Резонансное сопротивление

Чтобы уменьшить мешающее влияние соседней станции, нужно получить прямоугольную форму резонансной характеристики. С этой точки зрения было бы желательным использовать в УПЧ электромеханический фильтр. Однако если учесть, что один ЭМФ при существующей технологии изготовления стоит пока десятки рублей, а два двух-контурных полосовых фильтра стоят всего несколько рублей, то можно сделать следующий вывод: такое удорожание приемника не окупает улучшение его функциональных свойств. В практике конструирования Часто встречаются случаи, когда селективные свойства изделия являются решающими для выполняемых им функций. В таком случае применение ЭМФ является оправданным, несмотря на увеличение стоимости.

5.8. Вид резонансной характеристики.

Форма резонансной характеристики зависит от соотношения волнового и активного сопротивлений контура, т. е. от его добротности. На 6.7 кривые относятся к двум контурам с одинаковыми индуктивностями и емкостями, но разными активными сопротивлениями. Очевидно, сопротивление второго контура R2 (нижняя кривая) больше сопротивления первого контура Л[. Чем выше добротность контура, тем острее его резонансная кривая.

По сравнению с одиночным контуром система связанных контуров обладает определенными преимуществами. Полосу пропускания можно регулировать в широких пределах. При этом удается получить полосу, одинаковую с одиночным контуром, при значительно большей добротности контуров, что позволяет приблизить форму резонансной характеристики к прямоугольной. Иногда для этой же цели прибегают к небольшой взаимной расстройке контуров. Благодаря этим свойствам связанные контуры находят широкое применение в схемах промышленной электроники.

Резонансный метод, как отмечалось выше, основан на использовании резонансных явлений в колебательных контурах. Колебательный контур составляется из образцового и измеряемого элементов. Измеряемый параметр (например, L, С, R, Q) определяется на основе известных зависимостей резонансной частоты, ширины резонансной характеристики и отношения напряжений на активных и реактивных элементах при резонансе от параметров элементов контура.

Итак, уравнение резонансной характеристики одноконтурного усилителя запишем в виде

Иногда сильная связь, большая критической, применяется для искусственного подъема амплитудно-частотной характеристики усилителя в области высоких частот модуляции. При этом весь спектр модуляции стараются разместить в седловине между двумя горбами резонансной характеристики. При совмещении несущей частоты модулированного колебания с резонансной частотой системы получается симметричное подчеркивание боковых частот модуляции.

Смысл этого результата поясняется 7.8, а, на котаром показано положение спектра входного колебания относительно резонансной характеристики колебательного контура. Чем выше частота модуляции Q, тем сильнее относительное ослабление амплитуд колебаний боковых частот и, следовательно, меньше глубина модуляции колебания.

линейная, зависящая от напряжения ис, емкость (например, варикап). На контур действует гармоническая э. д. с. e(t) = E cos со/; амплитуда Е поддерживается неизменной, а частота со медленно изменяется, как это обычно делается при снятии резонансной характеристики контура.

Смысл этого результата поясняется 6.19, а, на котором показано положение спектра входного колебания относительно резонансной характеристики колебательного контура. Чем выше частота модуляции Q, тем больше относительное ослабление амплитуд колебаний боковых частот и, следовательно, меньше глубина модуляции колебания,

Нелинейный характер рассматриваемой цепи (при больших амплитудах Е) оказывает влияние также и на форму резонансной характеристики регенерированного контура. Действительно, при отклонении частоты входного сигнала ю от резонансной частоты Шр возрастает реактивное сопротивление х — toL — 1/wC в (9.57), что приводит к уменьшению амплитуды тока /. Но уменьшение / в свою очередь приводит к уменьшению и гэк» 1см. выражение (9.59)], что в некоторой степени компенсирует влияние возрастания х. В результате резонансная характеристика в верхней части уплощается, и тем сильнее, чем больше амплитуда внешней э. д. с., действующей на контур. При значительных расстройках преобладающее влияние на амплитуду оказывает реактивное сопротивление и резонансная характеристика быстро спадает почти до нуля ( 9.29).

Характеристическое сопротивление p=~l/L/C=133 Ом. Резонансное сопротивление контура #p = pQ=0,133-70 = 9,31 кОм. Обобщенная расстройка на частоте со составит =2QA(o/a>o=2-70-0,02=2,8. Комплексное сопротивление контура на заданной частоте

ляют резистивную ветвь с сопротивлением jRH. При этом эквивалентное резонансное сопротивление

Как видно из (5.62), частотные характеристики сложного контура в окрестности точки соо определяются, в основном, зависимостью от частоты реактивного сопротивления X по обходу контура, так как величины Х\,2 меняются с частотой достаточно медленно. Поэтому АЧХ сложного и простого контуров совпадают по форме. Однако резонансное сопротивление сложного контура

питается от источника с напряжением EnaT=l2 В. Резонансное сопротивление контура (с учетом неполного включения) /?Рез = 20 кОм. Постоянное напряжение смещения на базе t/0=0.5 В. Проходная характеристика транзистора iK=f(u63) аппроксимирована кусочно-линейной функцией с параметрами 5 = 15 мА/В, t/H=0.8 В. Определите амплитуду UmBX входного сигнала, при которой усилитель работает в критическом режиме. Частота входного сигнала совпадает с резонансной частотой контура.

11.22 (О). Коллекторная цепь усилителя, рассмотренного в задаче 11.19, содержит колебательный контур, настроенный на частоту второй гармоники входного сигнала. Резонансное сопротивление контура /?реэ = 8.6 кОм. Найдите амплитуду колебательного напряжения итвых на коллекторе транзистора.

12.9(УО). Схема преобразователя частоты на полевом транзисторе изображена на 1.12.1. Колебательный контур настроен на промежуточную частоту юпр= о)С—corf. Резонансное сопротивление контура #рез=18 кОм. Ко входу преобразователя приложена

14.21 (О). Туннельный диод вместе с источником смещения подключен к колебательному контуру ( 1.14.13). Дифференциальная крутизна ВАХ диода в рабочей точке 5диф=—5 мА/В. Резонансное сопротивление контура при полном включении /?рез=32 кОм. Определите, при каком минимальном значении коэффициента включения &вкл активного элемента в контур возникает самовозбуждение системы.

то ?вх=«/рез/2в и поэтому резонансное сопротивление системы будет весьма велико:

8.8. Как изменится резонансное сопротивление в условиях предыдущей задачи, если входные зажимы будут располагаться на расстоянии 5 см от конца?

Резонансное сопротивление контура, выраженное через его добротность, L WneoL Q

где /?0(, — резонансное сопротивление контура.