Резисторов конденсаторов

Резисторы. При изготовлении пленочных резисторов используются резистивные материалы с различным поверхностным удельным сопротивлением. Такие материалы можно разделить на три основные группы: чистые металлы, сплавы металлов и микрокомпозиции.

Резистивные -элементы МЭ и ИМ обычно изготавливаются из материалов, обладающих высокими значениями удельного сопротивления. Это могут быть металлы (W, Mo, Re, Та и др.), сплавы (нихром, силициды, карбиды и др.), керметы* (смеси металла и диэлектрика типа Cr—SiO, Cr—SiO2). В полупроводниковых ИМ в качестве резисторов используются области кремния, легированного примесями.

Для измерения параметров резисторов используются цифрОЕ1ые приборы типа МЦС с диапазоном от 0,1 до 108 Ом и с высокой разрешающей способностью.

Чистые металлы имеют, как правило, низкое удельное сопротивление и для изготовления резисторов используются редко. Обычно применяют медно-никелевые, марганцово-медные, хромоникелевые, железохромовые сплавы, а также литой чугун и сталь. Графит, нефтяной кокс, карборунд и другие подобные материалы идут для изготовления специальных резисторов.

Тонко-пленочные резисторы изготавливаются тремя основными методами: термовакуумным испарением, катодным или плазменным распылением и осаждением из газовой фазы. Обычно для резисторов используются металлы, сплавы и керметы1. Например, пленки хрома, рения, титана, молибдена и нихрома. В качестве керме-тов служат пленки из смесей SiO + NiCr; SiO + Cr и т. п.

При создании пленочных резисторов используются два способа создания заданной геометрии (рисунка) резисторов: осаждение резистивной пленки через трафарет (маску), обеспечивающий заданную конфигурацию резистора, либо фотолитографическое создание рисунка.

Наиболее распространены ключевые схемы с постоянным источником стокового питания на ключевых МДП-транзисторах с индуцированными каналами и с линейными ( 2.18, а) и нелинейными резисторами ( 2.18, б, в). В качестве нелинейных резисторов используются МДП-транзисторы с индуцированными каналами, тип проводимости которых совпадает с типом проводимости канала ключевого транзистора.

Логические схемы на основе транзисторов типа МДП могут содержать как схемы И — НЕ, так и схемы ИЛИ — НЕ, а также схемы, И, И — ИЛИ — НЕ и т. д. В отличие от схем на биполярных транзисторах в данных схемах в качестве нагрузочных резисторов используются открытые МДП-транзисторы. В связи с этим упрощается технология изготовления интегральных схем и, кроме того, увеличивается плотность размещения, так как МДП-транзи-стор занимает на подложке меньшую площадь, чем диффузионный резистор. В логических схемах на МДП-транзисторах отсутствуют элементы (резисторы, диоды, конденсаторы) в цепях связи между выходом одного транзистора и входом другого. Это объясняется высоким входным сопротивлением МДП-транзисторов.

Постоянное связующее. Для резисторов используются соответствующие модификации стекол, применяемых для проводников. Свинцово-боросиликат-ные стекла иногда заменяются кадмиевыми или цинково-боросиликат-ными. Стекла играют большую роль в обеспечении стабильности электрических характеристик резисторов, в связи с чем их состав приобретает важное значение.

Схема предупреждающей сигнализации без выдержки времени аналогична схеме аварийной сигнализации (см. 47.24) с той лишь разницей, что вместо резисторов используются лампы и предусматривается ключ ST для опробования исправно-

Случайные производственные погрешности определяются: 1) неоднородностью сырья и отклонениями параметров комплектующих изделий (резисторов, конденсаторов, транзисторов, ИС и др.); 2) колебаниями технологического режима обработки; 3) субъективными данными рабочих и т. д.

Для проведения подготовительных операций изделий массового применения (резисторов, конденсаторов, транзисторов, ИС со штыревыми и планарными выводами) разработано отечественными и зарубежными фирмами (Heller Industries Inc., Leadmaster TIR и Dyna/Pert, США, Electrovert, Канада, Elite Engineering Ltd., Великобритания, LOUPOT, Франция) многочисленное технологическое оборудование и оснастка. Выбор конкретного типа определяется условиями производства, производительностью и стоимостью. В мелкосерийном производстве подготовка осуществляется пооперационно с ручной подачей компонентов, при массовом производстве — на установках комплексной подготовки, объединяющих две и более операций с автоматической подачей элементов в зону обработки.

