, а под другим краем увеличена.

В сверхпроводящих индуктивных накопителях наиболее четко проявляется представление о независимом существовании магнитного поля, связанного с током, и результирующего поля как суммы полей, полученных в результате наложения бесчисленного числа элементарных полей, связанных с элементарными токовыми слоями. Дискретное представление магнитного поля оправдывает применение принципа наложения в лкнейных и нелинейных системах и придает более глубокий смысл лредставлению о независимом существовании магнитных полей.

В сверхпроводящих индуктивных накопителях наиболее четко проявляется представление о независимом существовании магнитного поля, связанного с током, и результирующего поля как суммы полей, полученных в результате наложения бесчисленного числа элементарных полей, связанных с элементарными токовыми слоями. Дискретное представление магнитного поля оправдывает применение принципа наложения в линейных и нелинейных системах и придает более глубокий смысл представлению о независимом существовании магнитных полей.

Распределение неравновесных носителей заряда в образце создается в результате наложения нескольких процессов: световой генерации, диффузии, объемной и поверхностной рекомбинации. Очевидно, чтобы найти фотопроводимость, необходимо определить функцию Ар(х) при учете всех перечисленных процессов.

Ток в ветви резистора /?2: /2=/и = 3,4848 мА. Ток в ветви резистора /?3 находится в результате наложения контурных токов / и /22: /з = / + /22 = 25 + (—8,636) = 25 — 8,636)= 16,364 мА. Ток в ветви резистора R4: /4 = —/22=— (—8,636) = 8,636 мА. Знак «—» в выражении для тока 1\ показывает, что в действительности этот ток имеет направление, обратное первоначально заданному направлению. Ток в ветви резистора R$, т. е. в общей ветви смежных контуров, находится в результате наложения контурных токов /п и /22: /5 = — (/и + /22) = =—[3,4848+ (—8,636)] = 5,1512 мА. Напряжение между узлами 3 и 4 цепи находят из уравнения, составленного в соответствии со вторым законом Кирхгофа для контура 2342: Е—иы- RJt - /?4/4, откуда 1/м = 30 + 2-103-8,636-10" + + 2-103-3,4848-103 = 54,24 В.

Одновременно с отраженным от объекта сигналом на приемник поступают колебания непосредственно от излучателя. В результате наложения обоих сигналов вырабатываются колебания частоты биений f.

В результате наложения этих процессов действительное изменение превышения температуры изобразится кривой 3.

В результате наложения на систему прямой последовательности напряжений системы обратной последовательности ( 3.46, а) получаются несимметричные системы фазных и междуфазных напряжений. При наложении на систему прямой последовательности напряжений системы нулевой последовательности ( 3.46, б) получается несимметричная система фазных напряжений и остается симметричной система междуфазных напряжений.