Результатам полученным

Чем больше сопротивление вольтметра /•„, тем меньше поправка к результатам измерения.

1. Проверка кондиционности ТС. По результатам измерения обобщенного технологического фактора в присутствии помех и дрейфа параметров с учетом априорной информации проверить единственную гипотезу о кондиционности ТС против единствен-

2. Распознавание конечного числа возможных сотояний ТС. Предполагается, что испытуемая ТС может находиться в одном из конечного числа режимов, причем любое ее состояние относится лишь к одному из указанных режимов, других не может быть. По результатам измерения (см. задачу 1) необходимо принять одну из гипотез о нахождении испытуемой ТС в одном из возможных режимов наилучшим образом в смысле минимума потерь от ошибочных перепутываний режимов или иного заданного критерия качества. Здесь описание состояния проверяемого технологического объекта проводится в форме случайного события с конечным числом исходов.

Возможны и любые другие значения измеренной величины —oo^L^oo. В этих условиях, каким бы ни было правило решения A*(U), наряду с правильными решениями неизбежны ошибки так называемых двух родов. Ошибкой первого рода называется принятие по результатам измерения решения о кондиционности режима (Л*=1), тогда как фактически режим некондиционен (Л*=0). Ошибка второго рода, напротив, состоит в принятии решения о некондиционности режима (Л* = 0), тогда как фактически режим кондиционен (Л=1). Обозначим вероятности таких ошибочных ситуаций соответственно Р\0 и РОЬ а потери, вызванные использованием таких ошибочных решений, соответственно г[0 и г0ь Тогда вреднее значение потерь от ошибочных решений (так называемый средний риск)

Заметим, что ошибка первого рода возникает при совместном наступлении двух событий: первое состоит в том, что контролируемый режим некондиционен (Л = = 0), а второе состоит в том, что по результатам измерения U принимаются решения о кондиционности режима (Л*=1). По правилам теории вероятностей совместное наступление двух событий Л=0 и Л* = 1 имеет вероятность, пред-ставимую произведением

Измерительные автоматы — это приборы с устройством, выполняющим по результатам измерения определенную работу согласно установленной для них программе. Их применяют при взвешивании и дозировке жидких и сыпучих веществ, управлении работой технологического оборудования, сортировке продукции и других операциях.

При вводе ЗУ в эксплуатацию выполняются измерения их характеристик и результаты измерения сравниваются с нормами. Поэтому на стадии проектирования ЗУ напряжением ПОкВ и выше намечаются контрольные точки и рассчитываются в этих точках напряжения прикосновения. На плане ЗУ указываются также точки, в которых устанавливаются токовый и измерительный электроды, и определяется поправка к результатам измерения устройства.

4) по результатам измерения вычисляют Q = l/CC/i/UO2 - 1;

При косвенных измерениях значение сопротивления определяют расчетным путем по результатам измерения тока, протекающего в образце, при известном значении напряжения, приложенного к образцу, или измеряя падение напряжения на образце при известном токе в нем. Для измерения тока (напряжения) применяют магнитоэлектрические гальванометры, электростатические и электронные электрометры. Эти приборы обладают очень высокой чувствительностью и позволяют измерять ток до 10~17 А (при таком токе через поперечное сечение проводника проходит всего 62 электрона в секунду). Однако при косвенных измерениях сам процесс измерения усложняется, требует больше времени и дополнительных расчетов. Отметим также, что поскольку значение искомой величины — сопротивления Rx — находится расчетным путем по результатам прямых измерений других величин (ток, напряжение), последние должны быть определены с большей точностью, так как погрешность результата будет складываться из погрешностей составляющих.

Как уже говорилось в § 3-1, диэлектрическая проницаемость е определяется расчетным путем по результатам измерения емкости ячейки с образцом Сх. Помимо этого необходимо измерить или рассчитать емкость ячейки без образца С0 при сохранении геометрических размеров.

Чем больше сопротивление вольтметра г.,, тем меньше поправка к результатам измерения.