Универсальная и специальная измерительная аппаратура, используемая для входного контроля, должна соответствовать требованиям методик испытаний, приведенным в ТУ, нормалях или ГОСТ на соответствующие элементы. Общими требованиями к такой аппаратуре являются: максимальная достоверность измерений, высокая производительность, минимальная стоимость приобретения и эксплуатации, возможность оперативной перестройки на контроль новых элементов. Для контроля резисторов, конденсаторов, транзисторов, ИС, ПП разработаны многочисленные тестеры с программным управлением режимом контроля, которые позволяют не только измерить параметры элементов, но и разделить

Регулировка состоит в том, чтобы, не изменяя схемы и конструкции, получить заданные параметры. Ее осуществляют при помощи целенаправленного изменения параметров регулировочных элементов (переменных резисторов, конденсаторов переменной емкости, сердечников катушек индуктивности и т. д.), а также методом подбора специальных, предусмотренных схемой элементов (резисторов, конденсаторов).

2. Миниатюризация и микроминиатюризация аппаратуры, способствующие уменьшению массы, габаритов и потребления энергии. Если представить комплекс аппаратуры, включающий в себя 10' элементов и выполненный на электронных лампах или даже на базе дискретных транзисторов, резисторов, конденсаторов и так

Чаще всего ИМС синтезируется из готовых типовых элементов схем, заблаговременно рассчитанных и хранящихся в памяти вычислительного комплекса, недостающие элементы проектируемой схемы рассчитываются заново. Таким образом, первый этап проектирования — расчет необходимых параметров активных и пассивных элементов. По заданной геометрической конфигурации, характеристикам материалов и другим исходным данным рассчитываются все параметры элементов, составляются и оптимизируются их математические модели (эквивалентные схемы). Набор элементов — транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов, имеющих различные геометрические размеры и электрические -параметры, накапливается в памяти машины в виде банка данных. Оттуда изображение элемента, отражающее его геометрические размеры, конфигурацию, по выбору конструктора можно вывести на экран графического дисплея вместе с параметрами элемента, представляемыми на том же экране в знаковой форме. В процессе работы

Важнейшие проблемы современного радиоаппаратострое-ния — надежность, экономичность и стоимость разрабатываемых систем — достаточно успешно разрешаются микроэлектроникой путем интеграции элементов. Наращивание сложности систем постоянно уравновешивается увеличением степени интеграции микроэлектронных цепей, сохраняющих принцип создания узлов и блоков аппаратуры на основе стандартных базовых элементов (резисторов, конденсаторов, диодов, транзисторов и др.). Успешно решается задача перехода от сравнительно простых интегральных узлов со степенью интеграции до 100 элементов в одном корпусе к БИС со степенью интеграции до 105 элементов в одном корпусе.

Если значения сопротивлений и емкостей всех элементов установлены в соответствии с принципиальной схемой, то, как правило, после включения мультивибратор сразу начинает работать. В отдельных случаях из-за разброса параметров резисторов, конденсаторов или транзисторов необходима регулировка. Обычно все параметры мультивибратора (амплитуду колебаний, частоту сле-

Сборка и герметизация И С. После нанесения на подложку ГИС пассивных элементов (проводников, резисторов, конденсаторов) на ней монтируют активные компоненты (диоды, транзисторы или другие ИС) [32]. Монтаж активных компонентов, имеющих гибкие выводы, включает две основные операции; крепление самих компонентов на подложку микросхемы и присоединение выводов компонентов к пленочным контактным площадкам. В качестве навесных активных компонентов чаще всего используют бескорпусные транзисторы, например 2Т317, 2Т307, имеющие размеры примерно lXlX'1 мм; диодные матрицы, например КД901, с диаметром 3,7 мм и высотой 2,5 мм {31].

Около условных графических обозначений элементов допускается указывать номиналы резисторов, конденсаторов и катушек индуктивности, а также маркировку

7.15. Пример записи номиналов резисторов, конденсаторов и маркировки транзисторов на схеме усилителя