Резистора определяют

Величина сопротивления резистора определяется соотношением

Напряжение на сопротивлении нагрузки шунта (Яо+ЯО (т. е. при наличии компенсирующего резистора) определяется выраже-нием

Температурный коэффициент сопротивления ТК# пленочного резистора определяется в основном нестабильностью удельного поверхностного сопротивления. Отношение lib = /Сф с изменением температуры меняется очень

Полной симметрии плеч в реальной схеме достичь невозможно, и это обусловливает наличие небольшого напряжения дрейфа. Для повышения стабильности балансного УПТ вводят сопротивление Ro, с помощью которого поддерживается большее постоянство потенциалов эмиттеров при изменении токов транзисторов. Сопротивление этого резистора определяется соотношением Ro = Af/6max//03, где Д/бтах — максимальное изменение потенциала базы, обусловленное дрейфом или входным сигналом усилителя; /оэ — ток покоя транзистора.

Сопротивление R6 балластного резистора определяется по падению напряжения на нем: AL/0 = Rel, откуда /?« =

4. Собственная индуктивность и емкость резистора определяется конструкцией его токопроводящего элемента и выводов. Упрощенная схема резистора с учетом собственной индуктивности и емкости изображена на 5.1.

Температурная зависимость номинального значения сопротивления резистора определяется температурной зависимостью удельной объемной проводимости ov, которая для кремния /г- и р-типов представлена соответственно на 2.32, а, б. Если уровень легирования кремния велик и влиянием на электропроводность электронно-дырочных пар, образующихся за счет тепловой генерации из валентной зоны, можно пренебречь, то концентрация подвижных носителей заряда будет слабо зависеть от температуры. Для кремния р-типа при произвольной температуре удельная проводимость

Полная относительная погрешность резистора определяется суммой погрешностей его изготовления и конструкции, а также погрешностей, обусловленных влиянием условий эксплуатации:

Сопротивление шунтового реостата в режиме холостого хода (или номинальном) с учетом сопротивления добавочного резистора определяется из выражения

Удельное сопротивление определяет размеры резистора. Поэтому с целью получения при прочих равных условиях минимальных размеров резистора удельное сопротивление материала чувствительного элемента должно быть большим. ТКС является характеристикой температурной нестабильности, следовательно, его значение должно быть ничтожно малым, а в идеальном случае равным нулю. Следует отметить, что ТКС резистора определяется главным образом ТКС материала чувствительного элемента. Однако на значении ТКС резистора сильно сказывается тензоэффект, т. е. изменение сопротивления чувствительного элемента за счет возникновения в нем механических напряжений, вызванных изменением температуры при неодинаковых температурных

Ток резистора определяется произведением напряжения и проводимости

При включении катушки в сеть постоянного тока она обладает лишь активным сопротивлением, в результате чего ток IK = U/RK будет в несколько раз больше номинального и катушка сгорит. Поэтому при включении катушки в сеть постоянного тока последовательно с ней необходимо подключить резистор, который ограничивает ток катушки до номинального. Сопротивление резистора определяют по формуле Rp— UP/IH.K, где /„.к — номинальный ток катушки; Up — падение напряжения на резисторе UP=UC—/н.кгк, где С/с — напряжение сети постоянного тока; гк — сопротивление катушки постоянному току (активное сопротивление катушки).

Сопротивление (Ом) металлического проводника, в том числе металлического резистора, определяют по формуле

. Ток в цепи резистора /? определяют из уравнения,

д) точность выполнения основных технологических операций. Номинальное значение сопротивления резистора определяют

Значение сопротивления пленочного резистора определяют с помощью известного выражения

Для резисторов с /Сф < 1 вместо ширины сначала определяют длину / резистора. В этом случае расчетное значение длины /расч резистора определяют из условия

Расчетное значение ширины b резистора определяют из выражения

Расчетную длину резистора определяют как /расч = ЬрасчКф. Полученные расчетные значения Ьрасч и /расч корректируют в сторону уменьшения Ri путем округления до значений, кратных шагу координатной сетки, с учетом масштаба чертежа топологии (значение 6расч корректируют в большую сторону, а /расч — в меньшую).

Обычно в качестве диффузионных резисторов используют базовый или эмиттерный слой планарной транзисторной структуры. Базовые диффузионные резисторы - высокоомные (концентрация основных носителей заряда в базе значительно меньше, чем в эмиттере), а эмиттерные — низкоомные. Структура диффузионного резистора на основе базового слоя показана на 12.3, а, на основе эмиттерного слоя - на 12.3, б. Сопротивление диффузионного резистора определяют по формуле

При проектировании прецизионных резисторов с малой величиной допустимой погрешности воспроизведения номинала ?>R = = (1—3)°/0 необходимо учитывать температурную нестабильность резистора. В этом случае минимальную ширину резистора определяют с учетом как температурной нестабильности, так и точности

Компенсационный стабилизатор тока ( 140, б) имеет схему, аналогичную схеме компенсационного стабилизатора напряжения. Отличие состоит лишь в том, что резистор нагрузки /?„ подключается вместо резистора R3 (см. 139). В качестве источника опорного напряжения L/,,,1 ( 140, б) используется параметрический стабилизатор на низковольтном стабилитроне VD. Сопротивление эталонного резистора определяют по формуле