Резисторов используют

116. Последовательно с резистором сопротивлением 30 Ом включен переменный резистор ( 4, а). В среднем положении подвижного контакта переменного резистора устанавливается ток 2 А. Каковы будут ток в цепи и напряжение на резисторе при крайних положениях подвижного контакта, если цепь подключена к источнику с эдс 100 В и внутренним сопротивлением 5 Ом?

165. В качестве источника эдс в простейшей цепи постоянного тока с резистором сопротивлением 100 Ом исполь-

520. Для измерения напряжения на катушке реле сопротивлением гк = 100 Ом, включенной последовательно с добавочным резистором сопротивлением гдоС = 400 Ом, был использован вольтметр с /v = 10 кОм ( 46, б). Определить относительную погрешность измерения, вносимую внутренним сопротивлением вольтметра.

534. Амперметр, включенный последовательно с резистором сопротивлением 50 Ом, показал ток 0,5 А. Подключенный к этому же резистору вольтметр показал напряжение 24,5 В. Найти внутреннее сопротивление вольтметра,если погрешностями измерительных приборов можно пренебречь.

Уравнению (15.52) отвечает схема на 15.30, б. В этой схеме к управляемому источнику ЭДС uAuc присоединены нагрузка /?н и внутреннее сопротивление электронной лампы /?;. Таким образом, для малых приращений анодную цепь электронной лампы замещают (имитируют) источником ЭДС цДис и последовательно с ним включенным резистором сопротивлением /?,-. ЭДС этого источника пропорциональна

дальней ЭДС e(t) = ?msin(co^ -f ф), двумя обмотками w нелинейного индуктивного элемента, расположенными на двух одинаковых магнитных сердечниках (сечением S, длиной средней магнитной линии /), и резистором сопротивлением RH.

Управляющая цепь образована источником постоянной ЭДС Е0, резистором сопротивлением /?„ и двумя обмотками ш0, расположенными на тех же сердечниках. Переходный процесс вызывается замыканием ключа К. При замкнутом К магнитная индукция в левом сердечнике равна fimsiri(o^ -f- В0, а в правом Bms\nmt — В0 (высшие гармоники не учитываем). Амплитуда синусной компоненты Вт и «постоянная» составляющая В0 являются медленно изменяющимися функциями времени, влияющими друг на друга.

Так как HP имеет S-образную ВАХ, то в схеме для исследования устойчивости оно имитировано (в соответствии с§ 17.3) дифференциальным сопротивлением ЛДИф и последовательно с ним включенной малой паразитной индуктивностью Ln, зашун-тированной резистором сопротивлением /?доб.

«генератора тока / с параллельно включенным резистором сопротивлением. Rp.

6. Параметры демпфирующей цепи рассчитываются так же, как и в примере 11. В данном случае можно использовать однотипный меза-диод 2Д503А с последовательно включенным резистором сопротивлением R = 270 Ом.

3. Для повышения надежности тиристоров рекомендуется шунтирование цепи управления резистором сопротивлением 51 Ом.

Тензометрические преобразователи (тензорезисторы) основаны на явлении изменения сопротивления проводников и полупроводников при их растяжении или сжатии. Их применяют для измерения деформаций, давления, малых перемещений, вибраций и т. п. Для изготовления чувствительных элементов тензо-резисторов используют тонкую проволоку или фольгу из сплавов высокого сопротивления (константана, нихрома и др.), тензочув-

В качестве резистивных материалов тонкопленочных резисторов используют чистые металлы и сплавы с высоким электрическим сопротивлением, а также специальные материалы — керметы, которые состоят из частиц металла и диэлектрика (например, Сг и SiO). Широко распространены пленки хрома и тантала. Сплавы, из которых наиболее часто используют нихром, имеют большее значение ps по сравнению с пленками чистых металлов. На основе керметов, в состав которых входят хром и монооксид кремния, получают высокоомные резисторы. В зависимости от содержания хрома можно получить резистивные пленки, обладающие высокой стабильностью с удельным сопротивлением от сотен ом на квадрат до десятков килоом на квадрат. Однако в связи с тем что свойства керметных пленок в сильной степени зависят от технологических факторов, резисторы имеют худшую воспроизводимость номиналов и больший ТЮ? по сравнению с металлическими. В настоящее время промышленностью освоена большая группа металлосилицид-ных сплавов системы Сг — Si, легированных небольшими добавками железа, никеля, кобальта, вольфрама (РС-3001, РС-3710, РС-5404К, МЛТ-ЗМ, РС-5405Н). При сравнительно малом TKjR и высокой стабильности воспроизведения удельных поверхностных сопротивлений диапазон номиналов сплавов PC достаточно широк: 0,5—50 кОм/П. Наиболее часто используют сплавы РС-3001, РС-3710 (37,9% Сг, 9,4 % Ni, 52,7 % Si), МЛТ-ЗМ (43,6 % Si, 17,6% Сг, 14,1 %Fe, 24, 7% W).

