Результате интегрирования

Припои и флюсы. Пайка печатных блоков предусматривает присоединение выводов навесных элементов к печатным проводникам платы с помощью припоя, имеющего более низкую температуру плавления, чем материалы соединяемых деталей. Припой в расплавленном виде должен взаимодействовать с паяемым металлом. Установлено [1], что при лужении и пайке меди припоями на основе олова в результате химической реакции (реактивной диффузии) на границе медь — припой неизбежно возникает интерметаллоидная прослойка CueSns, вызывающая охрупчивание соединения. Однако, проводя скоростную пайку при минимальной температуре, можно предупредить образование прослойки.

Химическое осаждение из газовой фазы. Для получения пленок поликристаллического кремния и диэлектриков (SiO2, Si3N4) в технологии полупроводниковых микросхем широко используется химическое осаждение из газовой фазы. Осаждение происходит в результате химической реакции в газовой фазе при повышенной температуре и осуществляется в эпитаксиальных или диффузионных установках. Для осаждения пленок поликристаллического кремния на пластины, покрытые слоем 5Ю2, применяется реакция пиролиза (разложения) сила-на: SiH4 -*- Si + Н2 при Т = 650 °С.

При химическом осаждении в камеру, где помещается подложка, по различным трубопроводам подают газообразные реагенты. В результате химической реакции выделяются молекулы металла или его солей, которые и осаждаются на подложке. Ненужные продукты реакции откачиваются.

Алюминиевый электрод образует с р-областью базы омический переход, а переход между алюминиевым электродом и относительно высокоомной n-областью коллектора получается выпрямляющим. Из-за неравенства работ выхода электронов из алюминия и из кремния с электропроводностью n-типа и в результате химической обработки поверхности кремниевого кристалла на контакте для электронов возникает потенциальный барьер высотой около 0,6 эВ ( 7.8, а), что несколько меньше

Важнейшей характеристикой процесса осаждения пленок в результате химической реакции на поверхности является, скорость реакции. В процессах осаждения принято описывать эту скорость количеством осажденного вещества или изменением толщины пленки в единицу времени на единице поверхности:

В различных областях электротехники используются тонкие нагревостойкие диэлектрические пленки, которые наносятся на поверхность металла, или полупроводника, или на иные подложки. Такие пленки из заранее подготовленного вещества могут наноситься способами испарения в вакууме, шоопированием и другими способами; возможно также осаждение исходных веществ, которые в результате химической реакции между собой дают диэлектрическую пленку. Рассмотрим представляющие большой интерес пленки, получаемые оксидированием — термическим, электрохимическим или плазменным — металла-подложки; таким образом, диэлектрическая пленка получается на поверхности металла в виде химического соединения этого металла с кислородом. Это так называемая оксидная изоляция. Для суждения о том, может ли на данном металле образовываться оксидная изоляция в виде сплошного слоя, вводится объемный коэффициент оксидирования, т. е. отношение объема оксида к объему металла, вошедшего в этот оксид:

Германий. Содержание германия в земной коре невелико, около 7-10~4 %. В результате химической переработки исходного сырья образуется тетрахлорид германия, который путем дальнейших операций переводят в диоксид германия (Ge02) — порошок белого цвета. Диоксид германия восстанавливается в водородной печи при температуре 650—700 °С до элементарного германия, представляющего собой серый порошок. В некоторых случаях порошок германия получают непосредственно из GeQ4 путем разложения этого соединения при высокой температуре в атмосфере паров цинка. Порошок германия подвергают травлению в смеси кислот и сплавляют в слитки. Слитки германия используют в качестве исходного материала для получения особо чистого германия методом зонной плавки или же для непосредственного получения монокристаллов методом вытягивания из расплава (метод Чохральского).

двуокиси кремния. Заданное расположение отверстий; через-которые проводится диффузия, и их конфигурация обеспечиваются с помощью фоточувствительного слоя — фоторезиста, на котором методом фотопечати (засветкой через фотошаблон и последующим проявлением) получают требуемый рисунок. В результате химической обработки при проявлении х отдельных участие» (окон) фоторезист удаляется, .а оставшийся на поверхности используется как защитная маока. После этого производят травление слоя SiO2, не защищенного фоторезистом, плавиковой кислотой (она не действует на фоторезист); <в результате образуются окна, через которые проводят диффузию примеси. Для получения точной «опии рисунка схемы на подложке сначала делают фото-оригинал схемы, с помощью .которого затем создается фотошаблон. Фотооригинал (оригаал) —специальный чертеж конфигурации каждого слоя структуры микросхемы, выполненный с высокой степенью точности в увеличенном масштабе (100/1; 200:1; 600:1 или даже 1000: 1). Фотооригинал изготовляют с помощью координатографа на стекле, покрытом пленкой нитроэмали. Координатограф вычерчивает на стекле рисунок микросхемы, удаляя в необходимых местах нитроэмаль. Существующие координатографы позволяют получать точность отсчета и определения координат соответственно 12,5 и 26 мкм. Фотооригинал можно вычерчивать тушью на ватмане.

