Результате искажения

Под действием ионизирующих излучений материалы и изделия претерпевают два вида изменений: а) необратимые (не исчезающие с течением времени) и б) обратимые, наведенные, проявляющиеся только во время действия облучения. Обратимые изменения в первую очередь определяются интенсивностью излучения, необратимые— общим количеством энергии излучения, поглощенным единицей массы вещества,— дозой. Последняя в системе СИ измеряется в джоулях на килограмм: 1 Дж/кг равен дозе излучения, при которой массе излученного вещества 1 кг передается энергия ионизирующего излучения 1 Дж. Иногда дозу измеряют в рентгенах (Р): 1 Р — количество энергии гамма- или рентгеновского излучения, которое при поглощении его одним кубическим сантиметром сухого воздуха при давлении 101,325 кПа (760 мм рт. ст.) и температуре О °С приводит в результате ионизации газа к образованию одной единицы заряда каждого знака (в системе СГС).

Более высокой чувствительностью обладают газонаполненные ФЭ, у которых ток определяется не только эмиссией катода, но также ионами и электронами, образующимися в результате ионизации газа. В качестве наполнения используются инертные газы. Газонаполненные ФЭ находят ограниченное применение из-за значительной инерционности.

Зависимости положения уровня Ферми от температуры в примесных полупроводниках п- и р-типов показаны на 1.12, а, б. Рассмотрим характер этих зависимостей на примере полупроводника n-типа ( 1.12, а). В области низких температур переходами электронов из валентной зоны в зону проводимости можно пренебречь и считать, что все электроны в зоне проводимости появляются в результате ионизации доноров. Аналогично (1.15), выражен-ие для

Зависимости положения уровня Ферми от температуры в примесных полупроводниках п- и р-типов показаны на 3.10, а, б. Рассмотрим характер этих зависимостей на примере полупроводника n-типа ( 3.10, а). В области низких температур переходами электронов из валентной зоны в зону проводимости можно пренебречь и считать, что все электроны в зоне проводимости появляются в результате ионизации доноров. Аналогично (3.12) выражение для уровня Ферми WF при низких температурах можно записать в виде

При температурах, близких к комнатной, в примесных полупроводниках, как и в полупроводниках с собственной электропроводностью, происходит генерация электронов и дырок. Таким образом, кроме носителей заряда, возникших в результате ионизации атомов примеси, появляются электроны и дырки собственной электропроводности. Подвижные носители заряда, концентрация которых в примесных полупроводниках преобладает (электроны проводимости в полупроводнике типа п и дырки в полупроводнике типа р), называют основными, а носители заряда, концентрация которых мала (электроны в полупроводнике типа р и дырки в полупроводнике типа п),— неосновными.

Изотермическая плазма возникает при очень высоких температурах, достаточных для термической ионизации газа. Такая плазма находится в термодинамическом равновесии и не исчезает, предоставленная самой себе. Число рекомбинирующих в единицу времени заряженных частиц равно числу частиц, возникающих в результате ионизации. В такой плазме средние энергии различных частиц одинаковы. Изотермическая плазма существует, например, в веществе звезд, обладающих высокой температурой.

Процесс ионизации заключается в освобождении одного (а иногда нескольких) валентного электрона от связей его с атомом ( 1-Г>, б). В результате ионизации атом распадается на положительный ион и свободный электрон.

При дальнейшем повышении скорости электронов, когда их энергия в слое 3 начинает превышать уровень, соответствующий максимуму вероятности возбуждения (см. кривые на 1-7, а я б), интенсивность возбуждения, а тем самым и высвечивания газа ослабляется. Слой 3 называют поэтому вторым катодным темным слоем. В действительности и в слое 3 имеет место слабое свечение газа, как это видно из хода кривой на участке 3 на 2-5, д. Однако по контрасту с расположенным вправо от него ярко светящимся слоем 4 (второе катодное свечение) слой 3 визуально представляется темным. По мере повышения потенциала в слое 3 ( 2-5, б) увеличивается скорость (энергия) проходящих через этот слой электронов, и в правой части его их энергия оказывается достаточной для ионизации ими атомов газа. В результате в правой части слоя 3 и затем в слое 4 имеет место нарастающая по интенсивности ионизация газа. В результате ионизации газа в слое 3 и в начале слоя 4 появляется

Ионное облако формируется из тех ионов, которые возникают в катодной части разряда при ионизации атомов газа вышедшими из катода электронами, приобретающими для этого нужную энергию в поле катодной части разряда. Часть ионов из облака уходит к катоду, образуя ионную составляющую катбДИоГо Т(Ш, а ДРУГаЯ ВДСТь ИОНОВ ДИф-фундирует в фарадеево темное пространство. Взамен уходящих из облака ионов в него входит такое же количество ионов, образующихся в результате ионизации атомов

