Результатам измерений

Ультразвуковые волны одинаково хорошо распространяются как в изоляторах, так и в проводниках. Однако при распространении в полупроводниках, по результатам исследований, они имеют малые потери. Это дает возможность изготовлять преобразователи для высоких частот. Используя явления взаимодействия акустических волн с электронами, можно разработать приборы для усиления электрических колебаний посредством усиления бегущей ультразвуковой волны. Для этого требуются высокоэффективные преобразователи (диффузионные, с р-п-пере-ходом или напыленные). Усилитель на частоту 1 ГГц с коэффициентом усиления акустических волн 40 дБ, работающий на продольных акустических волнах, в интегральном исполнении имеет вид, показанный на 9.19. На торцах исходного стержня с удельным сопротивлением, достаточным для усиления, путем диффузии индия создаются слои с высокой проводимостью. Эти слои (заштрихованы на 9.19) служат электродами для постоянного поля дрейфа, а также внутренними электродами преоб-

Для описания процесса теплопроводности в теле катушки вводят понятие коэффициента теплопроводности замещающего тела А3, т. с. такого однородного тела, которое имеет тепловое сопротивление такое же, как у реальной катушки. Обычно значение Аз определяют на основе математической обработки экспериментальных данных. По результатам исследований значение А3 для непропита иных обмоток определяется формулой

Выбор пускового и рабочего конденсатора. По результатам исследований строятся зависимости искомых величин от емкости конденсатора ( 14.6). Пусковая емкость С„ выбирается из условия обеспечения минимального времени пуска при заданных кратнос-тях начальных пусковых токов и момента; рабочая емкость конденсатора Ср — из условия обеспечения номинальной мощности при заданной кратности максимального электромагнитного момента и допустимой степени эллиптичности магнитного поля. Оценка эллиптичности осуществляется с. помощью осциллографа по фигурам Лиссажу. Для этого, установив одинаковое усиление по осям осциллографа, подают на его пластины токи модели ias и tps. В установившемся режиме при рекомендованных масштабах токов на экране осциллографа появится в общем случае эллипс, а при выполне-

Ультразвуковые волны одинаково хорошо распространяются как в изоляторах, так и в проводниках. Однако при распространении в полупроводниках, по результатам исследований, они имеют малые потери. Это дает возможность изготовлять преобразователи для высоких частот. Используя явления взаимодействия акустических волн с электронами, можно разработать приборы для усиления электрических колебаний посредством усиления бегущей ультразвуковой волны. Для этого требуются высокоэффективные преобразователи (диффузионые, с p-n-переходом или напыленные). Усилитель на частоту 1 ГГц с коэффициентом усиления акустических волн 40 дБ, работающий на продольных акустических волнах, в интегральном исполнении имеет вид, показанный на 8.19. На торцах исходного стержня с удельным сопротивлением, достаточным для усиления, путем диффузии индия создаются слои с высокой проводимостью. Эти слои (заштрихованы на 8.19) служат электродами для постоянного поля дрейфа, а также внутренними электродами преобразователей. Такой усилитель имеет размеры 1,28Х ХО,6ХО,6 мм, мощность рассеяния 3,78 Вт, напряжение питания 227 В, полосу пропускания 300 МГц.

Возможности и особенности диэлектрического нагрева углей изучены в недостаточной мере, поэтому в нашем исследовании была поставлена задача изучить диэлектрические свойства углей в зависимости от различных факторов и по полученным данным теоретически проработать, а затем экспериментально уточнить оптимальные условия высокочастотного нагрева углей. По результатам исследований характера и степени воздействия диэлектрической обработки на физико-химические и технологические свойства углей намечалось определить возможные пути практического использования метода диэлектрического нагрева углей.

В области повышения технического уровня отечественных преобразователей в последние годы имеются значительные достижения. Например, изготовлены и испытаны опытные образцы преобразователей мощностью 50 и 100 кет частотой 8000 гц, в которых по сравнению с серийно выпускающимися повышено использование активных материалов на 35—45% при одновременном повышении к. п. д. с 65—-70 до 80—85% и снижении габаритов. Модернизированный таким образом преобразователь мощностью 100 кет частотой 8000 гц с 1969 г. внедрен в серийное производство без дополнительных затрат, так как проведенная модернизация основывалась не на изменении конструкции и внедрении новых материалов, а на совершенствовании методов проектирования по результатам исследований.

Выбор пускового и рабочего конденсатора. По результатам исследований строятся зависимости искомых величин от емкости конденсатора ( 14.6). Пусковая емкость Сп выбирается из условия обеспечения минимального времени пуска при заданных кратнос-тях начальных пусковых токов и момента; рабочая емкость конденсатора Ср— из условия обеспечения номинальной мощности при заданной кратности максимального электромагнитного момента и допустимой степени эллиптичности магнитного поля. Оценка эллиптичности осуществляется с помощью осциллографа по фигурам Лиссажу. Для этого, установив одинаковое усиление по осям осциллографа, подают на его пластины токи модели ias и tpg. В установившемся режиме при рекомендованных масштабах токов на экра-;не осциллографа появится в общем случае эллипс, а при выполне-

По результатам исследований составлен ряд диаграмм, большинство из которых отличается выбором системы координат. По-видимому, для всех режимов невозможно подобрать универсальную систему в связи с резким различием факторов, оказывающих основное влияние на гидродинамику различных режимов.

