Резисторы конденсаторы

Добавочные резисторы изготовляются из манганина в виде проволочных или печатных резисторов.

Добавочные резисторы изготовляются обычно из изолированной манганиновой проволоки, намотанной на пластины или каркасы из изоляционного материала. Они

В переносных приборах добавочные резисторы изготовляются секционными на несколько пределов измере-ния ( 3.5),

Резисторы изготовляются из проволоки, ленты и штампованные из сплавов с большим удельным сопротивлением (нихром, реотан, манганин, никелин и др.). Для резисторов на токи несколько десятков и сотен ампер могут применяться, кроме штампованных, и литые чугунные элементы ( 17-5).

Интегральный ДК значительно превосходит ДК на дискретных элементах вследствие того, что транзисторы и резисторы изготовляются в одном цикле технологического процесса. В результате они имеют малый разброс параметров, что важно для симметричных плеч ДК, а их близкое расположение на кристалле обеспечивает одинаковые температурные характеристики.

Резисторы чугунные литые и стальные штампованные выполняются зигзагообразной формы ( 17-3) с ушками для крепления. Тонким пластинам придается жесткость при помощи изолированных ребер или путем изгибания краев пластины. Резисторы собираются в блоки ( 17-3, д) в виде пакетов на изолированных стержнях. Необходимая схема соединений получается соответствующим располо-ж/нием изоляционных и металлических дистанционных шайб. Отдельные резисторы изготовляются на токи до 250 — 300 А, а ящики — на токи до 1000 А и более.

Резисторы чугунные литые и стальные, штампованные выполняются зигзагообразной формы ( 17-3) с ушками для крепления. Тонким пластинам придается жесткость при помощи изолированных ребер или путем изгибания краев пластины. Резисторы собираются в ящики ( 17-3) в виде пакетов на изолированных стержнях. Необходимая схема соединений получается соответствующим расположением изоляционных и металлических дистанционных шайб. Отдельные резисторы изготовляются на токи до 250—300 А, а ящики — на токи до 1000 А и более.

Проволочные резисторы изготовляются из изолированного провода, в том числе литого микропровода (диаметром меньше 20 мкм) в стеклянной изоляции (изобретение советского ученого А. В. Улитовского), для больших сопротивлений и ленты—для малых сопротивлений [11].

Добавочные резисторы выполняются как внутренними, расположенными в корпусе прибора, так и наружными. В первом случае прибор градуируется вместе с добавочным резистором. В переносных приборах добавочные резисторы изготовляются секционными на несколько пре-

При изготовлении гибридных интегральных схем СВЧ (ГИССВЧ) активные приборы (транзисторы, диоды) выполняются в виде навесных элементов и присоединяются к проводникам пассивных пленочных цепей. Пассивные элементы ГИССВЧ: конденсаторы, индуктивности, резисторы — изготовляются на общей подложке и могут быть как распределенными, так и сосредоточенными. Для изготовления пассивных элементов используется реактивное катодное распыление на постоянном токе с осаждением на всю подложку с последующим гальваническим наращиванием или избриательным травлением. Реактивное катодное распыление позволяет со-

Объемные резисторы покрываются фенольной смолой и иногда заключаются в керамическую трубку. Выводы закрепляются связующим составом. Основанием пленочных композиционных резисторов служит внешняя поверхность стеклянной трубки, которая после спекания резистивного слоя запрессовывается вместе с выводами в фенольную' смолу. Пленочно-углеродистые и металлопленочные резисторы изготовляются обычло нанесением тонкой пленки резистивного материала на изоляционное основание. Толщина пленки тщательно контролируется, затем наносится защитное покрытие.

10.7. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ РЕЗИСТОРЫ, КОНДЕНСАТОРЫ, ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ

10.7. Полу проводниковые резисторы, конденсаторы, оптоэлектронные приборы....................................... 22

компонента). Знакоместо в этом случае должно предусматривать возможность установки различного числа элементов в различных сочетаниях. Существенное влияние на технические характеристики ЦАА, собираемой из отдельных ИМС и микросборок, оказывает вид конструктивного исполнения изделия, который, в свою очередь, определяет и выбор технологии изготовления коммутационной платы. В качестве примера рассмотрим ячейку, разработанную под 64-вывод-ные БИС. Она представляет собой многослойную полиимидную плату сквозной металлизации со смонтированными бескорпусными кристаллами, которая закреплена на жестком металлическом основании, обеспечивающем механическую прочность и теплоотвод. Коммутационная плата (основа ГИФУ) имеет на верхнем слое универсальные знакоместа, предназначенные для монтажа разновыводных кристаллов или дискретных элементов ( 1.5). Знакоместо имеет размер 11 х X 11 мм; на нем можно установить 64-выводную БИС, четыре 16-выводные СИС или дискретные элементы (резисторы, конденсаторы, транзисторы, диоды и др.).

* Активными называют элементы, выполняющие функции усиления или иного преобразования сигнала, пассивными — реализующие линейную передаточную функцию (резисторы, конденсаторы, индуктивности).

Подложка пленочной ИМС имеет несколько большие размеры, ее площадь обычно составляет 50...200 мм2. На поверхности подложки из изолирующего материала размещены пассивные элементы микросхемы — резисторы, конденсаторы, а также соединительные проводники. Активные элементы в виде бескорпусных транзисторов, диодов, матриц диодов или бескорпусных полупроводниковых микросхем крепят на поверхности подложки (иногда приклеивают к корпусу) и присоединяют их выводы к соответствующим контактным площадкам на поверхности подложки ( В.4.).

Основные технологические этапы изготовления гибридных микросхем. Гибридные интегральные микросхемы (ГИС) представляют сочетания пленочных пассивных элементов и навесных активных и пассивных компонентов. Резисторы, конденсаторы, контактные площадки и внутрисхемные соединения в ГИС изготовляют либо последовательным напылением на подложку различных материалов в вакууме (тонкопленочная технология), либо нанесением со-" ответствующих материалов

Электрорадиоэлемент (ЭРЭ) — прибор или устройство, выполняющее функции преобразования, распределения, переключения электрических сигналов, реализуемых электрической схемой. К ЭРЭ следует относить: резисторы, конденсаторы, диоды, транзисторы, микросхемы, трансформаторы, реле, переключатели, тумблеры, кнопки, предохранители и др.

В схемах многих ЭУ предусматривают элементы (резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности), значения параметров которых могут быть изменены в процессе производства ЭА, ее эксплуатации или ремонта с целью установления необходимого значения одного или нескольких выходных параметров устройства, а также отдельных функциональных его частей.

Для быстрого нахождения упоминаемых в тексте элементов на схеме принята позиционная система их нумерации (ГОСТ 2.702—75). По этой системе порядковые номера элементам схем следует присваивать начиная с единицы в пределах каждого вида элементов (резисторы, конденсаторы, полупроводниковые приборы и т.д.), которым на схеме дано одинаковое буквенное обозначение, например #1, R2, ЯЗ; Cl, С2, СЗ и т.д. Порядковые номера присваивают в соответствии с последовательностью расположения элементов на схеме сверху вниз в направлении слева направо ( 7.14).

Таблица П.5.1 Резисторы, конденсаторы (ГОСТ 2.728—74)

Элементы электронных устройств подразделяют на активные и пассивные. К активным элементам относят полупроводниковые и электровакуумные приборы, а к пассивным — резисторы, конденсаторы, трансформаторы, индуктивные катушки, реле, контактные разъемы, переключатели, индикаторы, провода и кабели. Элементы электронного устройства должны быть размещены и закреплены определенным оптимальным образом и электрически соединены между собой в соответствии с принципиальной схемой.