Результате механической

К току коллектора добавляется еще ток носителей заряда, генерируемых в объеме и на поверхности области базы, а также возникающих в результате лавинного размножения.

Как и в схеме ОБ, значительное увеличение отрицательного напряжения на коллекторе приводит к пробою транзистора в в схеме с общим эмиттером. Однако напряжение Z/кэо проб» при котором развивается пробой, в этой схеме (/в = 0) меньше напряжения t/кБОпроб Для схемы ОБ. В самом деле, в результате лавинного размножения носителей в коллекторном переходе коэффициент а возрастает примерно в М раз, где М — коэффициент лавинного размножения (10-59).

Увеличение фоготока в результате лавинного размножения иногда в литературе называют усилением первичного фототока или фотоумножением.

Ток, возникающий в результате лавинного пробоя, определяется темпом ударной ионизации носителей заряда Су, который определяется количеством электронно-дырочных пар, возникающих в единичном объеме в единицу времени. При протекании тока электронов через 1 см2 поверхности, перпендикулярной направлению движения электронов, за 1 с переносится электрический заряд, численно равный J,,, и количество электронов, равное Jn/q. Один электрон на 1 см пути образует ап(?) электронно-дырочных пар (Г. 17), а все электроны создают количество электронно-дырочных пар, равное Gny = anJnfq. Аналогично для ды-

Как и в схеме ОБ, значительное увеличение отрицательного напряжения на коллекторе приводит к пробою транзистора в в схеме с общим эмиттером. Однако напряжение Z/кэо проб» при котором развивается пробой, в этой схеме (/в = 0) меньше напряжения t/кБОпроб Для схемы ОБ. В самом деле, в результате лавинного размножения носителей в коллекторном переходе коэффициент а возрастает примерно в М раз, где М — коэффициент лавинного размножения (10-59).

Увеличение фоготока в результате лавинного размножения иногда в литературе называют усилением первичного фототока или фотоумножением.

Линия задержки ведет себя как сосредоточенная емкость, равная сумме емкостей ее звеньев. Эта емкость разряжается через резистор RQ на источник питания —Е. Когда вследствие разряда суммарной емкости линии напряжение на базе транзистора перейдет нулевой уровень, в схеме возникает лавинный процесс, приводящий к скачку напряжения на базовой обмотке. Через эмит-терный переход включенного транзистора один вывод базовой обмотки оказывается соединенным с корпусом схемы. Базовая обмотка создает перепад напряжения на входных зажимах аЬЛЗ. Полярность действующего на базовой обмотке напряжения показана на 5.123 в скобках. Скачок напряжения, возникший на выводах базовой обмотки.в результате лавинного процесса переключения транзистора, начинает распространиться по линии и через время т3, равное величине задержки сигнала в линии, достигает ее выходных выводов. Эти выводы линии разомкнуты; в момент достижения сигналом выходных зажимов на выходе линии возникает отраженная волна, равная по величине пришедшему сигналу, но имеющая обратный знак. Эта волна начинает распространяться от конца линии к ее входным зажимам аЬ. Через время Т3 после возникновения эта отраженная волна достигает входных зажимов и резко уменьшает напряжение на базе транзистора. Начинается лавинный процесс запирания транзистора Т, формирование импульса заканчивается. Длительность импульса т = 2т3. Так как время задержки сигнала в линии Т3 стабильно, то длительность выходного импульса также стабильна.

В результате лавинного процесса (скачка) разорвется кольцо обратной связи в системе, так как второй транзистор закроется и изменение потенциала на его базе перестанет влиять на токи в схеме. Состояние схемы после скачка (в точке б на 9.23, где приведены графики изменения во времени потенциала ык1 коллектора и ыб1 базы первого триода, потенциалов мк2 коллектора и ыба базы второго) определяется запасенной в конденсаторах С\ и С2 энергией, которая не может измениться во время скачка. Другими словами, во время скачка сохраняется неизменной разность потенциалов на обкладках каждого из конденсаторов. Если при этом потенциал коллектора ПП2 во время скачка изменится от значения «кг ~ 0 (открытого триода) до — еа (запертого), то на такую же величину возрастет во время скачка потенциал базы ПП1 от значения «?i ~ 0 до и'ьг — еп = «6i ~ —еп- Одновременно во время скачка потенциал коллектора ПП1 изменяется от —еп (если триод перед этим был закрыт) до u"K1 ~ О, определяемого возникшим на его базе потенциалом «6i ^ —еа. В силу неизменности разности

Это явление объясняется тем, что при отключенной базе внутри транзистора действует положительная обратная связь. Заряды, образующиеся в результате лавинного размножения, скапливаются в базе, увеличивая ее заряд. Это вызывает приток неосновных носителей из эмиттера, которые увеличивают ток коллектора. Этот процесс нарастает лавинообразно и называется лавинным пробоем с эмит-терным умножением. На величину этой положительной обратной связи можно влиять схемным путем. Так, например, если подать на эмиттер транзистора запирающее напряжение, то его влияние резко уменьшается и пробивное напряжение увеличивается. Такой же эффект можно получить введением в цепь эмиттера сопротивления, так как ток эмиттера, проходя по этому сопротивлению, создает напряжение отрицательной обратной связи и уменьшает действие эмиттера на лавинный процесс.

