Реактивное распыление

Векторы комплексных напряжений f/a, Up и Uобразуют на комплексной плоскости треугольник напряжений: и = t/a + U . Модуль вектора активной составляющей напряжения U^ - Ucosip, и этот вектор совпадает по фазе с вектором тока /. Модуль вектора реактивной составляющей напряжения U = U\sin
Векторы комплексных напряжений ?/а, (/р и [/образуют на комплексной плоскости треугольник напряжений: и - Ua + U . Модуль вектора активной составляющей напряжения U& = Ucosy, и этот вектор совпадает по фазе с вектором тока /. Модуль вектора реактивной составляющей напряжения U - U\ simp\, и этот вектор сдвинут по фазе относительно вектора тока / на угол я/21 : индуктивное реактивное напряжение опережает по фазе ток / на угол я/2 ( 2.8, а), емкостное реактивное напряжение отстает по фазе от тока / на угол тг/2 ( 2.28, б). Из треугольников напряжений следует, что

Векторы комплексных напряжений ?/а, Up и U образуют на комплексной плоскости треугольник напряжений: и = и_л + U Модуль вектора активной составляющей напряжения U = f/cosip, и этот вектор совпадает по фазе с вектором тока /. Модуль вектора реактивной составляющей напряжения U = U\simp\, и этот вектор сдвинут по фазе относительно вектора тока / на угол я/2 1 : индуктивное реактивное напряжение опережает по фазе ток / на угол я/2 ( 2.8, а), емкостное реактивное напряжение отстает по фазе от тока / на угол я/2 ( 2.28, б) . Из треугольников напряжений следует, что

Напряжение на зажимах цепи U и активное напряжение всегда положительны. Реактивное напряжение t/p может быть положительным (при ф > 0) или отрицательным (при ф <; 0).

В результате сложения векторов получается прямоугольный треугольник напряжений с гипотенузой, равной полному напряжению U, катетом, равным активному напряжению (/а и катетом U9 = UL — L/C', напряжение f/p называется реактивным. На диаграмме 7. 1, б преобладает индуктивное напряжение (UL > L/C) и поэтому реактивное напряжение совпадает по фазе с индуктивным.

На 7.4 показана векторная диаграмма для случая резонанса. Как видно из этой диаграммы и приведенных соотношений, при резонансе цепь, несмотря на наличие в ней индуктивности и емкости, ведет себя как активное сопротивление. Ток совпадает по фазе с напряжением и получает наибольшее значение. Реактивное напряжение

Действующее реактивное напряжение Up — UL—Uc — алгебраическая величина.

— проводимость 177 Реактивное напряжение 186

Напряжение на зажимах цепи U и активное напряжение всегда положительны. Реактивное напряжение 1/р может быть положительным (при ф > 0) или отр лцательным (при ф < 0).

Если UL > U с, то действующее значение реактивного напряжения ?/р = f/i — (/с > 0, т. е. реактивное напряжение опережает по фазе ток на угол я/2 ( 10-28); если UL < {/с, то ?7р < 0, т. е. реактивное напряжение отстает по фазе от тока на угол я/2 ( 10-30); таким образом, действующее значение реактивного напряжения t7p является алгебраической величиной.

Напряжение на зажимах цепи V и активное напряжение всегда положительны. Реактивное напряжение Uy может быть положительным при ф > 0 или отрицательным при ф < 0.

Расширение номенклатуры материалов, используемых для производства ГИС, в частности применение тугоплавких материалов и материалов сложного состава, а также стремление перейти к непрерывным технологическим процессам повысили интерес к получению тонких пленок с помощью ионного распыления. Основными достоинствами методов ионного распыления материалов являются: возможность распыления практически всех материалов современной микроэлектроники, в том числе различных соединений (нитридов, оксидов и т. д.) при введении в газоразрядную плазму реакционно-способных газов (реактивное распыление); высокая адгезия получаемых пленок к подложкам, поскольку энергия распыленных частиц выше энергии испаренных частиц; сохранение стехиометри-ческого состава пленок при распылении многокомпонентных сплавов; однородность пленок по толщине, в том числе при осаждении на поверхности, имеющие сложный профиль; очистка поверхности подложек с помощью ионной бомбардировки как перед, так и в процессе осаждения пленки.

2. Непрямые методы: пиролиз алкоксисиланов; окисление моносилана; реактивное распыление кремния в кислородной плазме.

При осаждении слоев наилучших результатов удается достигнуть, используя реакции аммонолиза моносилана или газообразных галогенидов кремния, а также реактивное распыление кремния в азотной плазме.

ние; реактивное распыление;

Реактивное распыление в присутствии небольших количеств азота, кислорода, окиси углерода или метана позволяет получать пленки с поверхностными сопротивлениями до 10000 Ом/квадрат.

Другим методом создания танталовых конденсаторов является осаждение диэлектрика на слой металла, например алюминия, который служит в качестве нижнего электрода. Затем на поверхность алюминия наносится пятиокись тантала методом реактивного распыления, после чего следует напыление верхнего электрода. Реактивное распыление диэлектрических пленок Ta2Os выполняется в атмосфере, состоящей из 50% аргона и 50% кислорода при давлении в камере 6 Па. Первый из упомянутых методов изготовления конденсаторов используется в том случае, когда •схемы, содержащие танталовые резисторы и конденсаторы, обра-.зуются на одной керамической подложке.

азота, вводимого в камеру. Реактивное распыление широко применяют для получения высокоомных резисторов.

Двуокись кремния » 4 20000 0,5 2 5—10 — Ионно-плазменное распыление. Реактивное распыление

Окись алюминия Алюминий + ни-кель 8 30000 40000 0,3-1 3-4 5 — Реактивное распыление, анодное окисление

Реактивное распыление

Реактивное распыление предусматривает введение в среду тлеющего разряда реактивного газа (кислород, окись углерода и др.), что позволяет получать пленки с заданными свойствами, а также пленки соединений основного материала. Окисление или азотирование распыляемого материала происходит на поверхности мишени либо в процессе формирования пленки. При низких давлениях более вероятен второй