Тонкие пленки (до 1 мкм) получают путем вакуумного или ионно-плаз-менного напыления металлов или сплавов с высоким удельным сопротивлением. Для изготовления резисторов используют нихром, тантал, проводящие пленки и пасты, металлокерамические сплавы и т.д. В зависимости от требуемого номинала (от 10 Ом до 1 МОм) подбирают материал с соответствующим удельным сопротивлением с тем, чтобы удобно расположить полоски различной длины и конфигурации. Выводные концы резистивного элемента соеди-

Для создания резисторов используют участки полупроводникового материала ограниченных размеров. Такие резисторы называют диффузионными. Как отмечалось (см. § 2.1), значения удельных электрической проводимости а и электрического сопротивления р полупроводникового материала определяются концентрацией и подвижностью носителей заряда в нем.

Как следует из табл. 2.3, обеспечение необходимых допусков на значения сопротивлений резисторов сводится к точному контролю процессов изготовления фотошаблонов, проведения диффузии и фотолитографии. Нетрудно заключить, что сравнительно легко получить пределы допусков на отношения номиналов сопротивлений. Это достоинство диффузионных резисторов используют при проектировании ИМС: обычно их строят так,

Для изготовления пленочных резисторов используют разные материалы: металлы, сплавы, соединения, керметы (см. табл. 4.2), удовлетворяющие требованиям по металлургической совместимости, адгезии, технологичности и стабильности. Характерной особенностью пленок является зависимость удельного сопротивления материала пленки от ее толщины, причем такая зависимость для всех материалов связана с условиями нанесения пленок. С точки зрения технологичности нанесения пленки, воспроизводимости и стабильности ее свойств, в том числе и ро, каждый материал характеризуется определенной толщиной, для которой удельное сопротивление материала является оптимальным. Поэтому в технологии микроэлектроники для каждого материала отношение p0/d = р5 — величина постоянная. Условно ps определяют как удельное поверхностное сопротивление квадратной резистивной пленки, не зависящее от размеров квадрата, и оценивают в Ом/П.

Подобным образом можно создавать пассивные тонкопленочные элементы ИМС (резисторы и конденсаторы) с той лишь разницей, что в этом случае материал напыляют непосредственно на поверхность оксида, а в качестве напыляемого материала (для резисторов) используют специальные высокорезистивные сплавы.

В микросхемах на полевых транзисторах в качестве резисторов используют транзисторы с нелинейной или квазилинейной ВАХ и реже — тонкие ионно-легированные слои. На 6.4 показан ионно-ле-гированный резистор в арсенид-галлиевой микросхеме (/ — резистивный слой, 2 — полуизолирующая подложка, 3 — контактные области). Так как подложка является изолятором, то паразитная емкость пренебрежимо мала. Из-за большой подвижности электронов сопротивление слоя при той же дозе легирования (Na .д •= N л_а) на порядок меньше, чем в кремниевых микросхемах. При малой длине резистора

7-36. Для измерений сопротивлений резисторов используют измерительные мосты постоянного тока ( 7.36). Определить сопротивление резистора /•*, если мост был уравновешен (показание гальванометра равно нулю) при /ч =125 Ом, г2<=250 Ом, rs=75 Ом. Указать правильный ответ.

Обычно в качестве диффузионных резисторов используют базовый или эмиттерный слой планарной транзисторной структуры. Базовые диффузионные резисторы - высокоомные (концентрация основных носителей заряда в базе значительно меньше, чем в эмиттере), а эмиттерные — низкоомные. Структура диффузионного резистора на основе базового слоя показана на 12.3, а, на основе эмиттерного слоя - на 12.3, б. Сопротивление диффузионного резистора определяют по формуле

Резисторы. В биполярных ИМС для создания резисторов используют одну из областей биполярной транзисторной структуры: эмиттер, базу или коллектор. Основу этих структур составляет один из слоев ИМС, получаемый методом диффузии. Отсюда название таких резисторов — диффузионные. Диффузионные резисторы изолированы от остального объема полупроводника p-n-переходами. Полупроводниковые резисторы с большими значениями сопротивлений получают не диффузией, а методом ионной имплантации примесей. Такие резисторы называют ионно-ле-гированными.