Теперь рассмотрим, каким образом движущийся профиль поля может привести к колебаниям в диоде. Как мы уже видели, пока поле меньше пороговой величины, необходимой для образования лавины, чоофиль поля линейно зависит от временц и координаты. Но как только электрическое поле превышает Еа, плотность носителей резко возрастает в результате лавинного умножения и поле больше не зависит линейно от времени. 10.6, показывающий профиль поля в последовательные мо-

критическую величину, и в то же время благодаря образованию лавины создает чрезвычайно большую популяцию носителей. Эти носители затем ослабляют поле позади области лавинного пробоя (следует помнить, что профиль поля чрезвычайно быстро проходит через я-слой) до малого уровня, так что носители больше не горячие, но имеют линейную зависимость скорости от поля. В этой о'бласти практически выполняется условие электрической нейтральности, так как носители самоупорядочиваются в соответствии с обычным условием диэлектрической релаксации. Дырки и электроны, возникающие в результате лавинного процесса, образуют плазму, которая «улавливается» в области низкого поля позади развивающейся лавины. Область лавинного пробоя распространяется в типичном ПЛПД за 100 пс; Бартелинк и Шарфеттер [3] назвали ее лавинным ударным фронтом.

после В—Г, где ток снова резко возрастает в результате лавинного пробоя вблизи от металлического перехода слева, где электрическое поле очень велико. Подробное обсуждение механизма тока в приборах с барьерной инжекцией дано в работе [53].

Изогнутый вал правят на токарном станке или в разогретом виде на винтовом прессе. Незначительное биение, обнаруживаемое индикатором у небольших машин, устраняют проточкой и шлифованием шеек вала. Царапины, забоины и шероховатости шеек вала устраняют шлифовкой и полировкой вручную или на станке. Значительные забоины, выработку, конусность и овальность шеек ликвидируют проточкой вала с последующей шлифовкой и полировкой. Если в результате механической обработки диаметр шеек вала значительно уменьшается, его увеличивают металлизацией с последующей обработкой.

4. Асинхронный короткозамкнутый двигатель в результате механической перегрузки остановился, но от сети не отключен. В чем состоит опасность этого режима для самого двигателя и для обслуживающего персонала?

в результате механической обработки, сильно снижают прочность материала и облегчают его разрушение по скрайбер-ным рискам.

магнитного поля, создаваемого обмоткой статора, скачком втягивается в синхронизм. При этом в результате механической инерции возможны затухающие колебания угла 6 около его установившегося значения. Моменты синхронного двигателя, начальный пусковой (при s=l), входа в синхронизм (при s«0,05) и номинальный (при s=0) являются достаточно высокими.

Некоторые виды материалов в результате механической обработки или обработки давлением могут резко терять полезные свойства. В то же время могут существовать дополнительные, если можно так их назвать, способы обработки (например, отжиг), восстанавливающие исходные свойства. В разрабатывающих ЭМММ организациях, как правило, устанавливаются статистические закономерности изменения свойств, и в первую очередь материалов, узлов и деталей в технологическом процессе. Эти закономерности могут отображаться в виде графиков, номограмм и в лучшем случае—аппроксимирующих функций. Поскольку разные способы обработки обеспечивают разную производительность труда (иначе говоря, характеризуются различной трудоемкостью), оценка и выбор методов обработки должны производиться комплексно, с учетом стабильности параметров технологических процессов и технологических разбросов результатов обработки.

Холоднокатаная сталь в значительно большей степени, чем горячекатаная, чувствительна к механическим воздействиям. В результате механической обработки при заготовке пластин магнитной системы — продольной и поперечной резки, закатки или срезания заусенцев, штамповки отверстий (в некоторых конструкциях), увеличиваются удельные потери и удельная намагничивающая мощность стали. Это ухудшение магнитных свойств стали может быть полностью или в значительной мере снято путем восстановительного отжига заготовленных пластин при температуре 800—820°С. На современных ;заводах такой отжиг обязательно включается в технологический процесс изготовления пластин после их механической обработки. При отсутствии отжига следует считаться с возможным повышением потерь холостого хода на 10—15% и тока холостого хода до 75%.

Холоднокатаная сталь в значительно большей степени, чем горячекатаная, чувствительна к механическим воздействиям. В результате механической обработки при заготовке пластин магнитной системы — продольной и поперечной резки, закатки или срезания заусенцев, штамповки отверстий (в конструкциях реакторов)—увеличиваются удельные потери и удельная намагничивающая мощность стали. Это ухудшение магнитных свойств стали может быть полностью или в значительной мере снято путем восстановительного отжига заготовленных пластин при 800—820 °С. На современных заводах такой отжиг обязательно включается в технологический процесс изготовления пластин после их механической обработки. При отсутствии отжига следует считаться с возможным повышением потерь холостого хода на 8—10 % и тока холостого хода на 25—30 %. Особенно сильно магнитные свойства стали ухудшаются при изготовлении частей магнитной системы путем навивки из холоднокатаной ленты. Такие части должны отжигаться после навивки.

В результате механической обработки на поверхности пластин появляются различного рода загрязнения: абразивные частицы, пыль, жировые покрытия, масляные пленки, остатки клеящих материалов и т. д. Характер загрязнений обусловливает способы очистки пластин. Химическая обработка состоит из следующих основных этапов: обезжиривания, травления, промывки деиони-зированной водой, сушки. Обезжиривание пластин применяют для удаления загрязнений, химически несвязанных с полупроводниковым материалом. Обезжиривание осуществляется с помощью органических растворителей. Наиболее часто используют толуол, ацетон, дихлорэтан, трихлорэтилен, бензол, спирт, четереххло-

При подготовке поверхности испытуемою сбразнг! необходимо принять меры предосторожности иротии возможного изменения его твердости всле,'!С1иие нагрева или икклепа поверхности в результате механической обработки.

При подготовке поверхности испытуемою сбразш необходимо принять мори предосторожности и рот ни возможного изменения его твердости всле,чс1рие нагрева или ивклепа поверхности в результате механической обработки.

Все металлические проводниковые материалы обладают электронной электропроводностью. Удельное сопротивление всех металлических проводников увеличивается с ростом температуры, а также в результате механической обработки, вызывающей остаточную деформацию в металле.