Результаты свидетельствуют

На 2.6 представлены результаты сравнения эквивалентных узлов двух универсальных ЭВМ фирмы IBM. ЭВМ модели 3033 собирается в отдельных корпусах на платах и каналах; в конструкцию ЭВМ 3081 входят теплопро-водящие ячейки ГИФУ и бескорпусные ИМС. Число соединений между уровнями сборочно-монтажных иерархий для МЭА на бескорпусных ИМС меньше приблизительно в 10 раз. Длина соединительных проводников в ячейке ЭВМ 3081 в 8 раз меньше, чем в эквивалентном узле ЭВМ 3033, что дает пропорциональное уменьшение времени передачи сигнала. Заметим также, что большинство межсоединений в модуле приходится на припайку кристаллов к подложке, что намного надежней, чем механические соединения.

позволяют сравнивать данные, расположенные в двух верхних регистрах стека ST (0) и ST (1) (команды FCOM, FCOMP, FCOMPP), а также сравнивать с нулем (FTST) и анализировать данные в вершине FXAM. Команды сравнения могут выполняться без изменения состояния стека (FCOM), с выталкиванием одного из сравниваемых данных (FCOMP) и с выталкиванием обоих сравниваемых данных (FCOMPP). Результаты сравнения помещаются в регистр состояния SR (разряды СЗ, СО). Значения флагов СЗ, СО устанавливаются в зависимости от соотношения сравниваемых данных в соответствии с табл. 3.9. Поскольку при реализации алгоритмов довольно часто производится сравнение с нулем, введена соответствующая команда FTST. Команда FXAM выполняет детальный анализ содержимого вершины стека и помещает результаты в регистр состояния SR (разряды СО—СЗ). Значения флагов СО, С1, СЗ устанавливаются в зависимости от результатов анализа (см. табл. 3.10). Флаг С2 указывает знак числа, расположенного в вершине.

Для обеспечения большей гибкости при сравнениях введены команды сравнения с расширенными возможностями: FCOM addr, FCOMP addr, FICOM addr и FICOMP addr, где addr — ST (i) или адрес памяти (mem). Возможности размещения второго операнда различны для мнемокодов FCOM, FCOMP и FICOM, FICOMP. Первые две команды допускают размещение второго операнда как в памяти, так и в произвольном регистре ST (i) и позволяют выполнять сравнение вещественных чисел в форматах КВФ и ДВФ. Вторые две команды допускают размещение второго операнда только в памяти и позволяют сравнивать 16- и 32-разрядные целые числа. Во всех случаях результаты сравнения помещаются в разряды СЗ, СО регистра состояния.

Команда FSTSW addr позволяет запомнить слово-состояние в памяти по указанному адресу. Под словом-состоянием понимается содержимое регистра состояния SR. Эта команда используется для организации условных переходов по результатам сравнения чисел. Поскольку в системе команд сопроцессора ВМ87 отсутствуют команды переходов, то для того, чтобы воспользоваться соответствующей командой ЦП необходимо предварительно передать результаты сравнения чисел из регистра SR сопроцессора в регистр F центрального процессора.

Этот фрагмент показывает, как реализуется условный переход по результатам сравнения чисел с плавающей запятой. Поскольку в системе команд сопроцессора ВМ87 отсутствуют команды условных переходов, то используется следующий прием. После выполнения команды сравнения (FCOMP) результаты сравнения (старший байт регистра состояния) запоминаются в памяти по адресу FLAGS. Затем они пересылаются в старший байт аккумулятора АН центрального процессора и запоминаются в регистре флагов F по команде SAHF. Разряды СО, СЗ регистра состояния сопроцессора ВМ87 соответствуют разрядам регистра F, в которых размещены значения флагов CF и ZF (табл. 4.3), поэтому можно зоспользоваться любой из команд условных переходов.

Поскольку в системе команд сопроцессора ВМ87 отсутствуют команды условных переходов, то для их организации в блоках 9 и 10 используется следующий прием. После сравнения накопленных значений с порогом (строки 37 и 43) результаты сравнения передаются в младший байт регистра флагов F центрального процессора (строки 45—47). Анализ результатов сравнения сводится к анализу значения флага переноса CF и выполнению условного перехода (строка 48), при превышении порога, к блоку 13. В противном случае переход осуществляется к команде (строка 49), которая загружает в младший байт аккумулятора значение FFH, соответствующее результату Сигнал есть.