Значение g(E) растет с „повышением уровня легирования атомами фосфора, причем в слаболегированных образцах скачок происходит при энергиях, меньших Ес приблизительно на 0,5 эВ, как показано на 3.4.5. Согласно результатам исследований методами ФАС или ЭПР [103] или модели профиля состояний в запрещенной зоне,- предложенной Стритом на основе данных по фотолюминесценции (ФЛ) и индуцированному светом ЭПР (ИСЭПР) [104], скачок состояний в запрещенной зоне, показанный на 3.4.5, может быть связан с дважды занятыми состояниями свободных связей (D~). Моригаки и др. в своих экспериментах по ОДМР также показали, что ?>~ состояние расположено примерно на 0,6 эВ ниже Ес [51]. Все это сопоставимо с тем фактом, что сечение захвата электронов такого состояния существенно меньше принимаемого обычно значения [105]. Эти выводы подтверждаются и

Значение g(E) растет с ловышением уровня легирования атомами фосфора, причем в слаболегированных образцах скачок происходит при энергиях, меньших Ес приблизительно на 0,5 эВ, как показано на 3.4.5. Согласно результатам исследований методами ФАС или ЭПР [103] или модели профиля состояний в запрещенной зоне,- предложенной Стритом на основе данных по фотолюминесценции (ФЛ) и индуцированному светом ЭПР (ИСЭПР) [104], скачок состояний в запрещенной зоне, показанный на 3.4.5, может быть связан с дважды занятыми состояниями свободных связей (?>~). Моригаки и др. в своих экспериментах по ОДМР также показали, что D~ состояние расположено примерно на 0,6 эВ ниже Ес [51]. Все это сопоставимо с тем фактом, что сечение захвата электронов такого состояния существенно меньше принимаемого обычно значения [105]. Эти выводы подтверждаются и

аналитический — диагностика состояния по полученным результатам исследований и экспертных запросов.

часто возникает необходимость в подаче на аппаратуру специальных испытательных сигналов, зачастую достаточно сложных. Можно контролировать РЭА, определяя параметры ее элементов (функциональных узлов, блоков), и по результатам измерений судить о качестве РЭС в целом.

Пример 4-1. Определить значения Вт и Нт в стали сердеч.ника катушки по результатам измерений в схеме ( 4-3), если приложенное напряжение U = 120 в, ток / = 0,3 а, частота / = 400 гц. Сердечник катушки изготовлен из листовой стали ( 2-4) и имеет размеры rfBH = = 56 мм, dn = 83,5 мм, b = 20 мм, 1е = 0, коэффициент заполнения поперечного сечения сталью (коэффициент заполнения стали) ?сг = == 0,9; обмотка сердечника состоит из 200 витков. Для упрощения расчета активное сопротивление обмотки принимается равным нулю.

По результатам измерений, записанных в таблице задания, строят характеристику преобразования ЦАП, представляющую собой зависимость выходного напряжения от числа импульсов на входе, т. е. зависимость UBbIX=f(N).

4. При выполнении п. 4 задания исследуют быстродействие АЦП. Для этого изменяют частоту импульсов генератора при неизменном входном напряжении t/BX. Измерение частоты импульсов осуществляют с помощью осциллографа. По результатам измерений строят зависимость показаний счетчика от частоты импульсов и определяют зависимость погрешности от частоты.

Вероятность РПер находится по результатам измерений в канале связи:

Таким образом, диэлектрическая проницаемость е образца может быть вычислена по результатам измерений Сх и С„. Однако чаще значение С0 определяют расчетным путем.

По результатам измерений составляется таблица значений удельных координат для каждой длины волны, аппроксимируя которые, строят графики кривых сложения ( 3.11). Из 3.11 видно, в каких количествах нужно смешивать (с учетом знаков) три основных цвета К, G, В [см. выражение (3.3)], чтобы получить любой спектральный цвет мощностью 1 Вт.

Чувствительность к воздействию флуктуационных помех с равномерным спектром у трех систем примерно одинакова. Для передающего тракта системы ПАЛ принята норма на невзвешенное отношение сигнал/шум, равная 36 дБ. В стандарте ГДР на систему СЕКАМ указывается, что оценке 5 соответствует взвешенное отношение сигнал/шум более 40,5 дБ или невзвешенное значение 32 дБ. По результатам измерений в СССР для СЕКАМ установлено следующее примерное соотношение между уровнем невзвешенных флуктуационных помех и качеством цветного изображения: более 40 дБ (оценка 5), 36 (4,5), 30 (4), 24 (3), 19 (2) и 14 дБ (1). Соответствующие взвешенные значения должны быть на 8,45 дБ выше при

Конструирование тестовых схем представляет самостоятельную задачу, решаемую для каждого конструктивно-технологического исполнения БИС (МСБ) с учетом определенных принципов. В общем случае конструирование тестовой схемы (тестового кристалла или платы) означает выбор номенклатуры и количества информативных элементов (тестовых ячеек), позволяющих по результатам измерений на них (в основном электрическими методами) получать сведения о параметрах всех видов, формируемых при изготовлении БИС.

По результатам измерений амплитудных значений токов и напряжений непосредственно на нагрузочной диаграмме легко определить динамические коэффициенты усиления:

Параметр av является стандартным отклонением и характеризует рассеяние гистограммы, т. е. разброс отклонений напряжения вокруг математического ожидания. Для большинства гистограмм отклонений напряжения интегральная вероятность попадания в диапазон 4(Tv составляет 0,95. Это означает, что для удовлетворения требований стандарта значение av по результатам измерений не должно превышать 1/4 от ширины допустимого диапазона. Так, если допустимый диапазон отклонений напряжения V=±5%, то необходимо, чтобы ov не превышало 2,5%.