Начало развитию разряда кладут электроны, уходящие под действием положительного поля к аноду. После приобретения ими энергии, достигающей потенциала ионизации газа, электроны ионизируют атомы либо молекулы газа. Ионы, возникающие в результате ионизации, появляются вначале в непосредственной близости к аноду, где происходит наиболее интенсивная ионизация газа. Компенсируя вначале объемный заряд электронов вблизи анода, ионы изменяют ход кривой потенциалов. В последующие моменты времени он определяется кривой 2 на 3-18, б. Появление участка малого наклона вблизи анода приводит к смещению в направлении к катоду участка большей крутизны в кривой потенциалов, куда и переходит область более интенсивной ионизации газа. В этой области вскоре также компенсируется объемный заряд электронов положительными ионами. Движение области скомпенсированного объемного заряда продолжается до приближения фронта компенсации к катоду на расстояние, примерно равное среднему ионизационному пробегу электронов Kel. На этом участке формируется катодная часть разряда. До приближения фронта компенсации к катодной части разряда отрицательное поле в облаке задерживает значительную часть электронного потока, выходящего из катода, в связи с чем анодный ток нарастает достаточно медленно.

где т*п и т"р — эффективные массы электронов и дырок (смысл этих параметров рассмотрен далее); h—постоянная Планка. Так как в собственном полупроводнике носители заряда образуются в результате ионизации собственных атомов полупроводника, т. е. благодаря перебросу электронов из валентной зоны в зону проводимости, то одновременно возникает два носителя заряда противоположных знаков. Поэтому

До сих пор предполагалось, что кристалл свободен от упругих деформаций. При наличии механических напряжений кроме кристаллографической анизотропии возникает магнитоупругая анизотропия, вызванная дополнительным магнитным взаимодействием атомов в результате искажения решетки при деформации. Механические на-

Пластическая деформация, как правило, повышает р металлов в результате искажения кристаллической решетки. При рекристаллизации путем термической обработки (отжига) р может быть вновь снижено до первоначального значения.

В результате искажения импульсов изменяется их амплитуда (At/), что приводит к искажению сообщений при АИМ. При модуляции ВИМ и ШИМ обычно используется ограничение импульсов по минимуму и максимуму (1/1 и [/2 на 3.10). Перекрестные искажения в этом случае проявляются в результате паразитного сдвига фронтов импульсов на время Д?.

В результате искажения, в радиолинии одного из элементов сообщения число единиц в информационной части кодового слова станет нечетным, что легко обнаруживается. Простейший код позволяет обнаруживать только однократные ошибки при искажении одного символа.

Сопоставляя принятый сигнал с разрешенными можно заметить, что от первой комбинации он отличается только одним элементом, а от второй — двумя. Следовательно, была принята комбинация 010, в которой исказился последний элемент. Комбинация ОН может возникнуть также в результате искажения двух символов в командном слове 101, что позволяет обнаружить ошибку второй кратности.

двигателя имеет место обратная картина — поле якоря размагничивает сбегающий и подмаг-ннчнвает набегающий край полюса. В результате искажения картины поля основных полюсов смещается на некоторый угол р физическая нейтраль — линия, соединяющая точки а и Ь, в которых магнитная индукция равна пулю. У генератора физическая нейтраль смещается по направлению вращения якоря, а у двигателя — против вращения. Расположение щеток машины может не совпадать ни с

При резонансе входное сопротивление каждого из контуров равно нулю (если пренебречь потерями в L и С) и через них замыкаются гармонические составляющие токов, генерируемые преобразователем, минуя питающую сеть. В результате искажения кривой сетевого напряжения резко снижаются.

4. Где на практике встречаются несинусоидальные напряжения —с и г н а л ы? Несинусоидальные сигналы с различной формой кривой (прямоугольной, пилообразной, треугольной и др.) широко используются в радиосвязи, телевидении, электронике, автоматике и других отраслях электротехники. В этих случаях применяют специальные генераторы или электрические цепи, формирующие требуемые несинусоидальные сигналы. Однако в ряде случаев несинусоидальные токи и напряжения появляются и в результате искажения синусоидальных токов или напряжений генераторов и приемников энергии.

На В-3, а представлена картина магнитного поля двух полюсов и магнитного поля проводника с током, а на В-3, б — картина результирующего поля. В результате искажения магнитного поля появляется электромагнитная сила /, которая стремится переместить проводник справа налево.

Этот метод в значительной мере исключает ошибки, связанные с неточной установкой частоты и индукции, а также ошибки, появляющиеся в результате искажения синусоидальной формы кривой ?,..

У двигателя имеет место обратная картина — поле якоря размагничивает сбегающий и подмагничивает набегающий край полюса. В результате искажения картины поля основных полюсов смещается

При резонансе входное сопротивление каждого из контуров равно нулю (если пренебречь потерями в L и С) и через них замыкаются гармонические составляющие токов, генерируемые преобразователем, минуя питающую сеть. В результате искажения кривой сетевого напряжения резко снижаются.