где &4 = 9/п/АЯ2ра> — параметр, характеризующий отношение подведенного тепла к теплу, поглощенному при химической реакции; kt, = (I Qd&Hjqm) X X (K2W/Kzf) (pjp)2; P (fes) = 6,7 • 103 — 8,43- 102 kb + 53,8fel — l,63fe + + 0,023fe — 1,24- 10^4/г1; АЯ2 — теплота реакции диссоциации (2NO2 ^ "f. 2NO + О2); K2U» K.zf — константа диссоциации реакции при температуре стенки и температуре среды; m — молекулярная масса газовой смеси; /Оо — масса О?, образующегося в результате химической реакции.

где <р— поправка, учитывающая переменность физических свойств; /4DBH/py — параметр химической неравновесности [3.25], который характеризует отношение скорости источника (стока) массы 4-го компонента и скорости конвективного переноса; /С?2р2//С?2Рг — отношение масштабов скоростей химических реакций на стенке и в потоке, учитывающее нелинейность изменения параметра химической неравновесности по радиусу потока; qctnt/pvQp2 — параметр, характеризующий отношение подведенного тепла к теплу, поглощенному в результате химической реакции.

В то же время успешная эксплуатация действующих радиохимических за-нодов (прежде всего французского комплекса иа мысе Аг, английского завода в Уиидскейле и др.) показала эффективность регенерации отработавшего ядерного топлива АЭС с реакторами иа тепловых нейтронах. В результате химической переработки уже накоплены и продолжают накапливаться значительные количества плутония. Только во Франции к 1995 г. будет храниться свыше 60 т извлеченного из отработавшего топлива плутония. Из этого количества до 2000 г. только 20—30 % может быть использовано для загрузки в реакторы на быстрых нейтронах. В целях экономного использования этих ресурсов в ряде стран с развитой ядерной энергетикой (Франция, Бельгия, Япония) развернуты экспериментальные исследования и разработки по применению смешанного уран-плутониевого топлива в реакторах PWR.

Математическое преобразование вещественной оси плоскости 5 в многоугольную границу на плоскости z определяется в результате интегрирования дифференциального уравнения Кристоффеля-Шварца

В результате интегрирования уравнения (7.16) получим

В результате интегрирования уравнения неразрывности (7.97) получим известное уравнение движения вязкой несжимаемой жидкости в клиновидном зазоре, полученное впервые Рейнольдсом,

В результате интегрирования системы дифференциальных уравнений с переменными коэффициентами (6.5) совместно с уравнением движения ротора находят зависимости потокос-цеплений *?\.2=f(n и по (6.4)-----токов в обмотках i\.2=f(t). Выбор нотокосцеплений Ч*,_2 в качестве зависимых переменных упрощает численное интегрирование уравнений с использованием стандартных программ, так как 4*1.2 в отличие от /! 2 являются гладкими функциями.

Решение. 1. Общие соображения. Поскольку на вход интегратора поочередно подаются постоянные одинаковые напряжения разной полярности, то в результате интегрирования не. выходе появится напряжение треугольной формы ( 3.14). Так как полупериоды входного сигнала одинаковы, то и треугольные волны также будут одинаковыми.

2. Найдем изменения выходного напряжения At/BHX за интервал времени от t1 — T/4 до г2 = ЗГ/4, где Т — период входного напряжения. В результате интегрирования имеем

Решение. 1. Общие соображения. Так как входное напряжение по форме представляет собой чередующиеся отрезки прямых ( 3.15, а), то в результате интегрирования на выходе появится напряжение в виде кусков парабол ( 3.15,6). Поскольку напряжение на выходе интегратора не меняется скачком, то «началом» каждой 3.15

В результате интегрирования полученных выражений формулы для определения действующих значений периодических несинусоидальных напряжения, ЭДС и тока приводятся к виду

В результате интегрирования соотношения (3.32) получается выражение для длительности выключения:

в результате интегрирования усредняются [Л. 334]. Это особенно важно в аппаратуре для измерения неэлектрических величин, так как при использовании в ней преобразователей напряжения в отрезок времени приходится предъявлять очень жесткие и не всегда выполнимые требования к «чистоте» выходного напряжения датчика.

Уравнение (1.37) можно было бы получить, исходя из общего дифференциального уравнения электромеханического преобразования (1.28) с учетом (1.30), записав (1.28) для текущих величин в процессе намагничивания и положив в нем dq = 0 и dWjm=const ==0. В (1.37) энергия магнитного поля нелинейной системы выражается в результате интегрирования через текущие значения токов (ihnj = 0-=-/ft) и потокосцеплений обмоток (Ф,^ =• ==Оч-Фь), т. е. через величины электрических цепей машины. В наиболее общем случае, когда в области поля имеются магнитно нелинейные среды, для определения текущих значений потокосцеплений обмоток нужно задаться по (1.31) текущими значениями токов в контурах i1^, i.2^,, •••, ijv^> произвести численный расчет магнитного поля (см. п. 1.1.2) с учетом заданных зависимостей магнитных проницаемостей сред ц = /^ (В, х, у, г) и найти текущие пото-косцепления Ф^, Ф2^, ..., Ф.\-^ с помощью (1.6). Заметим, что поток Фй в (1.37) считается всегда положительным, а ток ih — положительным, если образуемый им частичный поток направлен в ту же сторону, что и результирующий поток Ф&, сцепленный с контуром k.