Данное учебное пособие способствует привитию студентам глубоких знаний основных разделов курса электротехники, развивает умения и навыки в проведении экспериментов с обработкой и оформлением полученных данных, а также побуждает давать критическую оценку результатам, полученным при постановке ОПЫТОВ.

6.32. Зависимость толщины эпитаксиального слоя GaAs от продолжительности процесса осаждения, рассчитанная по уравнениям (6.51) (/), (6.47) (2), (6.50) (3) при D»:(As) ™4'10~5 см2/с: экспериментальные точки соответствуют результатам, полученным при кристаллизации переохлажденного расплава при Г0=800°С, Д<0-5°С и К=36 °С/ч

т. е. г=1, что соответствует результатам, полученным выше другим способом.

— степени соответствия результатов экспериментальных исследований результатам, полученным на модели;

3. По результатам, полученным в п. 2, построить- зависимость ширины импульсов ик от сопротивления резистора R3.

Под физико-техническими методами неразрушающего контроля (НРК) понимают все методы измерения физических, физико-химических и других характеристик материалов и изделий, в том числе характеристик и (параметров электрических -сигналов и цепей, при которых сохраняется надежность контролируемого изделия. Применение методов НРК обусловлено необходимостью выявления не только дефектов, вызывающих -отклонение свойств и параметров микросхем (или потерю их работоспособности) уже в момент контроля, но и дефектов скрытых и потенциальных, способных создавать отказы через некоторое время. Обнаружение таких дефектов позволяет с определенной достоверностью прогнозировать индивидуальное в-ремя -безотказной ра-б-оты контролируемой микросхемы, не прибегая к статистическим результатам, полученным в процессе испытаний аналогичных схем на срок службы.

Аналогия' полей в. проводниках и диэлектриках позволяет решать и обратные задачи — расчет потенциалов, напряжений и сопротивлений в проводящих средах по результатам, полученным теоретическим или опытным путем при изучении электростатических полей. В частности, по известным емкостям с помощью (28.29) можно подсчитать сопротивление среды при замене диэлектрика между электродами проводящей средой. Необходимо отметить, что аналогия рассмотренных полей относится только к форме описываемых ими уравнений, но не к характеру протекающих в них процессов.

Теперь рассмотрим, как сказывается наличие демпферных обмоток на процессе гашения поля. Для этой цели снова обратимся к результатам, полученным в гл. 4.

Математическая модель со сформированными операционными и функциональными задачами является основой для разработки алгоритмов. Если результаты, пол\ченные при оперировании математической моделью, соответствуют результатам, полученным при эксперименте над объектом, то математическую модель можно считать адекватной (математическая модель и эксперимент при этом дают одинаковое количество информации).

Остановимся на вопросе о том, насколько правомерно переносить суждение об устойчивости состояния равновесия упрощенной линеаризованной системы на исследуемую систему, описываемую нелинейными уравнениями. Этот вопрос был подробно исследован основоположником теории устойчивости акад. А. М. Ляпуновым. Согласно результатам, полученным им, имеем: если состояние равновесия линеаризованной системы асимптотически устойчиво, то состояние равновесия нелинейной системы также асимптотически устойчиво; если состояние равновесия линеаризованной системы неустойчиво, то неустойчиво и состояние равновесия нелинейной системы.

Из уравнений (3.3.9) —(3.3.11) можно заключить, что спектр поглощения бесснинового a-Si:ll должен иметь длинный экспоненциальный "хвост", .простирающийся до низких энергий фотонов, независимо от /:~0. Это заключение не противоречит результатам, полученным для a-Si:II, осажденного при Г[К)ДЛ - 300 °С, спектр которого (см. 3.3.6) обладает длинным экспоненциальным участком.

Из уравнений (3.3.9) —(3.3.11) можно заключить, что спектр поглощения бесснинового a-Si:ll должен иметь .длинный экспоненциальный "хвост", .простирающийся до низких энергий фотонов, независимо от /:~0. Это заключение не противоречит результатам, полученным для a-Si:II, осажденного при 7'подл — 300 °С, спектр которого (см. 3.3.6) обладает длинным экспоненциальным участком.