~ условие срабатывания для максимального ИО и Яг<Я31д — для минимального. Аргументы Н функции Ф принадлежат множеству действительных чисел. Область значений функции Ф дискретна и включает всего два значения — 1 или 0, отражающих результаты сравнения — соответственно сработал ИО или нет.

В заключение заметим, что процесс уравновешивания; может осуществляться как при одновременном воздействии сравниваемой величины и меры, так и на основе замещения входного воздействия воздействием, воспроизводимым мерой. Результаты сравнения и измерения при этом описываются теми же соотношениями.

станем помех оказался ошибочным, т. е. вместо а„_х = 1 получен ложный результат an_j = 0. Если все остальные результаты сравнения являются верными, то на выходе АЦП появится метрологически некорректная кодовая комбинация

Представление об этих показателях можно получить из табл. 5.1 и 5.2, где приведены результаты сравнения вентильных схем, выполненных по наиболее распространенным технологиям изготовления ИМС и БИС.

т. е. практически такая же, как и у двух предыдущих каскадов. Однако ее влияние на частотные свойства незначительно, так как она шунтируется весьма малым выходным сопротивлением каскада. Определим частоты среза fcp для входной и выходной цепи усилительного каскада в каждой из трех схем включения полевого транзистора с параметрами Уа1 = 5 мСм; Уг2 = 50 мСм; С3.„=Ю ПФ; С3.с = 3 пФ; Сс.и = 2 пФ; См = 2 пФ; С„ = 50 пФ. Результаты сравнения сведем в табл. 4.3.

Полученные результаты свидетельствуют о том, что выбранные по экономическим соображениям сечения проводов участков Л — ЗиЗ — 2 не удовлетворяют условиям допустимого нагрева в послеаварийном режиме. Это в свою очередь означает, что на этих участках сечения проводов должны быть увеличены. Аналогичным образом должны быть проверены участки А — 1 и / — 2, для которых наиболее

Полученные одинаковые результаты свидетельствуют о том, что преобразования выполнены верно.

После обработки I обнаружены выделения М23С6 на границе зерен, после обработки II — два вида выделений: М23Св (большинство выделений расположено на границах зерен) и 0-фаза (большинство выделений расположено на полосах скольжения внутри зерна). Механические испытания показали, что охрупчивание облученных образцов, прошедших обработку II при 550° С, и относительная потеря пластичности облученных образцов, обработанных по режиму II, оказались гораздо меньше, чем при режиме I. Полученные результаты свидетельствуют о том, что некогерентные выделения внутри зерна могут, по-видимому, служить внутризеренными стока-

В зависимости от типа реактора вопрос радиационного роста может иметь, в общем, неодинаковую технологическую ценность. Изменение размеров урана, циркония, графита вследствие радиационного роста наблюдается в интервале температур примерно до 300—400° С, поэтому проблема роста наиболее важна для реакторов, охлаждаемых водой, и для некоторых типов газовых реакторов. Ранее предполагалось, что основная причина радиационного роста заключается в анизотропии кристаллографической структуры урана, циркония, графита. Однако в последнее время получены данные о том, что эффект анизотропного изменения размеров в результате облучения проявляется также в металлах с ГЦК- и ОЦК-структурами, предварительно подвергнутых пластической деформации [1]. Эти результаты свидетельствуют о том, что радиационный рост не является свойством, присущим исключительно кристаллам с анизотропной структурой. Таким образом, область проявления эффекта радиационного роста может затрагивать довольно широкий круг материалов, в связи с чем исследования этого явления занимают важное место в рамках комплексной проблемы радиационной стойкости реакторных материалов. Наиболее исследованным в настоящее время является радиационный рост моно- и поликристаллов а-урана при облучении нейтронами, вызывающими деление ядер U235. Радиационный рост урана и связанные с ним эффекты значительного ускорения ползучести и «кавитационного» распухания топливных материалов на основе металлического урана относятся к числу тех проблем, которые возникли в связи с необходимостью обеспечения размерной стабильности тепловыделяющих элементов ядерных реакторов. В последние годы систематизированный и целенаправленный характер принимают исследования радиационного роста циркония, ввиду того что циркониевые материалы находят все более широкое применение в ядерной энергетике.

Полученные результаты свидетельствуют о том, что при этих двух схемах соединений расчетные мощности трансформаторов незначительно превышают мощность нагрузки.

Как следует из выражений (2.4.3) и (2.4.5), линейную зависимость времени пролета 1Т от напряженности поля можно получить, построив график в логарифмических координатах. Вместе с тем приведенные на 2.4.3 экспериментальные результаты свидетельствуют о том, что зависимость tr от Е является обратно пропорциональной [124], что противоречит результатам теоретического анализа [120, 135]. Наши наблюдения [127] подтверждаются результатами работы [123], в которой отмечена почти линейная полевая зависимость обратного времени пролета в пленках TP-a-Si:H.

В случае кремния ^-тензоры рассчитывались для неспаренного спина в антисвязывающем и связывающем состояниях слабых связей Si Si и отрицательно и положительно заряженного Si с координационным числом 2(Т?, Т\) [12, 26]. Результаты свидетельствуют о том, что ЭПР-сигналы с g = 2,0043 и 2,011 возникают, по-видимому, благодаря неспаренному спину в антисвязывающих и связывающих состояниях слабых связей соответственно.

Вначале обсудим модель Депинна и др. [49, 50] и Стрита и др. [60, 61], объясняющую излучательную рекомбинацию в а-81:Н.Депина и др. пришли к выводу, что центры свободных связей действуют как излу-чательные центры, тогда как Стрит и др. предположили, что последние действуют как безызлучательные центры, за исключением случая низкоэнергетической люминесценции, при которой центры свободных связей становятся излучающими. Авторы же настоящей статьи считают, что' центры свободных связей являются безызлучательными центрами во всем диапазоне энергий фотонов люминесценции. Более того, облучение лазером создает также излучательные центры, которые являются центрами захваченных электронов и лежат глубоко в запрещенной зоне. Поскольку отвечающие этим центрам захваченных электронов ОДМР-сигналы отсутствовали, трудно сказать что-либо определенное о природе электронных центров, созданных светом. Однако авторы полагают, что полученные ими результаты свидетельствуют против моделей Депинна и др. и Стрита и др. (особенно против первой).

Такое различие в энергетическом положении пика наводит на мысль о температурной зависимости v (Е) или ап (Е). Энергетическая зависимость v (Е) и ап (Е) при нескольких температурах выводилась из зависимостей ИНЕС-сигналов от Wp при каждой температуре. Эти результаты свидетельствуют о росте v (Е) или ап (Е) с повышением температуры. Таким образом, истинное положение пика при 0,52 эВ получается из графика Аррениуса для v (Е) 1„\ величина 0,52 эВ согласуется с тем значением, которое вытекает из 3.4.5 (в пределах ошибки эксперимента).

Показанные на 3.4.8 результаты свидетельствуют о приближенном выполнении закона (3.4.16), т.е. в случае захвата электронов глубокими состояниями в запрещенной зоне a-Si:H превалирует процесс многофононной эмиссии со слабым взаимодействием. Этот вывод находит свое подтверждение в экспериментальных результатах, приведенных на 3.4.10, где ап (Е) растет с повышением температуры. Теоретически следует ожидать, что температурная зависимость W будет иметь такой же характер [108]. Эти результаты впервые подтвердили правило энергетического зазора применительно к процессу многофононной эмиссии за счет слабых взаимодействий, когда оно реализуется в идентичном аморфном материале, имеющем ЛУНРЭ в запрещенной зоне.

(в методе нестационарной дифракционной решетки, о чем будет сказано ниже), коэффициент диффузии (D) и время жизни (г) возбужденных состояний, вносящие вклад в изменение показателя преломления, могут быть оценены независимо, если знать связь времен- затухания с периодом решетки Л. Экспериментальные результаты свидетельствуют о том, что причиной первого пика интенсивности дифрагированного снега являются подвижные электроны, поскольку Время затухания Т зависит от периода решетки Л. Однако постепенное появление фотопотемнения после быстрого спада связано с неподвижными состояниями, так как время нарастания не зависит от периода решетки Л. На образцах, приготовленных на той же подложке и в тех же условиях напыления, наблюдалось почти аналогичное поведение.